-
题名基于机器学习的光刻坏点检测研究进展
被引量：4
- 1
-
-
作者
盖天洋
粟雅娟
陈颖
韦亚一
-
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室
中国科学院大学
-
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第6期421-428,434,共9页
-
基金
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315001
2017ZX02101004)
-
文摘
基于机器学习的坏点检测技术已经成为光刻坏点检测的重要研究方向,在新技术节点开发与物理设计验证中具有重要意义。按照基于机器学习的光刻坏点检测技术的流程,依次介绍了特征提取、机器学习模型建模和待测样本提取等步骤中面临的问题,综述了近年研究中针对以上问题提出的关键技术及其优劣。对基于机器学习的坏点检测技术的发展方向和面临的挑战进行了展望。目前,完全基于机器学习技术的坏点检测技术中数据生成成本巨大,精度尚不满足集成电路行业应用的要求,因此与光刻仿真模型、图形匹配等传统方法的结合是基于机器学习的坏点检测技术最容易应用于实际生产的技术途径。
-
关键词
机器学习
坏点检测
集成电路物理设计
计算光刻
设计工艺联合优化
-
Keywords
machine learning
hotspot detection
integrated circuit physical design
computational lithography
design technology co-optimization
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名基于PSS刻蚀平台的真空微气压控制研究
被引量：1
- 2
-
-
作者
林永奔
李勇滔
李超波
夏洋
汪明刚
陈焰
-
机构
昆明理工大学信息工程与自动化学院
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室
-
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期93-99,共7页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60727003)
-
文摘
针对当前图形化蓝宝石衬底ICP干法工艺刻蚀流程,对工艺腔室真空环境微气压调节非线性特征进行了动态监测,本文提出了一种基于自适应模糊PID的微气压控制算法。该算法利用质量流量计MFC及真空泵组减压阀的参数调节,实现真空环境微气压调节。通过Matlab仿真及刻蚀流程气压控制测试表明,工艺腔室的真空微气压自适应模糊PID控制基本符合仿真结果。在气压为0.13～20Pa的真空环境下,工艺腔室气压动态控制效果良好,具有鲁棒性强、超调量小、过渡时间短等特点,满足工艺刻蚀流程中正常刻蚀速率、选择比及均匀性等指标。
-
关键词
图形化蓝宝石衬底
微气压
自适应模糊PID控制
MATLAB仿真
-
Keywords
patterned sapphire substrate （PSS）
micro-pressure
adaptive fuzzy PID control
Matlab simulation
-
分类号
TP273.2
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
-
-
题名石墨烯/金属接触研究进展
被引量：1
- 3
-
-
作者
闫祥宇
粟雅娟
贾昆鹏
李梅
马源骏
韦亚一
-
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室
中国科学院大学
北京理工大学光电学院
-
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第11期745-751,共7页
-
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFA02023)
-
文摘
石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石墨烯的电流主要通过边缘传输,通过在石墨烯与金属的接触界面引入边缘接触,增加了电流流经的路径,从而减小石墨烯与金属的接触电阻率。最后总结出边缘接触是最可能优化其接触电阻率的技术方案,并展望了石墨烯/金属接触的研究前景。
-
关键词
石墨烯
金属
面接触
边缘接触
欧姆接触
二维材料
-
Keywords
graphene
metal
surface contact
edge contact
ohmic contact
two-dimensional ma-terial
-
分类号
TN304.18
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名二硫化钼场效应晶体管金属接触的研究进展
被引量：2
- 4
-
-
作者
张亚东
贾昆鹏
吴振华
田汉民
-
机构
河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室
-
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第2期109-118,共10页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(61774168)
科技部重点研发计划资助项目(2016YFA0202300)
河北省留学人员择优资助项目(C2015003040).
-
文摘
二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有广泛的前景。总结了MoS2的表面电荷转移掺杂和替位掺杂,并分析了不同掺杂方法的优劣,同时介绍了降低费米能级钉扎效应的两种接触电阻的优化方法。依据肖特基理论改变金属功函数可以调节金属与MoS2的肖特基势垒高度,但由于金属与MoS2之间存在费米能级钉扎效应,接触时会产生较大的肖特基势垒,降低载流子的发射效率,从而增加金属与MoS2之间的接触电阻。最后,指出MoS2器件接触电阻的研究趋势并展望了MoS2的应用前景。
-
关键词
二硫化钼(MoS2)
场效应晶体管
二维晶体材料
金属-半导体接触
功函数
-
Keywords
molybdenum disulfide(MoS2)
field-effect transistor
two-dimensional crystal material
metal-semiconductor contact
work function
-
分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
-
