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PVDF压电薄膜的性能优化研究进展 被引量:10
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作者 曹茜茜 魏淑华 +3 位作者 姚沛林 张静 王艳蓉 王盛凯 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第4期542-549,共8页
聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜是一种压电高分子材料,具有广泛的科学价值和技术应用前景。PVDF薄膜因具有独特的压电效应,且质地软,灵敏度高及频响范围宽等优点,使其在能量收集、新型智能传感器、生物医学、电池隔膜等领域得到了广泛的应用... 聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜是一种压电高分子材料,具有广泛的科学价值和技术应用前景。PVDF薄膜因具有独特的压电效应,且质地软,灵敏度高及频响范围宽等优点,使其在能量收集、新型智能传感器、生物医学、电池隔膜等领域得到了广泛的应用和关注。PVDF晶区中至少有4种晶型,其中β晶型PVDF具有优异的压电性能。该文总结了近年来通过制备工艺、化学掺杂及改性方法的优化来提高β晶型含量,进而提升薄膜性能的方法,系统地介绍了PVDF压电薄膜在部分领域的应用,并对其未来发展做出了展望。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯 压电 Β晶型 制备工艺 化学掺杂 改性 应用
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基于光敏BCB工艺的InP基器件性能的研究
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作者 赵华 王溪 +4 位作者 丁芃 姚鸿飞 苏永波 金智 刘新宇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1119-1123,共5页
采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在... 采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在75~110 GHz内的本征特性。通过比较去嵌后本征特性和仿真结果,发现与仿真结果相比S11/S22的幅度波动小于5 d B,S12/S21的幅度波动小于0.3 d B。仿真结果与去嵌后的本征结果重合度比较好,这进一步说明光学BCB工艺比较适合毫米波校准件的研制。 展开更多
关键词 BCB介质工艺 TRL校准件 微带无源器件 毫米波
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带有四次谐波回路的110GHz二倍频器
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作者 刘志成 周静涛 +3 位作者 王晓宇 柴凯龙 金智 贾锐 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期105-108,共4页
在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CS... 在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CSMRs滤波器替代了传统的高低阻抗滤波器,同时引入波导谐振腔用来调节四次谐波回路的相位。测试结果表明,在120mW的输入功率下,倍频器在111.5GHz处达到最大输出功率20.86mW,对应的效率为17.4%,在107.5-113GHz内的范围内,输出功率大于4mW。 展开更多
关键词 二倍频器 谐波回收 单片集成 肖特基二极管 太赫兹电路
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基于AlGaN/GaN HEMT的源漏整体刻蚀欧姆接触结构 被引量:1
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作者 陈诗哲 魏珂 +3 位作者 霍荡荡 郑英奎 李培咸 刘新宇 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期521-525,550,共6页
研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/G N高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响。利用传输线模型(TLM)对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TEM... 研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/G N高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响。利用传输线模型(TLM)对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品的剖面微结构和界面反应进行表征与分析。实验结果显示,采用Ti/Al/Ni/Au(20 nm/120 nm/45 nm/55 nm)金属和源漏整体刻蚀欧姆接触结构,在合金温度870℃,升温20 s,退火50 s条件下,欧姆接触电阻最低为0.13Ω·mm,方块电阻为363.14Ω/,比接触电阻率为4.54×10^(-7)Ω·cm^2,形成了良好的欧姆接触,降低了器件的导通电阻。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管(HEMT) 欧姆接触 合金 源漏整体刻蚀 电极表面形貌
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