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脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究被引量：3: 1; 作者彭明娣卢维尔 +3 位作者夏洋王桐赵丽莉李楠《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页; 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构... 展开更多; 关键词脉冲激光沉积超导Nb金属薄膜超导转变温度超导性能结晶特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究被引量：5: 2; 作者明帅强文庆涛 +3 位作者高雅增闫美菊卢维尔夏洋《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期6042-6047,共6页; 本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响。通过椭偏仪、原子力显微镜、扫... 展开更多; 关键词原子层沉积氧化钽薄膜乙醇钽生长速率粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

红外加热吸附反应外延系统的温度均匀性研究被引量：2: 3; 作者闫恒彬陈焰 +1 位作者明帅强夏洋《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期377-385,共9页; 为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy,ARE)设备红外热源的设计,分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行... 展开更多; 关键词吸附反应外延红外硅片仿真温度场分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性: 4; 作者程嵩卢维尔 +2 位作者王桐夏洋李楠《微纳电子技术》北大核心 2017年第8期539-546,共8页; 在原子层沉积(ALD)的腔室内,采用直流辉光放电技术,以N2等离子体作为掺杂源制备了氮掺杂石墨烯,考察了电场方向和掺杂时间对石墨烯的掺杂特性影响。喇曼光谱和高分辨率X射线光电子能谱(XPS)测试表明,随着掺杂时间的延长,氮的掺杂量逐渐... 展开更多; 关键词直流辉光放电氮掺杂石墨烯等离子体多物理场耦合分析原子层沉积(ALD); 在线阅读下载PDF 职称材料

PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术被引量：1: 5; 作者王胜涛卢维尔 +1 位作者王桐夏洋《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期230-233,共4页; 石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的... 展开更多; 关键词石墨烯转移聚乙烯醇(PVA) 残胶铜刻蚀法聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

原子层沉积法制备SnO_(2)薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响被引量：1: 6; 作者明帅强王浙加 +4 位作者吴鹿杰冯嘉恒高雅增卢维尔夏洋《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期122-127,共6页; 本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影... 展开更多; 关键词原子层沉积氧化锡薄膜生长速率氧空位钙钛矿太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究被引量：3: 1; 作者彭明娣卢维尔夏洋王桐赵丽莉李楠; 机构中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心北京交通大学理学院中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室集成电路测试技术北京市重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页; 基金国家自然科学基金青年基金(61604175 61404170); 文摘采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。; 关键词脉冲激光沉积超导Nb金属薄膜超导转变温度超导性能结晶特性; Keywords pulsed laser deposition superconducting Nb metal thin film superconducting transition temperature superconducting property crystalline propertyFull; 分类号 TN604 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究被引量：5: 2; 作者明帅强文庆涛高雅增闫美菊卢维尔夏洋; 机构中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心中国科学院大学北京交通大学理学院北京市微电子制备仪器设备工程技术研究中心; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期6042-6047,共6页; 基金国家重点研发计划(2018YFF0109100) 国家自然科学基金青年科学基金(61604175) 国家自然科学基金(61427901)。; 文摘本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响。通过椭偏仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜以及高分辨X射线光电子能谱测试分析表明,制备获得的氧化钽薄膜表面光滑,粗糙度小于1 nm,薄膜生长速率受工艺参数的影响较大,其中在乙醇钽源瓶温度170℃、脉冲时间0.1 s以及衬底温度200℃时,氧化钽的生长速率为0.253/cycle。本工作基于原子层沉积高性能氧化钽薄膜的工艺研究,将对氧化钽薄膜在介质材料、存储介质以及光学涂层等领域的应用奠定基础。; 关键词原子层沉积氧化钽薄膜乙醇钽生长速率粗糙度; Keywords atomic layer deposition tantalum oxide thin film tantalum ethoxide growth rate roughness; 分类号 TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外加热吸附反应外延系统的温度均匀性研究被引量：2: 3; 作者闫恒彬陈焰明帅强夏洋; 机构昆明理工大学信息工程与自动化学院中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期377-385,共9页; 基金中科院关键技术团队项目(No.GJJSTD20200003)资助。; 文摘为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy,ARE)设备红外热源的设计,分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行仿真模拟,研究了以红外为热源的设备腔室及硅片温度场分布情况,实测硅片表面温度及均匀性与仿真基本吻合。结果表明在保证源在硅片表面良好扩散效果的同时,当灯管阵列灯管长度为200 mm,数量为11根,间距10 mm,距离硅片15 mm时硅片表面温度不均匀度达到0.683%,满足红外加热吸附反应外延工艺需求,可为ARE红外热源及腔室设计提供参考。; 关键词吸附反应外延红外硅片仿真温度场分布; Keywords adsorption reaction epitaxy infrared silicon wafer simulation temperature field distribution; 分类号 TN219 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性: 4; 作者程嵩卢维尔王桐夏洋李楠; 机构中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心中国科学院大学中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室集成电路测试技术北京市重点实验室; 出处《微纳电子技术》北大核心 2017年第8期539-546,共8页; 基金国家自然科学基金青年基金资助项目(61604175 61404170) 国家重大科研仪器研制资助项目(61427901); 文摘在原子层沉积(ALD)的腔室内,采用直流辉光放电技术,以N2等离子体作为掺杂源制备了氮掺杂石墨烯,考察了电场方向和掺杂时间对石墨烯的掺杂特性影响。喇曼光谱和高分辨率X射线光电子能谱(XPS)测试表明,随着掺杂时间的延长,氮的掺杂量逐渐提高,并且负电场较正电场具有更高的掺杂效率,在-800 V电场、N2等离子体掺杂2 h的条件下,石墨烯中氮与碳的原子比达到9.5%。同时,采用Comsol Multiphysics软件模拟了腔室内正负电场情况下的等离子体分布,结果表明电极盘为负电时,腔室内的放电区域更加发散,有利于掺杂离子与自由基到石墨烯表面的扩散。; 关键词直流辉光放电氮掺杂石墨烯等离子体多物理场耦合分析原子层沉积(ALD); Keywords direct current glow discharge N-doped graphene plasma Comsol Multiphysics atomic layer deposition（ALD）; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术被引量：1: 5; 作者王胜涛卢维尔王桐夏洋; 机构中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心北京交通大学理学院中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院大学; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期230-233,共4页; 基金国家自然科学基金青年基金(61604175 61427901)~~; 文摘石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。; 关键词石墨烯转移聚乙烯醇(PVA) 残胶铜刻蚀法聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜; Keywords graphene transfer polyvinyl alcohol(PVA) resin residue copper etching method polymethyl methacrylate(PMMA) support membrane; 分类号 O474.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原子层沉积法制备SnO_(2)薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响被引量：1: 6; 作者明帅强王浙加吴鹿杰冯嘉恒高雅增卢维尔夏洋; 机构中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心中国科学院大学微电子学院嘉兴科民电子设备技术有限公司北京交通大学理学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期122-127,共6页; 基金国家重点研发计划(2018YFF0109100) 国家自然科学基金(61427901)。; 文摘本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影响,采用钙钛矿太阳能电池器件辅助验证SnO_(2)薄膜的性能。研究发现,随着基底温度的升高,沉积速率逐渐下降,原子层沉积的温度窗口在120~250℃;折射率随着温度的升高逐渐增大,带隙随温度升高而减小;沉积温度越高,表面氧空位缺陷浓度越大。SnO_(2)薄膜的工艺温度对钙钛矿太阳能电池性能有较大影响,采用160℃沉积的SnO_(2)薄膜作钙钛矿太阳能电池的电子传输层,可获得最优的电池性能,反扫最高效率为18.68%,此时器件的截止电压为1.077 V,短路电流密度为23.67 mA/cm^(2),填充因子为73.3%,且器件具有较小的迟滞效应。; 关键词原子层沉积氧化锡薄膜生长速率氧空位钙钛矿太阳能电池; Keywords atomic layer deposition tin oxide thin film growth rate oxygen vacancy perovskite solar cell; 分类号 TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究	彭明娣卢维尔夏洋王桐赵丽莉李楠	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究	明帅强文庆涛高雅增闫美菊卢维尔夏洋	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	红外加热吸附反应外延系统的温度均匀性研究	闫恒彬陈焰明帅强夏洋	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性	程嵩卢维尔王桐夏洋李楠	《微纳电子技术》北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术	王胜涛卢维尔王桐夏洋	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	原子层沉积法制备SnO_(2)薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响	明帅强王浙加吴鹿杰冯嘉恒高雅增卢维尔夏洋	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料