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基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究被引量：2: 1; 作者许维王盛凯刘洪刚《稀有金属与硬质合金》 CSCD 北大核心 2017年第3期56-58,70,共4页; 利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于... 展开更多; 关键词晶圆键合化学反应键合 Ni-Si键合表面激活 Ar等离子体; 在线阅读下载PDF 职称材料

1200V SiC超结VDMOS研究被引量：5: 2; 作者郭心宇白云雷天民《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期27-31,共5页; 在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,比导通电阻为0.60m... 展开更多; 关键词功率器件超结 VDMOS; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究: 3; 作者宋瓘白云 +3 位作者顾航陈宏谭犇杜丽霞《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期17-21,共5页; 提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器... 展开更多; 关键词 4H-SIC MOSFET CIMOSFET 比导通电阻栅氧化层电场; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_(x)/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs: 4; 作者袁静景冠军 +7 位作者王建超汪柳高润华张一川姚毅旭魏珂李艳奎陈晓娟《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期200-206,共7页; 文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显... 展开更多; 关键词 SiN_(x)栅介质 MOCVD MIS-HEMTs 界面态低噪声线性度毫米波; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaN的3.4~3.6 GHz高增益Doherty功率放大器被引量：6: 5; 作者周兴达刘果果 +2 位作者袁婷婷魏珂刘新宇《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第6期35-40,47,共7页; 基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty功率放大器。该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty功率放大器的增益,采用反向Doherty功率放大器架构,将λ/4波长传输线放置在辅助功放后端,相位补... 展开更多; 关键词两级功率放大器反向Doherty功率放大器 π型相位补偿网络增益氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2: 6; 作者王溪姚鸿飞 +5 位作者苏永波丁武昌阿瑟夫丁芃童志航金智《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期27-31,43,共6页; 成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制... 展开更多; 关键词压控振荡器磷化铟双异质结晶体管宽调谐范围高输出功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于点压技术的新型晶圆键合方法: 7; 作者许维王盛凯 +3 位作者徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期125-128,134,共4页; 金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热... 展开更多; 关键词晶圆键合热压键合金金键合点压键合法; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC沟槽结势垒二极管研制: 8; 作者汤益丹董升旭 +2 位作者杨成樾郭心宇白云《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期22-26,38,共6页; 优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过... 展开更多; 关键词 4H-SIC 沟槽结势垒二极管主结耐压特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究被引量：2: 1; 作者许维王盛凯刘洪刚; 机构中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心; 出处《稀有金属与硬质合金》 CSCD 北大核心 2017年第3期56-58,70,共4页; 基金国家科技重大专项(2011ZX02708-003); 文摘利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于得到气泡和空洞数目较少的键合界面,从而有效提升晶圆键合的质量。; 关键词晶圆键合化学反应键合 Ni-Si键合表面激活 Ar等离子体; Keywords wafer bonding reactive bonding Ni-Si bonding surface activation Ar plasma; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1200V SiC超结VDMOS研究被引量：5: 2; 作者郭心宇白云雷天民; 机构西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心; 出处《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期27-31,共5页; 基金国家重点研发计划项目(2016YFB0100601); 文摘在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,比导通电阻为0.60mΩ·cm^2的超结VDMOS器件。; 关键词功率器件超结 VDMOS; Keywords power device super junction VDMOS; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究: 3; 作者宋瓘白云顾航陈宏谭犇杜丽霞; 机构兰州交通大学电子与信息工程学院中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心; 出处《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期17-21,共5页; 基金国家重点研发计划项目(2016YFB0100601); 文摘提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器件性能进行简要说明与分析,与传统1200V 4H-SiC MOSFET相比,其比导通电阻增加0.59mΩ·cm^2,V_(DS)=1200V时,栅氧化层电场强度下降1.52MV/cm。; 关键词 4H-SIC MOSFET CIMOSFET 比导通电阻栅氧化层电场; Keywords 4H-SiC MOSFET CIMOSFET specific on-resistance gate oxide field; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_(x)/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs: 4; 作者袁静景冠军王建超汪柳高润华张一川姚毅旭魏珂李艳奎陈晓娟; 机构中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期200-206,共7页; 基金 the National Natural Science Foundation of China(62304252) the Youth Innovation Promotion Association of Chinese Academy Sciences(CAS)and IMECAS-HKUST-Joint Laboratory of Microelectronics。; 文摘文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显示其缺陷能级深度为0.236 eV,俘获截面为3.06×10^(-19)cm^(-2),提取的界面态密度为10^(10)~10^(12)cm^(-2)eV^(-1),表明MOCVD原位生长的SiN_(x)可以有效降低界面态。同时器件表现出优越的直流、小信号和噪声性能。栅长为0.15μm的器件在2 V的栅极电压(Vgs)下具有2.2 A/mm的最大饱和输出电流,峰值跨导为506 mS/mm,最大电流截止频率(fT)和最大功率截止频率(fMAX)分别达到了65 GHz和123 GHz,40 GHz下的最小噪声系数(NFmin)为1.07 dB,增益为9.93 dB。Vds=6 V时对器件进行双音测试,器件的三阶交调输出功率(OIP3)为32.6 dBm,OIP3/Pdc达到11.2 dB。得益于高质量的SiN_(x)/AlN界面,SiN_(x)/AlN/GaN MISHEMT显示出了卓越的低噪声及高线性度,在毫米波领域具有一定的应用潜力。; 关键词 SiN_(x)栅介质 MOCVD MIS-HEMTs 界面态低噪声线性度毫米波; Keywords SiNx gate dielectrics MOCVD MIS-HEMTs interface state low noise linearity millimeter waves; 分类号 O48 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaN的3.4~3.6 GHz高增益Doherty功率放大器被引量：6: 5; 作者周兴达刘果果袁婷婷魏珂刘新宇; 机构中国科学院大学微电子学院中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第6期35-40,47,共7页; 文摘基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty功率放大器。该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty功率放大器的增益,采用反向Doherty功率放大器架构,将λ/4波长传输线放置在辅助功放后端,相位补偿线放置在主功放前端,并使主功放输出匹配网络采用双阻抗匹配技术实现阻抗变换,如此可扩宽功率放大器的工作带宽。连续波测试结果显示:3.4~3.6 GHz工作频段内,饱和输出功率在44.5 dBm以上,功率饱和工作点PAE在43.9%以上;在平均输出功率(37 dBm,5 W)工作点,回退量大于7.5 dB,功率附加效率PAE为36.8%以上,功率增益在31 dB以上。; 关键词两级功率放大器反向Doherty功率放大器 π型相位补偿网络增益氮化镓; Keywords two-stage power amplifier inverted Doherty power amplifier(IDPA) πtype phase compensation network gain GaN; 分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2: 6; 作者王溪姚鸿飞苏永波丁武昌阿瑟夫丁芃童志航金智; 机构中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心中国科学院大学电子电气与通信工程学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期27-31,43,共6页; 基金 Supported by a key program of the National Natural Science Foundation of China(61434006); 文摘成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.; 关键词压控振荡器磷化铟双异质结晶体管宽调谐范围高输出功率; Keywords voltage-controlled oscillator InP DHBT wide tuning range high output power; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于点压技术的新型晶圆键合方法: 7; 作者许维王盛凯徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚; 机构中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心中国科学院微电子研究所智能感知研发中心; 出处《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期125-128,134,共4页; 文摘金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热压键合法与点压键合法的键合面积比.对点压键合法的可选择键合性进行了讨论.结果表明,点压键合法工艺步骤简单,工艺稳定性较好,且具有一定的可选择键合特性,在半导体制造领域中将具有广泛的应用前景.; 关键词晶圆键合热压键合金金键合点压键合法; Keywords wafer bonding thermocompression bonding Au-Au bonding spot pressing bonding; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] TG44 [金属学及工艺—焊接]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC沟槽结势垒二极管研制: 8; 作者汤益丹董升旭杨成樾郭心宇白云; 机构中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心中国科学院大学; 出处《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期22-26,38,共6页; 基金国家重点研发计划项目(2016YFB0100601); 文摘优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过Silvaco二维仿真软件对主结处的沟槽结构进行优化设计,其优化结构仿真击穿电压高达1843V。并实际制作了此优化结构TJBS,结果表明其反向击穿特性优于传统沟槽结构。; 关键词 4H-SIC 沟槽结势垒二极管主结耐压特性; Keywords SiC TJBS main junction reverse characteristic; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究	许维王盛凯刘洪刚	《稀有金属与硬质合金》 CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	1200V SiC超结VDMOS研究	郭心宇白云雷天民	《电工电能新技术》 CSCD 北大核心	2018	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究	宋瓘白云顾航陈宏谭犇杜丽霞	《电工电能新技术》 CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_(x)/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs	袁静景冠军王建超汪柳高润华张一川姚毅旭魏珂李艳奎陈晓娟	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于GaN的3.4~3.6 GHz高增益Doherty功率放大器	周兴达刘果果袁婷婷魏珂刘新宇	《微波学报》 CSCD 北大核心	2021	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）	王溪姚鸿飞苏永波丁武昌阿瑟夫丁芃童志航金智	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种基于点压技术的新型晶圆键合方法	许维王盛凯徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚	《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	4H-SiC沟槽结势垒二极管研制	汤益丹董升旭杨成樾郭心宇白云	《电工电能新技术》 CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料