通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII...通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3~5μm波段的辐射率可以达到85%以上,暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。展开更多
早期近距离无线通信技术(near field communication,NFC)标准规定13.56 MHz无线通信卡的数据速率最高到848 Kbps,在智能手机NFC技术广泛应用的背景下,通信要求达到超高数据速率(very high bit rate,VHBR)。近场通信卡(proximity integra...早期近距离无线通信技术(near field communication,NFC)标准规定13.56 MHz无线通信卡的数据速率最高到848 Kbps,在智能手机NFC技术广泛应用的背景下,通信要求达到超高数据速率(very high bit rate,VHBR)。近场通信卡(proximity integrated circuit card,PICC)接收电路数据速率提升的难点主要在于移幅键控法/移频键控法(amplitude-shift keying/phase-shift keying,ASK/PSK)接收器的设计,其在实际应用中受码间串扰(inter-symbol interference,ISI)、功耗、电路复杂度等限制。针对以上问题,提出一种完整的低功耗PICC解调解码电路设计,包含高定时精度的全数字定时恢复电路。设计实现采用标准0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,实现了147 pJ/bit的能效,可应用于ASK 0.106~3.39 Mbps数据速率通信。展开更多
文摘通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3~5μm波段的辐射率可以达到85%以上,暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。
文摘早期近距离无线通信技术(near field communication,NFC)标准规定13.56 MHz无线通信卡的数据速率最高到848 Kbps,在智能手机NFC技术广泛应用的背景下,通信要求达到超高数据速率(very high bit rate,VHBR)。近场通信卡(proximity integrated circuit card,PICC)接收电路数据速率提升的难点主要在于移幅键控法/移频键控法(amplitude-shift keying/phase-shift keying,ASK/PSK)接收器的设计,其在实际应用中受码间串扰(inter-symbol interference,ISI)、功耗、电路复杂度等限制。针对以上问题,提出一种完整的低功耗PICC解调解码电路设计,包含高定时精度的全数字定时恢复电路。设计实现采用标准0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,实现了147 pJ/bit的能效,可应用于ASK 0.106~3.39 Mbps数据速率通信。
