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集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制
被引量：
2
1
作者
杨胜
夏洋
+6 位作者
兰丽丽
陶晓俊
冯嘉恒
明帅强
卢维尔
屈芙蓉
刘涛
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第11期1096-1102,共7页
运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的...
运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的机械手结构,实现了样品在高真空(5×10^-5 Pa)中传输,而且传输速度快(2~3 s),有效地减少污染,保证样品表面物性的稳定。设备可在全真空的环境下,实现多层纳米薄膜的制备,同时可以对薄膜生长实现原子层精度的控制。设备的磁控溅射工艺平台可以安装金属掩膜板,直接制备图形薄膜。另外设备具有非常灵活的扩展性,针对薄膜工艺需求的不同,可以集成其他的薄膜制备工艺单元。
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关键词
原子层沉积
磁控溅射
薄膜制备
集束型设备
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职称材料
化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究
被引量：
1
2
作者
王延伟
卢维尔
+1 位作者
闫美菊
夏洋
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期1-5,共5页
本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的...
本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的CH4浓度便于单晶石墨烯的生长,压强的大小影响单晶的形貌,生长时间决定了单晶的尺寸。通过对预处理气体及流量、生长压强和时间等参数的调节,获得了0. 01~6 mm单晶石墨烯的可靠制备工艺。在常压101. 325 k Pa、铜基底经Ar和O2预处理、生长温度1 068℃、600 sccm H2和25 sccm CH4的气体条件下,制备出6 mm的单晶石墨烯。此外,本实验还对石墨烯制备过程中杂质颗粒的形成机理进行了研究,发现引入的杂质颗粒可能是基底Cu氧化后的结晶颗粒以及石英管在高温条件下硅的脱落。本研究所得不同尺寸单晶石墨烯的可靠制备方法为新型电子器件的发展提供了有力的支撑。
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关键词
化学气相沉积
单晶石墨烯
大尺寸
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职称材料
题名
集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制
被引量：
2
1
作者
杨胜
夏洋
兰丽丽
陶晓俊
冯嘉恒
明帅强
卢维尔
屈芙蓉
刘涛
机构
中国科学院微电子研究所仪器设备研发中心
中国科学院
大学
嘉兴科民
电子
设备
技术有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第11期1096-1102,共7页
文摘
运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的机械手结构,实现了样品在高真空(5×10^-5 Pa)中传输,而且传输速度快(2~3 s),有效地减少污染,保证样品表面物性的稳定。设备可在全真空的环境下,实现多层纳米薄膜的制备,同时可以对薄膜生长实现原子层精度的控制。设备的磁控溅射工艺平台可以安装金属掩膜板,直接制备图形薄膜。另外设备具有非常灵活的扩展性,针对薄膜工艺需求的不同,可以集成其他的薄膜制备工艺单元。
关键词
原子层沉积
磁控溅射
薄膜制备
集束型设备
Keywords
Atomic Layer Deposition
Magnetron Sputtering
Film Preparation
Cluster Tool
分类号
TN305.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究
被引量：
1
2
作者
王延伟
卢维尔
闫美菊
夏洋
机构
中国科学院微电子研究所仪器设备研发中心
北京交通大学理
学院
北京市
微电子
制备
仪器设备
工程技术
研究
中心
集成电路测试技术北京市重点实验室
中国科学院
大学
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金青年科学基金(61604175)
国家自然科学基金(61427901)~~
文摘
本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的CH4浓度便于单晶石墨烯的生长,压强的大小影响单晶的形貌,生长时间决定了单晶的尺寸。通过对预处理气体及流量、生长压强和时间等参数的调节,获得了0. 01~6 mm单晶石墨烯的可靠制备工艺。在常压101. 325 k Pa、铜基底经Ar和O2预处理、生长温度1 068℃、600 sccm H2和25 sccm CH4的气体条件下,制备出6 mm的单晶石墨烯。此外,本实验还对石墨烯制备过程中杂质颗粒的形成机理进行了研究,发现引入的杂质颗粒可能是基底Cu氧化后的结晶颗粒以及石英管在高温条件下硅的脱落。本研究所得不同尺寸单晶石墨烯的可靠制备方法为新型电子器件的发展提供了有力的支撑。
关键词
化学气相沉积
单晶石墨烯
大尺寸
Keywords
chemical vapor deposition
single crystal graphene
big sizes
分类号
O474.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制
杨胜
夏洋
兰丽丽
陶晓俊
冯嘉恒
明帅强
卢维尔
屈芙蓉
刘涛
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究
王延伟
卢维尔
闫美菊
夏洋
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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职称材料
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