等离子体浸没离子注入技术与设备研究 被引量：2

1

作者 刘杰 汪明刚 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期626-629,共4页

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了... 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源

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衍射光学元件成套制造技术研究进展 被引量：5

2

作者 谢常青 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第15期1815-1827,共13页

从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发... 从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发了精度优于2 nm的复杂图形光刻数据处理体系,提出了混合光刻方法,建立了加法(剥离、电镀)和减法(干法刻蚀、金属辅助化学刻蚀)两种类型、四种图形转移基础方法。实现了从微米尺度到亚10 nm尺度的图形生成,高宽比达12∶1的25 nmAu结构和深宽比达500∶1的30 nmAl_(2)O_(3)纳米管图形转移。在熔石英、多层膜、SiC自支撑薄膜、高面形硅片等衬基上大面积集成制造了多种衍射光学元件,最大面积为142 mm×142 mm,最大自支撑口径达70 mm,最高面形精度PV值达0.03λ,覆盖了可见光到硬X射线波段衍射光学元件的制造需求,能够应用于先进光刻机、同步辐射、激光聚变及X射线天文学中。 展开更多

关键词 衍射光学元件 先进光刻 标准CMOS工艺 GDSII数据处理 图形转移

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脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究 被引量：3

3

作者 彭明娣 卢维尔 +3 位作者 夏洋 王桐 赵丽莉 李楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构... 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 超导Nb金属薄膜 超导转变温度 超导性能 结晶特性

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面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究 被引量：2

4

作者 曹志军 张青竹 +7 位作者 吴次南 闫江 王桂磊 李俊杰 张兆浩 殷华湘 余金中 李志华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期121-126,共6页

针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶... 针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48 h后腐蚀速率趋于稳定。另外,在厚度相同的情况下,Ge Si层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大。本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象。该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义。 展开更多

关键词 GESI HF-H2O2-CH3COOH溶液 纳米线 CH3COOH

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应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究

5

作者 徐忍忍 张青竹 +7 位作者 姚佳欣 白国斌 熊文娟 顾杰 殷华湘 吴次南 屠海令 无 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期65-70,共6页

在传统Fin FET集成工艺上,通过Ge Si/Si叠层量子阱结构外延生长再形成堆叠纳米线MOS场效应晶体管的方案,是实现5 nm及其以下CMOS集成电路工艺技术最具可能的器件方案。由于Ge元素在该技术中的引入,导致器件工艺中的浅沟槽隔离(STI)工艺... 在传统Fin FET集成工艺上,通过Ge Si/Si叠层量子阱结构外延生长再形成堆叠纳米线MOS场效应晶体管的方案,是实现5 nm及其以下CMOS集成电路工艺技术最具可能的器件方案。由于Ge元素在该技术中的引入,导致器件工艺中的浅沟槽隔离(STI)工艺部分产生严重的低温高深宽比工艺(HARP)SiO_(2)腐蚀速率控制问题。本文针对堆叠纳米线MOS器件STI工艺中的低温HARP SiO_(2)回刻腐蚀速率调节与均匀性控制问题,进行了全面的实验研究。实验中使用HF溶液对不同工艺条件下的HARP SiO_(2)进行回刻腐蚀,并对其腐蚀速率变化进行了详细研究,具体包括不同退火时长以及相同退火温度不同厚度HARP SiO_(2)位置处的腐蚀速率。通过实验结果发现,在退火温度相同的情况下,随着退火时长的增加,SiO_(2)腐蚀速率逐渐变小;而对于同一氧化层来说,即使退火条件相同,SiO_(2)不同厚度位置处的腐蚀速率表现也不同,即顶部的速率最大,而底部则最小。由此可以看出,随着退火时长的增加,低温HARP SiO_(2)腐蚀速率逐渐减小,并且对STI具有深度依赖性。该实验结果对成功制作5 nm技术代以下堆叠纳米线器件的STI结构起到了重要的技术支撑作用。 展开更多

关键词 SiO_(2) HF溶液 腐蚀 高深宽比工艺 浅沟槽隔离

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原子层沉积生长速率的控制研究进展 被引量：7

6

作者 卢维尔 董亚斌 +2 位作者 李超波 夏洋 李楠 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期345-351,共7页

原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中... 原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。 展开更多

关键词 原子层沉积 生长速率 生长机制 位阻效应

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用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究 被引量：3

7

作者 刘瑞文 焦斌斌 +1 位作者 欧毅 陈大鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1907-1910,共4页

研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的... 研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3%KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜。 展开更多

关键词 等离子增强化学气相淀积(PECVD) SiNx薄膜 湿法腐蚀

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基于ARM虚拟化扩展的安全防护技术 被引量：4

8

作者 李舟军 沈东 +1 位作者 苏晓菁 马金鑫 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第9期2229-2247,共19页

近几年来,随着移动平台用户量的增加,移动平台安全成为安全领域关注的焦点.而ARM的虚拟化扩展,使得如何基于虚拟化技术进行移动平台的安全防护成为一个研究热点.首先,介绍了虚拟化技术的分类以及早期的相关研究;然后给出了ARM虚拟化扩... 近几年来,随着移动平台用户量的增加,移动平台安全成为安全领域关注的焦点.而ARM的虚拟化扩展,使得如何基于虚拟化技术进行移动平台的安全防护成为一个研究热点.首先,介绍了虚拟化技术的分类以及早期的相关研究;然后给出了ARM虚拟化扩展的相关概念,并与x86虚拟化扩展进行了对比;随后,重点介绍了基于硬件辅助虚拟化技术的安全研究现状,主要包括通用的系统框架以及针对特定攻击的安全工具;最后,对基于ARM虚拟化扩展的安全防护技术的发展方向进行了展望. 展开更多

关键词 ARM 虚拟化 系统安全 移动安全 虚拟机监视器

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全自动荧光粉涂覆工艺研究 被引量：1

9

作者 刘杰 刘键 +3 位作者 冷兴龙 屈芙蓉 刘俊标 吴茹菲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期288-291,共4页

自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺,通过扫描电子显微镜研究真空搅拌除泡处理时间对涂覆质量的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层中有直径达140μm的气泡,且涂覆层厚度均匀性较差;经过20和40 s真... 自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺,通过扫描电子显微镜研究真空搅拌除泡处理时间对涂覆质量的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层中有直径达140μm的气泡,且涂覆层厚度均匀性较差;经过20和40 s真空搅拌除泡处理后涂覆层中气泡直径和数量都明显减少,涂覆层厚度均匀性也变好;经过60 s真空搅拌除泡处理后涂覆层中无明显气泡,涂覆层厚度均匀性进一步提高至1μm。分别不通过真空搅拌除泡处理和通过60 s真空搅拌除泡处理实现LED器件涂覆,通过LED器件光学参数综合测试仪测试上述两类器件的发光特性,结果发现60 s真空搅拌除泡处理能明显降低LED器件色坐标的离散性。 展开更多

关键词 LED 荧光粉涂覆 真空搅拌除泡 涂覆层厚度均匀性 LED发光特性

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用于单个纳米颗粒检测的固态纳米孔器件的仿真与优化 被引量：1

10

作者 张宇 魏胜 +3 位作者 李民权 赵超 罗军 黄成军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1425-1431,共7页

基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子... 基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子电流特性进行了系统性的仿真和分析,提出了采用纳米孔阻塞电流因子,来评估器件性能。在此基础上,深入分析和讨论了纳米孔的孔径和孔深等参数的变化对检测纳米粒子性能的影响,并提出了优化的纳米孔器件设计方案。研究结果对纳米孔器件的制备,以及其在检测纳米颗粒的应用实践中提供了理论指导。 展开更多

关键词 纳米孔 数值方法 单纳米粒子检测 阻塞电流因子

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Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

11

作者 汪明刚 杨威风 +2 位作者 李超波 刘训春 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期367-370,共4页

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏... 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。 展开更多

关键词 氮化镓 干法刻蚀 氯气/氯化硼 感应耦合等离子体 侧壁形貌

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氧化钇陶瓷涂层的制备及结构研究 被引量：4

12

作者 罗小晨 王文东 +1 位作者 刘邦武 夏洋 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第20期116-118,共3页

用等离子喷涂方法以氩气作为主要工作气体在铝基体上制备了氧化钇涂层;采用X射线衍射、扫描电镜和金相分析技术对涂层的形貌及结构进行了分析。结果表明:氧化钇涂层孔隙率约为5.6%;以氢气为辅助气体制备的涂层表面出现了杂色斑点,而用... 用等离子喷涂方法以氩气作为主要工作气体在铝基体上制备了氧化钇涂层;采用X射线衍射、扫描电镜和金相分析技术对涂层的形貌及结构进行了分析。结果表明:氧化钇涂层孔隙率约为5.6%;以氢气为辅助气体制备的涂层表面出现了杂色斑点,而用氦气作为辅助气体,可以得到纯正白色的氧化钇涂层。同时,使用Ar/H2气体的涂层中存在较明显的单斜相。而Ar/He气体条件则能在一定程度上抑制喷涂过程中的立方相向单斜相转变。 展开更多

关键词 等离子喷涂 氧化钇涂层 还原 相变

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GaN HEMT开关器件小信号模型 被引量：2

13

作者 张宗敬 雷天民 +3 位作者 刘辉 张杰 耿苗 罗卫军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期443-448,455,共7页

GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生... GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻。对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法。最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷（SPDT）开关电路中检验模型的正确性。结果表明,误差因子E11=E22〈2.96%,E12=E21〈1.27%,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合。所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 开关 小信号模型 本征参数 误差因子

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等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用 被引量：1

14

作者 邹志超 李超波 +1 位作者 罗军 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期596-599,604,共5页

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利... 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 束线离子注入 鞘层 FINFET 保形注入

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基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究 被引量：2

15

作者 许维 王盛凯 刘洪刚 《稀有金属与硬质合金》 CSCD 北大核心 2017年第3期56-58,70,共4页

利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于... 利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于得到气泡和空洞数目较少的键合界面,从而有效提升晶圆键合的质量。 展开更多

关键词 晶圆键合 化学反应键合 Ni-Si键合 表面激活 Ar等离子体

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磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究 被引量：1

16

作者 邵花 王文东 +1 位作者 刘训春 夏洋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2625-2629,共5页

在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、... 在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。 展开更多

关键词 磁控溅射 TA 薄膜电阻率

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PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术 被引量：1

17

作者 王胜涛 卢维尔 +1 位作者 王桐 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期230-233,共4页

石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的... 石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。 展开更多

关键词 石墨烯转移 聚乙烯醇(PVA) 残胶 铜刻蚀法 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜

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针对不同类型热敏MEMS器件的高性能前置放大器设计 被引量：1

18

作者 宋冬雪 薛晨阳 +2 位作者 王玮冰 何鑫 孟如男 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第9期75-78,82,共5页

针对不同应用的热敏MEMS器件的界面电路设计高性能放大器,提出建立与CMOS工艺兼容的热敏MEMS器件前置放大器的IP库的概念。通过提取相关热敏器件的典型参数,设计低功耗、低噪声且分别符合精度和速度等特殊要求的前置放大器,对3种不同结... 针对不同应用的热敏MEMS器件的界面电路设计高性能放大器,提出建立与CMOS工艺兼容的热敏MEMS器件前置放大器的IP库的概念。通过提取相关热敏器件的典型参数,设计低功耗、低噪声且分别符合精度和速度等特殊要求的前置放大器,对3种不同结构的放大器进行分析研究,并利用Cadence软件,基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺库进行设计仿真。仿真结果表明:3种不同结构的放大器可以用于相应性能要求的热敏MEMS器件中。 展开更多

关键词 热敏MEMS器件 前置放大器 CMOS

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AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性 被引量：1

19

作者 肖洋 张一川 +3 位作者 张昇 郑英奎 雷天民 魏珂 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期432-436,467,共6页

采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用。随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对沟道载流子的控制变弱,且器件出现软夹断现象。... 采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用。随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对沟道载流子的控制变弱,且器件出现软夹断现象。凹栅槽结构可以降低器件的亚阈值摆幅,提高开关比,栅长100 nm常规结构器件的亚阈值摆幅为140 mV/dec,开关比为106,而凹栅槽结构器件的亚阈值摆幅下降为95 mV/dec,开关比增大为107,凹栅槽结构明显抑制了短沟道效应。在漏源电压为20 V时,100 nm栅长的凹栅槽结构器件的截止频率和最高振荡频率达到了65.9和191 GHz,同常规结构相比,分别提高了5.78%和4.49%。由于凹栅槽结构缩短了栅金属到二维电子气（2DEG）沟道的间距,增大了纵横比,所以能够改善器件的频率特性。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 短沟道效应 凹栅槽 频率特性

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垂直纳米线晶体管的制备技术 被引量：2

20

作者 侯朝昭 姚佳欣 殷华湘 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期283-292,共10页

对目前垂直纳米线晶体管的制备技术进行了综述。首先根据器件结构取向介绍了纳米线晶体管的分类,即水平纳米线晶体管和垂直纳米线晶体管,比较了这两类不同结构晶体管的优缺点,阐述了垂直纳米线晶体管的优势及其潜在应用价值。重点介绍... 对目前垂直纳米线晶体管的制备技术进行了综述。首先根据器件结构取向介绍了纳米线晶体管的分类,即水平纳米线晶体管和垂直纳米线晶体管,比较了这两类不同结构晶体管的优缺点,阐述了垂直纳米线晶体管的优势及其潜在应用价值。重点介绍了两种主流的垂直纳米线晶体管的制造方法,即自下而上方法和自上而下方法,自上而下方法则又分为后栅工艺和先栅工艺。随后详细比较了它们之间的不同。最后,对垂直纳米线晶体管制造过程中的工艺挑战进行了分析,提出了几种可行的解决方案,并预测了垂直纳米线晶体管未来的发展趋势,特别是在低功耗器件及3D存储器等方面的发展走向。 展开更多

关键词 晶体管 纳米线 垂直结构 自上而下方法 环栅 3D存储器

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