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应用微波技术抑制光刻胶图形的坍塌与黏连 被引量:3
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作者 于明岩 施云波 +4 位作者 赵士瑞 郭晓龙 徐昕伟 景玉鹏 陈宝钦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期149-156,共8页
针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光... 针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光子能量迅速蒸发,从而有效地抑制光刻胶图形的坍塌与黏连现象。利用提出的基于微波加热的干燥方法,成功获取了高260nm、宽16nm的光刻胶线条组和直径为20nm的光刻胶柱形阵列,其中高高宽比线条组和由15 625根柱子组成的柱形阵列结构没有出现坍塌及黏连情况,验证了在微波产生的交变电场作用下,可以减小水分子团簇,降低水的表面张力。 展开更多
关键词 电子束光刻 光刻胶图形 坍塌 黏连 高宽比 微波加热
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ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究 被引量:1
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作者 孙小孟 李勇滔 +5 位作者 夏洋 李超波 李英杰 陈盛云 赵章琰 秦威 《现代电子技术》 2012年第3期202-203,206,共3页
阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹... 阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹配器和控制方法可实现阻抗匹配。 展开更多
关键词 射频阻抗匹配器 阻抗匹配网络 ALD ADS
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等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
3
作者 汪明刚 刘杰 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该... 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压源 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形
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Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究 被引量:1
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作者 江忠永 丛宏林 +4 位作者 徐小明 包琦龙 张昊翔 罗军 赵超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期292-296,共5页
介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN... 介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 氮化铝 预铺铝 硅衬底 生长模型
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利用伪随机斩波技术的微弱MEMS信号检测电路
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作者 何鑫 王玮冰 +2 位作者 祖秋艳 宋冬雪 孙业超 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第2期87-89,共3页
作为一种提高信号增益和降低电路噪声失调的技术手段,斩波放大技术能够比较理想地降低失调和噪声,但是在调制解调过程中,由于开关尖峰和电荷注入效应的影响,调制频率附近的纹波即残余失调和残余的波动幅度仍然造成干扰。为了进一步减小... 作为一种提高信号增益和降低电路噪声失调的技术手段,斩波放大技术能够比较理想地降低失调和噪声,但是在调制解调过程中,由于开关尖峰和电荷注入效应的影响,调制频率附近的纹波即残余失调和残余的波动幅度仍然造成干扰。为了进一步减小这种失调的影响,提出伪随机斩波技术,利用伪随机信号的相关性可以将周围环境噪声降低,尤其是残余失调的干扰,因此伪随机斩波技术不仅可以将1/f噪声和运放失调降低,还可以有助于减小残余失调。利用上述方法的检测方法经过设计,电路具有120 nV/Hz的输入噪声,闭环增益40 dB,残余失调和1/f噪声降低到理想效果。 展开更多
关键词 斩波放大 伪随机频率 残余失调 MEMS
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液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能 被引量:2
6
作者 刘邦武 钟思华 +2 位作者 何静 夏洋 李超波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1264-1267,共4页
采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和... 采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。 展开更多
关键词 液相沉积 二氧化硅薄膜 钝化
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一种基于无线传感器网络的车间多参数监测系统 被引量:3
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作者 许家栋 张斌珍 +2 位作者 王玮冰 殷亚飞 应俏东 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第10期96-98,109,共4页
针对现有监测系统存在的功能单一、灵活性不强等不足,基于无线传感器网络,以STM32F103微处理器为计算处理核心,设计了一种组网灵活的多参数车间状态监测系统。该系统能够对车间内的环境温度、湿度、气压和设备震动、运动、倾斜等参数进... 针对现有监测系统存在的功能单一、灵活性不强等不足,基于无线传感器网络,以STM32F103微处理器为计算处理核心,设计了一种组网灵活的多参数车间状态监测系统。该系统能够对车间内的环境温度、湿度、气压和设备震动、运动、倾斜等参数进行数据采集,并将数据无线发送给监测中心,实现远程实时监测。在实现功能的前提下,重点进行低功耗设计。测试结果表明:系统数据包传输率在90%以上,温度测量误差小于0.7℃,功耗低,能长时间稳定、准确地监测环境信息。 展开更多
关键词 无线传感器网络 多参数 数据采集 低功耗
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二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计 被引量:4
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作者 祖秋艳 王玮冰 +2 位作者 黄卓磊 何鑫 陈大鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第7期1680-1684,共5页
针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自... 针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路结构实现探测器输出信号的低噪声低失调放大,采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响,并采用片内电容采样保持,使得I/O引脚数较少,从而减小版图面积。采用spectre工具进行仿真,在CSMC 0.5μm 2P3M CMOS工艺下实现。结果表明:读出电路性能良好,闭环增益为65.8 dB,等效输入噪声谱密度为450 nV/Hz,等效输入失调电压100μV以内,功耗为5 mW,能实现探测器信号的准确读出。 展开更多
关键词 二极管非制冷红外探测器 自稳零技术 低噪声 低失调 读出电路
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