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微电子封装热界面材料研究综述 被引量:5
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作者 杨宇军 李逵 +3 位作者 石钰林 焦斌斌 张志祥 匡乃亮 《微电子学与计算机》 2023年第1期64-74,共11页
随着半导体器件向着微型化、高度集成化及高功率密度方向发展,其发热量急剧增大,热失效已经成为阻碍微电子封装器件性能和寿命的首要问题.高性能的热管理材料能有效提高微电子封装内部元器件散热能力,其中封装结构散热路径上的热界面材... 随着半导体器件向着微型化、高度集成化及高功率密度方向发展,其发热量急剧增大,热失效已经成为阻碍微电子封装器件性能和寿命的首要问题.高性能的热管理材料能有效提高微电子封装内部元器件散热能力,其中封装结构散热路径上的热界面材料(Thermal Interface Material,TIM)便是热管理中至关重要的环节.通过热界面材料填充器件热源和散热单元之间的空隙,可以大幅度降低接触热阻,增加热量的传递效率.对微电子封装而言,高性能的热界面材料不仅需要高的导热系数以降低封装热阻,还需具备一定的压缩性以弥补封装的装配偏差,然而通常很难兼顾上述两种特性.本文重点关注微电子封装中热界面材料,系统地梳理了目前热界面材料的常见类型、应用存在问题、关注研究热点和国内外发展现状. 展开更多
关键词 微电子封装 热管理 热界面材料 导热系数 热阻
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反演光刻技术的研究进展
2
作者 艾飞 苏晓菁 韦亚一 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第1期22-34,共13页
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实... 反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。 展开更多
关键词 先进集成电路技术 反演光刻技术 光学临近效应修正 掩模优化 研究进展
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集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
3
作者 李博 王磊 +3 位作者 刘凡宇 陈思远 陆江 舒磊 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S02期512-526,共15页
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固... 随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。 展开更多
关键词 工艺加固 总剂量效应 单粒子效应 集成电路 功率器件
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片上集成FMCW激光雷达研究进展(封面文章·特邀) 被引量:1
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作者 朱精果 袁野 +2 位作者 姜成昊 刘宇 赵政伟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第8期1-17,共17页
随着硅基光电子集成技术快速发展,具有测距测速一体、探测精度高、抗干扰能力强的片上集成调频连续波(Frequency Modulated Continuous Wave,FMCW)激光雷达已成为研究热点,并在智能驾驶、航空航天、目标监测和公共安全等领域释放出越来... 随着硅基光电子集成技术快速发展,具有测距测速一体、探测精度高、抗干扰能力强的片上集成调频连续波(Frequency Modulated Continuous Wave,FMCW)激光雷达已成为研究热点,并在智能驾驶、航空航天、目标监测和公共安全等领域释放出越来越大的应用潜力。文中聚焦基于光学相控阵(Optical Phased Array,OPA)的片上集成FMCW激光雷达,介绍了系统工作原理及典型组成,针对国内外研究进展,概述分析了片上集成FMCW激光雷达的发展现状,同时从调频、发射、扫描、探测和处理等角度凝练了主要关键技术,并梳理了片上集成FMCW激光雷达在相关领域的应用前景和典型系统示例。最后,分析并展望了片上集成FMCW激光雷达面临的潜在挑战及发展趋势。 展开更多
关键词 激光雷达 调频连续波 光学相控阵 片上集成
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130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究
5
作者 肖舒颜 郭刚 +7 位作者 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期506-512,共7页
为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律... 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。 展开更多
关键词 总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器
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高算力Chiplet的热管理技术研究进展
6
作者 冯剑雨 陈钏 +2 位作者 曹立强 王启东 付融 《电子与封装》 2024年第10期31-46,共16页
随着集成电路尺寸微缩逼近物理极限以及受限于光罩面积,芯粒(Chiplet)技术将成为集成电路发展的关键路径之一,支撑人工智能和高性能计算不断发展。大尺寸、高算力Chiplet面临着热功耗高、热分布不均、热输运困难等挑战,Chiplet热管理已... 随着集成电路尺寸微缩逼近物理极限以及受限于光罩面积,芯粒(Chiplet)技术将成为集成电路发展的关键路径之一,支撑人工智能和高性能计算不断发展。大尺寸、高算力Chiplet面临着热功耗高、热分布不均、热输运困难等挑战,Chiplet热管理已成为后摩尔时代集成电路发展的重大挑战之一。综述了可用于Chiplet热管理的关键技术发展趋势和现状,包含微通道冷却、相变冷却、射流冷却、浸没式冷却、热界面材料(TIM)、热分布不均的解决办法、多物理场耦合的研究等,为推进大尺寸、高算力Chiplet热管理的实际应用提供参考。 展开更多
关键词 Chiplet热管理 微通道冷却 射流冷却 浸没式冷却 热界面材料 热分布不均
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热电堆式MEMS气体流量传感器设计及性能研究
7
作者 刘泽民 张琛琛 +1 位作者 毛海央 周娜 《舰船电子工程》 2024年第4期131-135,共5页
提出一种由微加热器和热电堆构成的热式MEMS气体流量传感器用以实现高灵敏、快响应且低功耗的气体流量检测。采用N/P型重掺杂多晶硅材料构造双层堆叠的热电堆结构,可以实现低热导和高塞贝克系数,具有更高的温度敏感性。实验测试表明,该... 提出一种由微加热器和热电堆构成的热式MEMS气体流量传感器用以实现高灵敏、快响应且低功耗的气体流量检测。采用N/P型重掺杂多晶硅材料构造双层堆叠的热电堆结构,可以实现低热导和高塞贝克系数,具有更高的温度敏感性。实验测试表明,该传感器件在0~1000 sccm的气流范围内灵敏度可达0.309 mV/sccm(58.22 mV/ms-1),响应时间仅约139 ms,其工作电压为2.56 V时,微加热器的加热功耗仅有34.9 mW。该器件的整体尺寸仅有1300 mm×1300 mm,有利于检测系统的小型化和集成化,在动力氢燃料电池、医疗辅助呼吸设备等流速流量检测场景中具有一定应用价值。 展开更多
关键词 热电堆 MEMS 双层堆叠结构 热式气体流量传感器
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DRAM研究现状与发展方向
8
作者 牛君怡 孙锴 《电子技术应用》 2024年第12期21-30,共10页
动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。... 动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。其次,详细介绍了DDR SDRAM的关键性能指标以及专用DRAM的发展。然后,介绍了提高DRAM访问速度、容量与密度的创新DRAM架构和技术,以及无电容存储单元结构、3D堆叠DRAM技术以及Rowhammer安全问题及其防御机制。最后,展望了DRAM技术的未来发展方向,阐述了为了应对日益增长的高速、低功耗和高可靠性的存储需求,对现有DRAM技术的进行深入研究和创新的重要性。 展开更多
关键词 DRAM 无电容存储单元 3D DRAM Rowhammer 2T0C DRAM
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硫醇吸附挥发性有机气体(VOCs)的气敏机理 被引量:1
9
作者 张海燕 李琦 +2 位作者 王梓臻 文豪 刘丹凤 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第3期35-44,共10页
化学电阻气体传感器对于空气质量、食品检测和人体呼吸有着重要作用.传感器上修饰物硫醇与待测的VOCs之间吸附的气敏机理分析是选择硫醇、预测吸附能力与特异性的重要手段.本文选取了11-巯基-1-十一醇(MUD)和4-甲氧基苄硫醇(MTT)两种常... 化学电阻气体传感器对于空气质量、食品检测和人体呼吸有着重要作用.传感器上修饰物硫醇与待测的VOCs之间吸附的气敏机理分析是选择硫醇、预测吸附能力与特异性的重要手段.本文选取了11-巯基-1-十一醇(MUD)和4-甲氧基苄硫醇(MTT)两种常见的硫醇与六种典型的VOCs(乙醇ETN、异丙醇IPA、丙酮ACN、正己烷HXN、甲苯TLN、苯甲醛BND),基于密度泛函理论(DFT),计算其表面静电势(ESP)并建立气体吸附模型.在气体吸附模型的基础上计算其吸附能,并分析其弱相互作用,从微观角度解释气体吸附的作用机理.实验结果表明,具有羟基的MUD分子对同样有羟基的气体(如ETN、IPA)能够以氢键的方式吸附,具有较强的选择效果;具有苯环的MTT分子与具有苯环结构的气体分子(如TLN、BND)吸附时会在苯环之间形成π-π堆积,基于色散作用进行吸附,这表明MTT分子对具有苯环结构的气体有着较强的吸附作用.研究发现其色散作用吸附的强弱与分子的表面ESP绝对值有关.本文对于传感器表面修饰物吸附气体的气敏机理进行了探究,并对表面修饰物的选择和实验结果预测提供了理论指导. 展开更多
关键词 硫醇 VOCS DFT 表面静电势 气体吸附模型 弱相互作用分析
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基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器
10
作者 周静涛 金智 +5 位作者 苏永波 史敬元 丁武昌 张大勇 杨枫 刘桐 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期40-43,共4页
InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件... InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件,器件的截止频率为9.5THz。基于新型结构的InP/InGaAs肖特基器件技术,研制了220~330GHz、30~500GHz、400~600 GHz和500~750 GHz等多频段的太赫兹探测器模块。其中220~330 GHz频段太赫兹检测器模块与美国VDI公司的同频段检测器模块相比,检测灵敏度等指标相近。该器件在太赫兹安检成像应用中具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 太赫兹检测器 肖特基二极管(SBDs) T型结 无衬底单台面
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惯性系统中加速度计标定方法研究 被引量:24
11
作者 陈剑 孙金海 +1 位作者 李金海 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第8期130-133,共4页
在惯性导航系统中,传统的加速度计标定方法有些对转台依赖性比较高,对转台无依赖性的方法精度又比较低.对此,提出一种无需转台的加速度计高精度标定方法.该方法只需要采集十二个位置的静态加速度计输出数据,即可对加速度计零偏、标度因... 在惯性导航系统中,传统的加速度计标定方法有些对转台依赖性比较高,对转台无依赖性的方法精度又比较低.对此,提出一种无需转台的加速度计高精度标定方法.该方法只需要采集十二个位置的静态加速度计输出数据,即可对加速度计零偏、标度因数、安装误差等系数进行高精度标定.实验结果证明,该方法与传统无转台加速度计标定方法相比,具有更高的精度. 展开更多
关键词 加速度计 标定 惯性导航系统 微机电系统
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电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用 被引量:8
12
作者 陈宝钦 赵珉 +8 位作者 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 徐秋霞 谢常青 刘明 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期683-688,共6页
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电... 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。 展开更多
关键词 电子束光刻 电子束直写 电子束邻近效应校正 纳米制造 纳米器件 纳米结构
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图形化蓝宝石衬底工艺研究进展 被引量:10
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作者 黄成强 夏洋 +6 位作者 陈波 李超波 万军 汪明刚 饶志鹏 李楠 张祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期497-503,581,共8页
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底... 图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 光刻 纳米压印 刻蚀
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增加副瓣抑制机制的阵列天线波束赋形遗传算法研究 被引量:9
14
作者 郑占旗 阎跃鹏 +3 位作者 张立军 王宇灏 张金玲 慕福奇 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期690-696,共7页
基于遗传算法的激励优化算法是求解阵列天线波束赋形问题时常用的激励求解算法。传统遗传算法在优化阵列天线激励时,对阵元天线方向图矢量叠加获得阵列天线合成方向图后,与目标方向图做相似度判断,经过多次运算获得满足设计要求的激励... 基于遗传算法的激励优化算法是求解阵列天线波束赋形问题时常用的激励求解算法。传统遗传算法在优化阵列天线激励时,对阵元天线方向图矢量叠加获得阵列天线合成方向图后,与目标方向图做相似度判断,经过多次运算获得满足设计要求的激励值。然而算法中通常不关注赋形结果的副瓣抑制,导致阵列天线波束赋形结果副瓣抑制效果不理想。该文提出一种基于一组低副瓣波束线性叠加的波束合成机制,将合成方向图与目标方向图做相似对比,结合遗传算法的优化求解方法,最终获得与目标方向图匹配的合成方向图,且合成方向图具有高副瓣抑制的特性。以一款16阵元X波段微带偶极子线性阵列天线为例,该文提出的具有副瓣抑制机制的遗传算法求得的赋形波束获得了-27.5 dBc的副瓣抑制效果,远远好于传统遗传算法求得的赋形波束-19 dBc的副瓣抑制。 展开更多
关键词 阵列天线 遗传算法 副瓣抑制
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Ru_2Si_3在应力作用下的第一性原理研究 被引量:6
15
作者 崔冬萌 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期907-912,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。 展开更多
关键词 Ru2Si3 第一性原理 应力 电子结构
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SOI动态阈值MOS研究进展 被引量:7
16
作者 毕津顺 海潮和 韩郑生 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期551-555,558,共6页
随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS... 随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS、双栅DTMOS和栅体肖特基接触DTMOS的工作原理和性能,具体分析了优化器件性能的五种方案,探讨了SOIDTMOS存在的优势和不足。最后指出,具有出色性能的SOIDTMOS必将在未来的移动通讯和SOC等低压低功耗电路中占有一席之地。 展开更多
关键词 SOI 低压低功耗 DTMOS 超大规模集成电路
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InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展 被引量:4
17
作者 金智 苏永波 +5 位作者 张毕禅 丁芃 汪丽丹 周静涛 杨成樾 刘新宇 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第1期43-49,共7页
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系... 随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。 展开更多
关键词 太赫兹 InP基晶体管 固态电子器件 太赫兹单片集成电路
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中国散裂中子源准直控制网数据处理方法 被引量:6
18
作者 王铜 董岚 +11 位作者 梁静 马娜 柯志勇 何振强 罗涛 门玲鸰 闫路平 韩圆颖 卢尚 张露彦 闫皓月 刘晓阳 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期102-106,共5页
以中国散裂中子源CSNS的直线加速器控制网为例,对其数据处理方法进行研究,采用平面与高程二维平差以及三维定向平差两种方式对准直控制网进行处理分析。同时,为了使准直数据处理更加简易便利,提出利用激光跟踪仪的测量软件SA实现三维定... 以中国散裂中子源CSNS的直线加速器控制网为例,对其数据处理方法进行研究,采用平面与高程二维平差以及三维定向平差两种方式对准直控制网进行处理分析。同时,为了使准直数据处理更加简易便利,提出利用激光跟踪仪的测量软件SA实现三维定向平差的方法。通过不同软件及不同数据处理方法的对比,验证准直控制网数据处理的正确性,最终200 m长直线控制网点位精度优于0.2 mm,这为准直控制网的数据处理提供了指导。 展开更多
关键词 粒子加速器准直 激光跟踪仪 控制网 平差处理 精度分析
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硅基液晶像素电路的研究 被引量:3
19
作者 黄苒 杜寰 +2 位作者 王文博 王晓慧 韩郑生 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期742-745,共4页
分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电。电路经过Hs... 分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电。电路经过Hspice仿真,对结果进行分析表明,其功能及特性符合设计要求,像素电容电荷保持率达到99%。电路具有结构简单,占用芯片面积小,像素电容电荷保持率高等优点,适合高亮度、高分辨率微显示器件的设计与制造。 展开更多
关键词 硅基液晶 场缓存 像素电路
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TSV封装中阻抗不连续差分互连结构宽频寄生参数建模研究 被引量:3
20
作者 孟真 刘谋 +2 位作者 张兴成 郭希涛 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第8期6-11,16,共7页
为了研究TSV封装内除差分对硅通孔外在硅基片的层间和层下存在的微凸点、平面互连线、倒装焊球等互连结构对差分信号传输特性的影响,提出了一种改进型的适用于描述TSV封装内"串连型差分互连阻抗"的差分对硅通孔结构的RLCG电... 为了研究TSV封装内除差分对硅通孔外在硅基片的层间和层下存在的微凸点、平面互连线、倒装焊球等互连结构对差分信号传输特性的影响,提出了一种改进型的适用于描述TSV封装内"串连型差分互连阻抗"的差分对硅通孔结构的RLCG电路模型,进而提出了一种采用"阻抗不连续系数"来描述串行连接的微凸点、平面互连线、倒装焊球等结构的"串连式阻抗不连续结构"RLCG电路模型.在此基础之上,采用HFSS三维全波仿真方法对TSV封装中的硅通孔、微凸点、平面互连线、倒装焊球等差分对互连结构的各种串行连接方式进行了三维电磁场建模和分析.将RLCG模型的差模正向传输系数与HFSS模型的分析结果进行了对比,对比结果证明在0.1~30GHz特别是3~25GHz宽频段内本文提出的上述2种RLCG电路模型能够较为准确的描述出差分互连结构的差模信号宽频传输特性. 展开更多
关键词 TSV封装 差分对Tsv结构 串连型差分互连阻抗 串连式阻抗不连续结构 阻抗不连续系数 RLCG电路模型 HFSS模型
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