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SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文)
被引量：
5
1
作者
蒋文静
欧文
+2 位作者
明安杰
刘战锋
袁烽
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期218-221,共4页
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直...
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10^(-3)V/K,等效功率噪声(NETID)可减小至43 mK(F/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性.
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关键词
绝缘衬底上的硅
二极管
填充系数
红外焦平面
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职称材料
题名
SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文)
被引量：
5
1
作者
蒋文静
欧文
明安杰
刘战锋
袁烽
机构
中国科学院微电子所、器件与集成技术重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期218-221,共4页
基金
supported by the Beijing Science and Technology Project(Z111104055311062)
Key Laboratory of Microelectronics Devices&Integrated Technology
文摘
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10^(-3)V/K,等效功率噪声(NETID)可减小至43 mK(F/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性.
关键词
绝缘衬底上的硅
二极管
填充系数
红外焦平面
Keywords
SOI, diode, fill-factor, infrared focal plane arrays （IR FPA）
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文)
蒋文静
欧文
明安杰
刘战锋
袁烽
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
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