新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究 被引量：1

1

作者 赵珉 朱齐媛 +1 位作者 陈宝钦 牛洁斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期458-463,共6页

为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Cal... 为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Calixarene和ARN7520进行了电子束曝光性能的研究,同时也对三者的优缺点进行了讨论。通过实验可知,三种新型抗蚀剂均有小于50 nm的高曝光分辨率。HSQ与衬底有更好的附着力,具有较高的机械强度和对比度,在小面积密集图形的制作中具有较好的性能。而ARN7520具有较高的灵敏度,受电子束邻近效应的影响较小,更适合复杂版图的制作。Calixarene虽然也具有较高的曝光分辨率,但过低的灵敏度严重限制了其实用性。 展开更多

关键词 电子束光刻 抗蚀剂 高分辨率 灵敏度 对比度

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LCoS反射层的实验研究 被引量：8

2

作者 欧毅 宋玉龙 +1 位作者 刘明 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期554-557,共4页

LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内... LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内反射率曲线,分析了薄膜的致密性和电导率。实验结果表明,当Al层很薄时,膜的连续性较差,呈岛状或网状结构,膜的导电性不好;如果沉积较厚(1μm以上)则容易形成“铝丘”,即出现多晶态的A1分布,一方面使A1膜表面粗糙,降低其镜面反射率,同样也将严重影响Al膜的电学性能。选定50nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳。 展开更多

关键词 LCOS 电子束蒸发 反射率 电导率

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软X光谱学光子筛衍射特性的实验表征 被引量：4

3

作者 魏来 曹磊峰 +7 位作者 范伟 臧华萍 高宇林 朱效力 谢长青 谷渝秋 张保汉 王晓方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期387-391,共5页

概述了谱学光子筛的设计原理,计算了其透射率,并对设计的软X光谱学光子筛的衍射模式在光学波段进行了模拟计算和实验表征。结果表明,这种新型色散元件具有良好的、与设计预期一致的单级衍射特性,3级及以上的高级衍射能被有效抑制。与传... 概述了谱学光子筛的设计原理,计算了其透射率,并对设计的软X光谱学光子筛的衍射模式在光学波段进行了模拟计算和实验表征。结果表明,这种新型色散元件具有良好的、与设计预期一致的单级衍射特性,3级及以上的高级衍射能被有效抑制。与传统的透射光栅和以前设计的单级衍射光栅相比,新设计的软X光谱学光子筛更易于实现自支撑,可望在极紫外和软X光谱测量过程中得到广泛应用。 展开更多

关键词 软X光 光子筛 衍射光栅 衍射特性

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用于X射线光刻对准的图像边缘增强技术 被引量：4

4

作者 王德强 谢常青 叶甜春 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第4期426-431,共6页

提出了用于提高X射线光刻对准系统自动对准效率和对准精度的图像边缘增强技术,并进行了数值分析。采用先单个再整体的分析方法,通过三种不同的图像边缘增强技术,即索贝尔(SOBEL)算子、拉普拉斯(LAPLAC)算子以及卷积等方法对CCD系统采集... 提出了用于提高X射线光刻对准系统自动对准效率和对准精度的图像边缘增强技术,并进行了数值分析。采用先单个再整体的分析方法,通过三种不同的图像边缘增强技术,即索贝尔(SOBEL)算子、拉普拉斯(LAPLAC)算子以及卷积等方法对CCD系统采集的对准标记图像进行处理,得到了每个方法相对应的处理结果,并对于处理结果进行了比较分析。分析比较得出:采用卷积和LAPLAC算子相结合的方法,即先卷积,再利用7个算子的LAPLAC方法进行处理,可以将对准系统的自动对准效率提高约50%,使得自动对准时间由原来的20min缩短到10min左右;系统对准精度的方差可由0.10μm提高至0.08μm。 展开更多

关键词 X射线光刻 对准系统 拉普拉斯算法 索贝尔算法

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“阳”加速器Z箍缩实验用透射光栅谱仪 被引量：2

5

作者 李晶 黄显宾 +4 位作者 谢卫平 杨礼兵 朱效立 段书超 蒲以康 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期683-686,共4页

研制的透射光栅谱仪配备了高线密度金透射光栅作为分光元件,使用X光CCD记录时间积分光谱图像。在谱仪结构中引入了两个相互垂直的狭缝,一个用于实现光谱图像的1维空间分辨;另一个与光栅相配合后具有准直入射X光的作用,用来提高谱仪的分... 研制的透射光栅谱仪配备了高线密度金透射光栅作为分光元件,使用X光CCD记录时间积分光谱图像。在谱仪结构中引入了两个相互垂直的狭缝,一个用于实现光谱图像的1维空间分辨;另一个与光栅相配合后具有准直入射X光的作用,用来提高谱仪的分辨力。使用该谱仪对"阳"加速器Z箍缩实验的X光辐射进行了测量。当使用铝丝阵作为负载时,测得了铝的K壳层辐射和类锂离子的线谱辐射,并且通过将光谱图像与X光针孔相机的测量结果相比较,观察到了"热点"区域放出的较强的K壳层辐射。 展开更多

关键词 透射光栅谱仪 Z箍缩诊断 铝丝阵负载 K壳层辐射

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SAW化学战剂传感器的研究进展 被引量：1

6

作者 赵以贵 刘明 牛洁斌 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第9期1-3,共3页

简要叙述了声表面波(SAW)化学战剂传感器的传感原理和研究进展。详细阐述了高Q低插损SAW振荡电路的设计、敏感膜材料和成膜技术的研究进展,指出了SAW化学战剂传感器发展的趋势。

关键词 声表面波 化学传感器 敏感膜

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自聚焦变栅距光栅设计、制作及特性研究 被引量：3

7

作者 靳飞飞 刘世炳 +2 位作者 朱效立 谢常青 刘明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期48-52,共5页

利用变栅距光栅的衍射光束自聚焦特性,设计和制作了变栅距透射光栅,并对其自聚焦特性进行了研究。采用变栅距光栅的自动生成宏文件程序,优化设计了变栅距光栅的栅距变化。采用光栅扫描电子束光刻的方法制作了中心线数为300l/mm、适用于3... 利用变栅距光栅的衍射光束自聚焦特性,设计和制作了变栅距透射光栅,并对其自聚焦特性进行了研究。采用变栅距光栅的自动生成宏文件程序,优化设计了变栅距光栅的栅距变化。采用光栅扫描电子束光刻的方法制作了中心线数为300l/mm、适用于355nm波长的自聚焦变栅距变狭缝光栅。使用三倍频Nd:YAG激光器,研究了制作的变栅距光栅的聚焦特性,并与对氦氖激光的聚焦特性进行了比较。结果表明,主动式设计的变栅距变狭缝自聚焦光栅可以大幅提高衍射光强度和分辨本领,具有重要的应用价值。 展开更多

关键词 衍射光学 变栅距光栅 自聚焦特性

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基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

8

作者 杨潇楠 王永 +2 位作者 张满红 张博 刘明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期421-424,共4页

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。... 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。 展开更多

关键词 硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持

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光学波段量子点阵衍射光栅的衍射特性 被引量：2

9

作者 王传珂 况龙钰 +6 位作者 王哲斌 曹磊峰 刘慎业 丁永坤 王德强 朱效立 谢长青 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期607-611,共5页

概述了量子点阵衍射光栅的原理及制作方法,并设计标定实验,研究了不同角度及不同波长入射情况下量子点阵光栅的衍射特性。研究结果表明:量子点阵光栅不存在高级衍射,只保留了±1级和0级衍射,具有理想的单级衍射模式。光学波段量子... 概述了量子点阵衍射光栅的原理及制作方法,并设计标定实验,研究了不同角度及不同波长入射情况下量子点阵光栅的衍射特性。研究结果表明:量子点阵光栅不存在高级衍射,只保留了±1级和0级衍射,具有理想的单级衍射模式。光学波段量子点阵衍射光栅的成功研制为研制紫外、X光波段具有单级衍射特征的光栅提供了契机。 展开更多

关键词 衍射光栅 量子点阵光栅 衍射特性 标定

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LCoS芯片p-n结光生电流理论分析

10

作者 欧毅 李大勇 刘明 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期24-28,共5页

LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是... LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度。以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小。当Al膜厚度为50nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求。 展开更多

关键词 LCOS P-N结 光生漏电流 挡光层

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EBL制备用于气体传感器的SAW延迟线的方法

11

作者 赵以贵 刘明 +1 位作者 牛洁斌 陈宝钦 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期340-342,345,共4页

电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出... 电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出IDT电极。通过邻近效应校正和提高场拼接精度,制作的叉指电极具有一致性,电极形貌好。相对于干法刻蚀工艺,剥离工艺避免了对压电衬底表面的物理损伤。该技术为实现特征尺寸达到百纳米级的更高工作频率SAW器件的制造提供了很好的途径。 展开更多

关键词 电子束光刻 剥离 声表面波延迟线 叉指换能器

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近地空间下X/EUV透射光栅的热力学有限元分析 被引量：1

12

作者 宋曦 朱效立 +3 位作者 韦飞 谢常青 谢二庆 刘明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期91-96,122,共7页

为了实现极紫外透射光栅光谱仪在近地空间的应用,针对其核心色散元件2000线/毫米X/EUV透射光栅,本文采用有限元方法建立了机械模型并对其热学性能和耦合特性进行计算机模拟计算,通过模拟热膨胀系数不同的材料构成的薄膜光栅在近地空间... 为了实现极紫外透射光栅光谱仪在近地空间的应用,针对其核心色散元件2000线/毫米X/EUV透射光栅,本文采用有限元方法建立了机械模型并对其热学性能和耦合特性进行计算机模拟计算,通过模拟热膨胀系数不同的材料构成的薄膜光栅在近地空间受到太阳辐照后的温度场,得到该光栅表面的热形变分布。结果表明,在高真空热环境下,该透射光栅表面形变量平均可达0.56μm,而影响光栅周期的纵向形变平均值则为71.5nm。由于热形变会对光栅衍射效率产生重要影响并导致光谱仪精度和性能的下降,利用有限元分析模拟的结果,进一步优化光栅的封装和设计制作,使其栅线处纵向热形变趋近于零,为2000线/毫米X/EUV透射光栅在太阳极紫外辐射探测器上得到应用提供了科学依据和有效支持。 展开更多

关键词 近地空间 X/EUV 透射光栅 有限元 热形变

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