二极管原理非制冷红外焦平面阵列的集成设计 被引量：7

1

作者 王玮冰 陈大鹏 +2 位作者 明安杰 欧文 刘战峰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第6期997-1000,共4页

面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展。焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点。基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺... 面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展。焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点。基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺实现大规模阵列集成方面有很大的优势。读出电路是基于标准CMOS工艺进行设计的。320×240规模的焦平面阵列利用CMOS标准工艺和MEMS工艺集成已经得到了结构实验结果。研究并测得二极管像元的正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K。分析和实验证明了二极管原理非制冷红外焦平面阵列的设计和工艺可行性,是一项可以低成本广泛应用的红外成像技术。 展开更多

关键词 焦平面阵列 红外成像 非制冷 二极管 工艺集成

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应用微波技术抑制光刻胶图形的坍塌与黏连 被引量：3

2

作者 于明岩 施云波 +4 位作者 赵士瑞 郭晓龙 徐昕伟 景玉鹏 陈宝钦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期149-156,共8页

针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光... 针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光子能量迅速蒸发,从而有效地抑制光刻胶图形的坍塌与黏连现象。利用提出的基于微波加热的干燥方法,成功获取了高260nm、宽16nm的光刻胶线条组和直径为20nm的光刻胶柱形阵列,其中高高宽比线条组和由15 625根柱子组成的柱形阵列结构没有出现坍塌及黏连情况,验证了在微波产生的交变电场作用下,可以减小水分子团簇,降低水的表面张力。 展开更多

关键词 电子束光刻 光刻胶图形 坍塌 黏连 高宽比 微波加热

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基于频率补偿的窄脉冲量子级联激光器快速驱动技术 被引量：3

3

作者 余兆安 姚志宏 +2 位作者 梁圣法 张锦川 吕铁良 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第2期104-109,共6页

脉冲量子级联激光器（QCL）因自热效应会导致谱线展宽，故需极短的电流脉冲驱动。理论极限线宽所需的脉宽为5—15ns，但由于环路寄生参数的影响，窄脉冲会引起信号过冲或振荡，因此目前商用的QCL驱动器无法满足这个要求。为获得更理想... 脉冲量子级联激光器（QCL）因自热效应会导致谱线展宽，故需极短的电流脉冲驱动。理论极限线宽所需的脉宽为5—15ns，但由于环路寄生参数的影响，窄脉冲会引起信号过冲或振荡，因此目前商用的QCL驱动器无法满足这个要求。为获得更理想的激光器线宽，在常规脉冲恒流电路的基础上，采用频率补偿的方法来消除过冲和振荡，并设计了一款稳定的纳秒级激光器驱动电路。实验结果显示该驱动装置实现了峰值电流0～2A、脉宽8．4—200ns、上升时间〈4ns、过冲〈1％的脉冲电流输出。使用中国科学院半导体研究所研制的波长4．6μm激光器和傅里叶变换光谱仪进行测试，当驱动脉宽由100ns减小到10ns时，激光器线宽由0．35cm。线性递减到0．12cm-1。综合验证表明，所设计的驱动装置实现了稳定的窄脉冲电流输出，尤其适用于量子级联激光器的窄线宽驱动及应用。 展开更多

关键词 量子级联激光器 线宽 脉冲驱动电路 LED驱动

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载人航天微型磁等离子体辐射防护地面实验

4

作者 贾向红 许峰 +2 位作者 贾少霞 万军 王守国 《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期311-315,321,共6页

星际飞行中的辐射主动防护问题一直是人们研究的焦点,低地轨道飞行中采用的质量厚度屏蔽已经不能满足要求,必须寻找新的空间辐射主动防护技术和方法。在电场、磁场、等离子体膨胀等众多新的主动防护方法中,选取了等离子体膨胀辐射防护... 星际飞行中的辐射主动防护问题一直是人们研究的焦点,低地轨道飞行中采用的质量厚度屏蔽已经不能满足要求,必须寻找新的空间辐射主动防护技术和方法。在电场、磁场、等离子体膨胀等众多新的主动防护方法中,选取了等离子体膨胀辐射防护技术作为研究对象;通过注入高能等离子体使磁场膨胀,从而使空间带电粒子偏转以减少空间辐射对飞行器及航天员的辐射损伤。通过原理性实验,证明了在真空状态下,等离子体的注入可以引起周围磁场发生变化,且同一个点的磁感强度随着射频电源输入功率的增大而增大。其机理还有待进一步的研究。 展开更多

关键词 空间辐射 载人航天 微型磁等离子体 主动防护

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利用伪随机斩波技术的微弱MEMS信号检测电路

5

作者 何鑫 王玮冰 +2 位作者 祖秋艳 宋冬雪 孙业超 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第2期87-89,共3页

作为一种提高信号增益和降低电路噪声失调的技术手段,斩波放大技术能够比较理想地降低失调和噪声,但是在调制解调过程中,由于开关尖峰和电荷注入效应的影响,调制频率附近的纹波即残余失调和残余的波动幅度仍然造成干扰。为了进一步减小... 作为一种提高信号增益和降低电路噪声失调的技术手段,斩波放大技术能够比较理想地降低失调和噪声,但是在调制解调过程中,由于开关尖峰和电荷注入效应的影响,调制频率附近的纹波即残余失调和残余的波动幅度仍然造成干扰。为了进一步减小这种失调的影响,提出伪随机斩波技术,利用伪随机信号的相关性可以将周围环境噪声降低,尤其是残余失调的干扰,因此伪随机斩波技术不仅可以将1/f噪声和运放失调降低,还可以有助于减小残余失调。利用上述方法的检测方法经过设计,电路具有120 nV/Hz的输入噪声,闭环增益40 dB,残余失调和1/f噪声降低到理想效果。 展开更多

关键词 斩波放大 伪随机频率 残余失调 MEMS

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原子层沉积技术生长单质钨薄膜

6

作者 王浙加 冯嘉恒 +2 位作者 夏洋 明帅强 屈芙蓉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期699-703,共5页

采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和... 采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析。结果表明,热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200~250℃,生长的薄膜呈多晶态,由较小粒径的颗粒组成,具有(210)晶面择优取向。XPS测试表明薄膜中W 4f、W 4f及W 5p_(3/2)的特征峰分别位于31.5~31.6、33.5~33.7及36.9~37.1 eV结合能位置处,主要含有W、C、O等元素。生长的单质钨薄膜为β相钨,电阻率为1.6×10^(-4)~3.0×10^(-4)Ω·cm。 展开更多

关键词 原子层沉积(ALD) 钨 电阻率 多晶薄膜 Β相

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用于空间辐射主动防护的等离子体发生器设计 被引量：3

7

作者 贾向红 许峰 +2 位作者 万军 贾少霞 王守国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期481-484,共4页

等离子引发磁膨胀技术被美国航空航天局推荐为最有工程应用价值的空间辐射主动防护技术。在该技术中,高密度等离子体发生器的设计是其中的关键技术之一。本文设计了一种高密度螺旋波等离子体发生器,采用13.56 MHz射频源激发等离子体天线... 等离子引发磁膨胀技术被美国航空航天局推荐为最有工程应用价值的空间辐射主动防护技术。在该技术中,高密度等离子体发生器的设计是其中的关键技术之一。本文设计了一种高密度螺旋波等离子体发生器,采用13.56 MHz射频源激发等离子体天线,并将该等离子发生器偏心放置在表面磁感应强度为0.1 T的柱状永久磁铁内,以氩气为工作气体进行了真空舱磁膨胀实验。利用朗缪尔探针,对发生器产生的等离子体密度及温度随输入功率的变化进行了测量,该发生器成功地引发了磁铁磁场膨胀。 展开更多

关键词 螺旋波 空间辐射 主动防护 等离子体发生器

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液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能 被引量：2

8

作者 刘邦武 钟思华 +2 位作者 何静 夏洋 李超波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1264-1267,共4页

采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和... 采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。 展开更多

关键词 液相沉积 二氧化硅薄膜 钝化

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多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究 被引量：2

9

作者 沈泽南 刘邦武 +4 位作者 夏洋 刘杰 李超波 刘金虎 钟思华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期729-733,共5页

利用等离子体浸没离子注入技术（PⅢ）成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜（AFM）观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度，黑硅材料表面呈小山峰结构，表面粗糙度约为50nm。利用紫外．可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率，... 利用等离子体浸没离子注入技术（PⅢ）成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜（AFM）观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度，黑硅材料表面呈小山峰结构，表面粗糙度约为50nm。利用紫外．可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率，结果表明黑硅材料在300—1100nm的平均反射率为7．9％，远低于酸制绒硅片反射率。利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件，其光电转换效率可达15．88％，开路电压为605mV，短路电流密度为33．7mA／cm2。最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 黑硅 太阳电池

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一种基于无线传感器网络的车间多参数监测系统 被引量：3

10

作者 许家栋 张斌珍 +2 位作者 王玮冰 殷亚飞 应俏东 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第10期96-98,109,共4页

针对现有监测系统存在的功能单一、灵活性不强等不足,基于无线传感器网络,以STM32F103微处理器为计算处理核心,设计了一种组网灵活的多参数车间状态监测系统。该系统能够对车间内的环境温度、湿度、气压和设备震动、运动、倾斜等参数进... 针对现有监测系统存在的功能单一、灵活性不强等不足,基于无线传感器网络,以STM32F103微处理器为计算处理核心,设计了一种组网灵活的多参数车间状态监测系统。该系统能够对车间内的环境温度、湿度、气压和设备震动、运动、倾斜等参数进行数据采集,并将数据无线发送给监测中心,实现远程实时监测。在实现功能的前提下,重点进行低功耗设计。测试结果表明:系统数据包传输率在90%以上,温度测量误差小于0.7℃,功耗低,能长时间稳定、准确地监测环境信息。 展开更多

关键词 无线传感器网络 多参数 数据采集 低功耗

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基于参数化模型的FPGA时钟网络设计和优化 被引量：1

11

作者 余乐 陈岩 +4 位作者 李洋洋 吴超 王瑶 苏童 谢元禄 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1686-1694,共9页

本文在FPGA时钟网络(Clock Distributed Network,CDN)关键结构尺寸的参数化建模基础上,提出一种针对全定制FPGA CDN的设计和优化方法.本文所建立的参数化模型将结构尺寸分为拓扑结构和电路与互连两类,分别给出了这两类尺寸参数的设计原... 本文在FPGA时钟网络(Clock Distributed Network,CDN)关键结构尺寸的参数化建模基础上,提出一种针对全定制FPGA CDN的设计和优化方法.本文所建立的参数化模型将结构尺寸分为拓扑结构和电路与互连两类,分别给出了这两类尺寸参数的设计原则.在标准CMOS 0.13μm工艺下,对H树型、鱼骨型以及混合型三种类型时钟网络设计了2组结构参数,分别代表优化前和优化后,对比分析延时、偏斜、功耗和面积等性能参数.实验结果显示:混合型结构在绝对延时和时钟偏斜上减小最多,分别达到20.89%和63.20%;鱼骨型结构的面积减小达到50.14%;H树型结构的绝对延时和功耗则均降低了7.37%和8.33%.以上结果充分证明了本文所提设计优化方法的有效性. 展开更多

关键词 FPGA 时钟网络 参数化 建模

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ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究 被引量：1

12

作者 孙小孟 李勇滔 +5 位作者 夏洋 李超波 李英杰 陈盛云 赵章琰 秦威 《现代电子技术》 2012年第3期202-203,206,共3页

阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹... 阐述原子层沉积系统(ALD)中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹配器和控制方法可实现阻抗匹配。 展开更多

关键词 射频阻抗匹配器 阻抗匹配网络 ALD ADS

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等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

13

作者 汪明刚 刘杰 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该... 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压源 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形

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一种新型隧穿场效应晶体管

14

作者 卜建辉 许高博 +4 位作者 李多力 蔡小五 王林飞 韩郑生 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期185-188,共4页

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件... 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(BTBT) 双极效应

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二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计 被引量：4

15

作者 祖秋艳 王玮冰 +2 位作者 黄卓磊 何鑫 陈大鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第7期1680-1684,共5页

针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自... 针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路结构实现探测器输出信号的低噪声低失调放大,采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响,并采用片内电容采样保持,使得I/O引脚数较少,从而减小版图面积。采用spectre工具进行仿真,在CSMC 0.5μm 2P3M CMOS工艺下实现。结果表明:读出电路性能良好,闭环增益为65.8 dB,等效输入噪声谱密度为450 nV/Hz,等效输入失调电压100μV以内,功耗为5 mW,能实现探测器信号的准确读出。 展开更多

关键词 二极管非制冷红外探测器 自稳零技术 低噪声 低失调 读出电路

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焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进 被引量：3

16

作者 朱杰 麻芃 +2 位作者 白云 刘键 刘新宇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第7期377-380,共4页

在紫外成像系统中,紫外焦平面阵列的非均匀性是影响成像质量的重要因素。介绍了标准的神经网络算法对焦平面阵列非均匀性的校正,并针对标准的神经网络算法的收敛速度慢的缺点,提出了改进算法。通过matlab对算法进行仿真,结果表明BP神经... 在紫外成像系统中,紫外焦平面阵列的非均匀性是影响成像质量的重要因素。介绍了标准的神经网络算法对焦平面阵列非均匀性的校正,并针对标准的神经网络算法的收敛速度慢的缺点,提出了改进算法。通过matlab对算法进行仿真,结果表明BP神经网络(Back-Propagation Neural Network)算法对焦平面阵列的非均匀性有良好的校正效果,改进后的算法效率有了较大地提高。神经网络非均匀性校正算法可以广泛的运用于其他焦平面阵列的非均匀性的校正中。 展开更多

关键词 紫外焦平面阵列 非均匀性校正 神经网络

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Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究 被引量：1

17

作者 江忠永 丛宏林 +4 位作者 徐小明 包琦龙 张昊翔 罗军 赵超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期292-296,共5页

介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN... 介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积 氮化铝 预铺铝 硅衬底 生长模型

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基于LabVIEW的磁阻自动优化测量系统 被引量：3

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作者 吴东阳 姚志宏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第1期71-74,共4页

以功率电源、电磁铁、高分辨率特斯拉计、步进电机转动器、精密电流源与精准电压表为基础器件,基于LabVIEW,编写虚拟仪器程序,实时呈现曲线与数据,并与用户交互来控制实际仪器。实现了施加特定磁场、转动角度、控制精确电流、读取次微... 以功率电源、电磁铁、高分辨率特斯拉计、步进电机转动器、精密电流源与精准电压表为基础器件,基于LabVIEW,编写虚拟仪器程序,实时呈现曲线与数据,并与用户交互来控制实际仪器。实现了施加特定磁场、转动角度、控制精确电流、读取次微伏级电压等基础功能,并通过编程实现自动优化测试与数据处理。系统以自动优化分辨率为创新点,并且在编写程序时以模块化为导向,使得模块之间更容易实现增改与迁移。 展开更多

关键词 测试系统 磁阻 虚拟仪器 LABVIEW 自动优化

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