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Si纳米线的生长机制及其研究进展
被引量：
2
1
作者
彭英才
X.W.Zhao
+1 位作者
范志东
白振华
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期429-436,共8页
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评...
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评论了近5年来Si纳米线在制备与合成技术方面所取得的一些最新进展。其主要内容包括Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长,最后指出了今后该研究的发展方向。
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关键词
SI纳米线
气-液-固生长
金属催化生长
氧化物辅助生长
光电器件应用
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职称材料
气相法制备ZnO纳米线及其阵列的生长机制
被引量：
2
2
作者
彭英才
X. W. Zhao
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期450-455,共6页
半导体纳米线和纳米棒及其阵列是具有强量子限制效应的一维纳米结构,它们所具有的新颖光学、电学、磁学和力学性质,使其在发光器件、场效应器件、存储器件和传感器件及其集成技术中具有潜在的应用。本文以生长机制为主线,简要介绍了气相...
半导体纳米线和纳米棒及其阵列是具有强量子限制效应的一维纳米结构,它们所具有的新颖光学、电学、磁学和力学性质,使其在发光器件、场效应器件、存储器件和传感器件及其集成技术中具有潜在的应用。本文以生长机制为主线,简要介绍了气相法,即采用金属催化剂的气-液-固（VLS）法和不采用金属催化剂的气-固（VS）法,在ZnO纳米线及其阵列结构制备中的应用,评论了近3~5年内它们在这一领域研究中取得的研究进展。讨论了目前存在的问题,并预测了今后的发展趋势。
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关键词
ZNO纳米线
气-液-固法
气-固法
生长机制
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职称材料
题名
Si纳米线的生长机制及其研究进展
被引量：
2
1
作者
彭英才
X.W.Zhao
范志东
白振华
机构
河北大学
电子
信息工程
学院
中国科学院
半导体
研究所
半导体
材料
科学
重点
实验室
Department of Physics
中国科学院微电子学研究所纳米材料与纳米器件实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期429-436,共8页
文摘
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评论了近5年来Si纳米线在制备与合成技术方面所取得的一些最新进展。其主要内容包括Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长,最后指出了今后该研究的发展方向。
关键词
SI纳米线
气-液-固生长
金属催化生长
氧化物辅助生长
光电器件应用
Keywords
Silicon nanowires
Vapor-liquid-solid growth
Metal-catalytic growth
Oxide-assisted growth
Optoelec-tronic device applications
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
气相法制备ZnO纳米线及其阵列的生长机制
被引量：
2
2
作者
彭英才
X. W. Zhao
机构
河北大学
电子
信息工程
学院
中国科学院
半导体
研究所
半导体
材料
科学
重点
实验室
Department of Physics
中国科学院微电子学研究所纳米材料与纳米器件实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期450-455,共6页
基金
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室项目(KLSMS04-9,KSLMS05-3)
文摘
半导体纳米线和纳米棒及其阵列是具有强量子限制效应的一维纳米结构,它们所具有的新颖光学、电学、磁学和力学性质,使其在发光器件、场效应器件、存储器件和传感器件及其集成技术中具有潜在的应用。本文以生长机制为主线,简要介绍了气相法,即采用金属催化剂的气-液-固（VLS）法和不采用金属催化剂的气-固（VS）法,在ZnO纳米线及其阵列结构制备中的应用,评论了近3~5年内它们在这一领域研究中取得的研究进展。讨论了目前存在的问题,并预测了今后的发展趋势。
关键词
ZNO纳米线
气-液-固法
气-固法
生长机制
Keywords
ZnO nanowires
vapor-liquid-solid method
vapor-solid method
growth mechanism
分类号
O484 [理学—固体物理]
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1
Si纳米线的生长机制及其研究进展
彭英才
X.W.Zhao
范志东
白振华
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
2
气相法制备ZnO纳米线及其阵列的生长机制
彭英才
X. W. Zhao
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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