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一种高分辨率∑△小数分频频率合成器被引量：1: 1; 作者郭桂良杜占坤 +4 位作者高海军杨洪文易青朱思奇阎跃鹏《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期515-519,共5页; 提出了一种采用新型分频器的小数分频频率合成器。该频率合成器与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定时间快、工作频率高和频率分辨率高的优点。设计基于TSMC0.25μm2.5V1P5MCMOS工艺,采用sig-ma-delta调制的方法实现。经测量得到该... 展开更多; 关键词 ∑-△调制器小数分频频率合成器噪声整形分频器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低噪声、高增益的直接下变频混频器被引量：1: 2; 作者高海军郭桂良 +2 位作者阴亚东杜占坤阎跃鹏《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期488-493,共6页; 针对零中频接收机的应用,提出了一种低噪声、高增益的直接下变频混频器,并用0.25μmCMOS工艺实现。这种混频器结构采用电流复用注入技术,并且在开关管的共源端并联了一个谐振电感。电流复用注入提高了转换增益;谐振电感消除了共源端的... 展开更多; 关键词混频器闪烁噪声直接下变频电流注入吉尔伯特单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于CMMB标准的自校正CMOS椭圆低通Gm-C滤波器被引量：1: 3; 作者朱思奇杨洪文 +3 位作者易青高海军郭桂良阎跃鹏《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第1期105-108,共4页; 提出了一种基于CMMB(中国移动多媒体广播)标准的9阶椭圆函数Gm-C滤波器结构.该滤波器截止频率为3.75MHz,通带波纹小于1dB,过渡带宽500kHz,在4.25MHz处衰减达40dB以上,功耗为7mW.采用0.25μmCMOS工艺,在自动校正电路的作用下,该滤波器在... 展开更多; 关键词 CMMB GM-C滤波器高滚降系数自动频率校正; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低功耗高线性度AB类跨导放大器被引量：1: 4; 作者程序郭桂良阎跃鹏《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第12期133-136,141,共5页; 摘要i提出了一个基于动态源级负反馈和交叉耦合后失真调谐的可调谐跨导放大器单元（Gin），并采用此Gm单元搭建了3阶Gm-C滤波器来验证此Gm的性能．仿真结果表明，所设计的Gm单元的大信号恒定跨导U，范围超过600mV，在工艺角、电源电压... 展开更多; 关键词 GM-C滤波器源级负反馈交叉耦合 CMOS工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe工艺的线性功率放大器设计被引量：1: 5; 作者贯会征阎跃鹏《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第1期64-67,共4页; 基于SiGe Heterojunction Bipolar Transistors(HBT)工艺设计了一款线性射频功率放大器.该功率放大器采用三级级联结构,每一级采用自适应偏置网络,级间匹的网络集成在片内,匹配网络中的电感由绑定线实现.该功率放大器工作在2GHz,带宽50M... 展开更多; 关键词 SIGE HBT工艺线性功率放大器自适应偏置; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有电压比例缩放模块的低调谐曲线增益压控振荡器: 6; 作者刘荣江郭桂良阎跃鹏《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第11期165-167,共3页; 本文介绍了一种利用电压比例缩放模块的低调谐曲线增益的压控振荡器.电压比例缩放模块由电阻分压网络和电流垛电路组成.电阻分压网络比例缩小压控振荡器的控制电压,进而能得到较低的调谐曲线增益.电流垛模块电路向控制电压节点注入或抽... 展开更多; 关键词压控振荡器低调谐曲线增益高线性度射频 CMOS技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有反馈机制的高匹配度宽带相移网络设计: 7; 作者刘荣江郭桂良阎跃鹏《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第12期50-53,共4页; 设计了一个基于反馈机制的单级RC移相网络．用MIM电容替代MOS电容来耦合信号，避免了MOS等效电容因大信号波动所导致的耦合电容大小周期性变化以及负载效应．仿真结果表明所设计的电路在工艺偏差20％时仍然能保持较低的失配和稳定的输... 展开更多; 关键词相移网络正交信号反馈射频 CMOS技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高分辨率∑△小数分频频率合成器被引量：1: 1; 作者郭桂良杜占坤高海军杨洪文易青朱思奇阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期515-519,共5页; 文摘提出了一种采用新型分频器的小数分频频率合成器。该频率合成器与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定时间快、工作频率高和频率分辨率高的优点。设计基于TSMC0.25μm2.5V1P5MCMOS工艺,采用sig-ma-delta调制的方法实现。经测量得到该频率合器工作频率在2.400～2.850GHz之间,相位噪声低于-95dBc/Hz@100kHz,最小频率步进小于30Hz,开关时间小于50μs,满足多数无线通信系统的要求。; 关键词 ∑-△调制器小数分频频率合成器噪声整形分频器; Keywords sigma-delta modulator fractional-N frequency synthesizer noise shaping divider; 分类号 TN742 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低噪声、高增益的直接下变频混频器被引量：1: 2; 作者高海军郭桂良阴亚东杜占坤阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期488-493,共6页; 文摘针对零中频接收机的应用,提出了一种低噪声、高增益的直接下变频混频器,并用0.25μmCMOS工艺实现。这种混频器结构采用电流复用注入技术,并且在开关管的共源端并联了一个谐振电感。电流复用注入提高了转换增益;谐振电感消除了共源端的寄生电容,抑制了射频信号的泄漏,减小了由间接开关机理产生的闪烁噪声。仿真得到这个混频器输出1/f噪声的拐点频率小于100kHz。在2.645GHz的射频输入下,测试得到的转换增益为15.5dB,输入三阶交调点为-3.8dBm,在中频1M处的单边带噪声系数为9.2dB。; 关键词混频器闪烁噪声直接下变频电流注入吉尔伯特单元; Keywords mixer flicker noise direct down-conversion current bleeding Gilbert cell; 分类号 TN773 [电子电信—电路与系统] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于CMMB标准的自校正CMOS椭圆低通Gm-C滤波器被引量：1: 3; 作者朱思奇杨洪文易青高海军郭桂良阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第1期105-108,共4页; 文摘提出了一种基于CMMB(中国移动多媒体广播)标准的9阶椭圆函数Gm-C滤波器结构.该滤波器截止频率为3.75MHz,通带波纹小于1dB,过渡带宽500kHz,在4.25MHz处衰减达40dB以上,功耗为7mW.采用0.25μmCMOS工艺,在自动校正电路的作用下,该滤波器在工艺偏差(温度在-40～90℃变化以及±10%的电源电压偏差)的情况下也能保持良好的性能,截止频率偏差不超过1%,临近信道抑制超过40dB.; 关键词 CMMB GM-C滤波器高滚降系数自动频率校正; Keywords CMMB Gm-C filters sharp skirt characteristic automatic tuning; 分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低功耗高线性度AB类跨导放大器被引量：1: 4; 作者程序郭桂良阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第12期133-136,141,共5页; 基金科技部国家科技重大专项"核心电子器件高端通用芯片及基础软件产品"资助项目(2009ZX01031-002-008-002); 文摘摘要i提出了一个基于动态源级负反馈和交叉耦合后失真调谐的可调谐跨导放大器单元（Gin），并采用此Gm单元搭建了3阶Gm-C滤波器来验证此Gm的性能．仿真结果表明，所设计的Gm单元的大信号恒定跨导U，范围超过600mV，在工艺角、电源电压、温度等变化时，滤波器-3dB截止频率均可调谐到10MHz，调谐范围为9～26．4MHz，在10MHz频点等效输入噪声为39nV，带内IIP3维持在16dBm以上，功耗电流小于1．7mA．; 关键词 GM-C滤波器源级负反馈交叉耦合 CMOS工艺; Keywords Gm-C filter source degeneration cross coupling CMOS process; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiGe工艺的线性功率放大器设计被引量：1: 5; 作者贯会征阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第1期64-67,共4页; 基金国家重大科技专项"硅基射频功率芯片工艺开发与产业化-功率放大器模块开发"(2011ZX02506-006); 文摘基于SiGe Heterojunction Bipolar Transistors(HBT)工艺设计了一款线性射频功率放大器.该功率放大器采用三级级联结构,每一级采用自适应偏置网络,级间匹的网络集成在片内,匹配网络中的电感由绑定线实现.该功率放大器工作在2GHz,带宽50MHz,增益30dB,在1dB压缩点输出功率(P1dB)为27.1dBm,功率附加效率(PAE)为36%.该功放由3.4V电压供电,芯片尺寸1mm×0.7mm.; 关键词 SIGE HBT工艺线性功率放大器自适应偏置; Keywords SiGe HBT process linear power amplifier self-adaptive bias; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有电压比例缩放模块的低调谐曲线增益压控振荡器: 6; 作者刘荣江郭桂良阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第11期165-167,共3页; 基金科技部国家科技重大专项(2009ZX01031-002-008-002); 文摘本文介绍了一种利用电压比例缩放模块的低调谐曲线增益的压控振荡器.电压比例缩放模块由电阻分压网络和电流垛电路组成.电阻分压网络比例缩小压控振荡器的控制电压,进而能得到较低的调谐曲线增益.电流垛模块电路向控制电压节点注入或抽取电流提供不同的直流电位,实现将调谐曲线变为多个子调谐曲线.由于电流垛模块和电阻分压网络具有很好的线性度,因此所实现的压控振荡器具有更线性的调谐范围.仿真结果显示调谐增益曲线小于20 MHz/V,并且具有好的线性度.; 关键词压控振荡器低调谐曲线增益高线性度射频 CMOS技术; Keywords VCO low Kvco high linearity RF CMOS technology; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有反馈机制的高匹配度宽带相移网络设计: 7; 作者刘荣江郭桂良阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第12期50-53,共4页; 基金科技部国家科技重大专项"核心电子器件高端通用芯片及基础软件产品"资助项目(2009ZX01031-002-008-002); 文摘设计了一个基于反馈机制的单级RC移相网络．用MIM电容替代MOS电容来耦合信号，避免了MOS等效电容因大信号波动所导致的耦合电容大小周期性变化以及负载效应．仿真结果表明所设计的电路在工艺偏差20％时仍然能保持较低的失配和稳定的输出．从2．4～4．6GHz其幅度失配小于4％．; 关键词相移网络正交信号反馈射频 CMOS技术; Keywords phase shift network quadrature signal feedback RF CMOS technology; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种高分辨率∑△小数分频频率合成器	郭桂良杜占坤高海军杨洪文易青朱思奇阎跃鹏	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种低噪声、高增益的直接下变频混频器	高海军郭桂良阴亚东杜占坤阎跃鹏	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于CMMB标准的自校正CMOS椭圆低通Gm-C滤波器	朱思奇杨洪文易青高海军郭桂良阎跃鹏	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种低功耗高线性度AB类跨导放大器	程序郭桂良阎跃鹏	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于SiGe工艺的线性功率放大器设计	贯会征阎跃鹏	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	带有电压比例缩放模块的低调谐曲线增益压控振荡器	刘荣江郭桂良阎跃鹏	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	带有反馈机制的高匹配度宽带相移网络设计	刘荣江郭桂良阎跃鹏	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料