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题名高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响
被引量：1
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作者
周钦佩
张静
夏经华
许恒宇
万彩萍
韩锴
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机构
北方工业大学电子信息工程学院
全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室
中国科学院微电子研究所高频高压集成与器件研发中心
潍坊学院物理与光电工程学院
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第10期754-758,共5页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02501)
国家自然科学基金资助项目(6140493)
国家电网公司总部科技项目(5455DW150006)
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文摘
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm^2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。
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关键词
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件
零时击穿(TZDB)
与时间有关的击穿(TDDB)
干氧氧化
可靠性
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Keywords
SiC metal oxide semiconductor（MOS） device
time-zero dielectric breakdown（TZDB）
time-dependent dielectric breakdown（TDDB）
dry oxidation
reliability
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
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