检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计被引量：2: 1; 作者姚小江李宾 +8 位作者陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻刘丹刘果果刘新宇王晓亮罗卫军《电子器件》 CAS 2007年第4期1137-1139,共3页; 我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE... 展开更多; 关键词微波功率放大器 ALGAN/GAN HEMT 混合集成电路(MIC); 在线阅读下载PDF 职称材料

一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1: 2; 作者张辉陈晓娟 +5 位作者刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇《电子器件》 CAS 2009年第1期24-27,共4页; 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE... 展开更多; 关键词 ALGAN/GANHEMT 内匹配混合集成电路功率放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量：9: 3; 作者唐立田张海英 +2 位作者黄清华李潇尹军舰《电子器件》 CAS 2009年第3期566-569,共4页; 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标... 展开更多; 关键词跨阻放大器 RGC结构等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量：5: 4; 作者曾轩陈晓娟 +8 位作者刘果果袁婷婷陈中子张辉王亮李诚瞻庞磊刘新宇刘键《电子器件》 CAS 2008年第6期1794-1796,共3页; 利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最... 展开更多; 关键词 ALGAN/GANHEMT 内匹配功率合成功率放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计被引量：2: 1; 作者姚小江李宾陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻刘丹刘果果刘新宇王晓亮罗卫军; 机构中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室四川龙瑞微电子有限公司中国科学院半导体研究所; 出处《电子器件》 CAS 2007年第4期1137-1139,共3页; 基金国家重点基础研究发展计划资助(2002CB311903) 中国科学院重点创新资助(KGCX2-SW-107); 文摘我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.; 关键词微波功率放大器 ALGAN/GAN HEMT 混合集成电路(MIC); Keywords microwave power amplifiers AlGaN/GaN HEMTs MIC.; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1: 2; 作者张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇; 机构中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室; 出处《电子器件》 CAS 2009年第1期24-27,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903) 中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107); 文摘论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。; 关键词 ALGAN/GANHEMT 内匹配混合集成电路功率放大器; Keywords AlGaN/GaN HEMT Internally Matched Transistor HMIC Power Amplifier; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量：9: 3; 作者唐立田张海英黄清华李潇尹军舰; 机构中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室; 出处《电子器件》 CAS 2009年第3期566-569,共4页; 基金国家自然科学基金资助(60276021) 国家重点基础研究发展规划项目资助(G2002CB311901); 文摘采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)～(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。; 关键词跨阻放大器 RGC结构等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺; Keywords trans-impedance amplifier regulated cascode（RGC） equivalent input current noise spectral density 0. 18μm CMOS technology; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量：5: 4; 作者曾轩陈晓娟刘果果袁婷婷陈中子张辉王亮李诚瞻庞磊刘新宇刘键; 机构中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室; 出处《电子器件》 CAS 2008年第6期1794-1796,共3页; 文摘利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.; 关键词 ALGAN/GANHEMT 内匹配功率合成功率放大器; Keywords A1GaN/GaN HEMTs internally match power combining power amplifier; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计	姚小江李宾陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻刘丹刘果果刘新宇王晓亮罗卫军	《电子器件》 CAS	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路	张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇	《电子器件》 CAS	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现	唐立田张海英黄清华李潇尹军舰	《电子器件》 CAS	2009	9	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计	曾轩陈晓娟刘果果袁婷婷陈中子张辉王亮李诚瞻庞磊刘新宇刘键	《电子器件》 CAS	2008	5	在线阅读下载PDF 职称材料