期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
用相移掩模光刻技术制作大相对孔径二元透镜的研究 被引量:1
1
作者 周静 黄婉云 陈宝钦 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第3期348-352,共5页
简述相移掩模的基本原理,提出了用相移掩模光刻技术制作大相对孔径的二元透镜的设想。通过数值模拟对相移掩模光刻技术做了探讨,给出了适合国内g-线光刻机的相移掩模的设计参数。
关键词 相移掩模 光刻 透镜 二元透镜 制造
在线阅读 下载PDF
离子探针分析中质量干扰离子计数测量方法的研究
2
作者 冶宏振 孙慧龄 +1 位作者 李金荣 游俊富 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期387-392,共6页
因离子探针在测量Si 中注入杂质的浓度分布时不能将被测二次离子计数n_i(x_,t)、各种干扰离子(质量干扰离子、边缘效应离子及再沉积效应离子等)计数n_(in)(x_i,t)及仪器噪声计数n_n(x_i,t)分开,实测二次离子计数N_i(x_i,t)是三者之和。... 因离子探针在测量Si 中注入杂质的浓度分布时不能将被测二次离子计数n_i(x_,t)、各种干扰离子(质量干扰离子、边缘效应离子及再沉积效应离子等)计数n_(in)(x_i,t)及仪器噪声计数n_n(x_i,t)分开,实测二次离子计数N_i(x_i,t)是三者之和。按N_i(x_i,t)算出的注入杂质浓度分布常具有严重的误差,甚至是假象,故测出各种干扰离子计数及n_n(x_i,t),并将其与n_i(x_i,t)分开是待解决的重要课题。本文提出了一个测量质量干扰离子计数和仪器噪声计数的分析方法,并依此首次测出了当对要测二次离子(11)~B^+检测时所遇到的质量干扰离子计数和仪器噪声计数的统计平均值(?)_m((11)~B^+,t)与(?)_n((11)~B^+,t)。实验发现两者皆与每道采集时间t 成正比。测出(?)_m((11)~B^+,t)与(?)_n((11)~B^+,t)为测量其它干扰离子计数创造了必要条件。文后对质量干扰离子的来源和组成作了说明。 展开更多
关键词 离子探针 干扰 离子 计数 测量
在线阅读 下载PDF
相移掩模方法及其一维数值模拟 被引量:1
3
作者 周静 龙品 +3 位作者 刘大禾 徐大雄 陈宝钦 梁俊厚 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第11期24-28,共5页
相移掩模方法是一种新的光刻技术,它可以提高现有光刻设备的分辨率,使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理,用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性,导出了一... 相移掩模方法是一种新的光刻技术,它可以提高现有光刻设备的分辨率,使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理,用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性,导出了一维成象的简化公式,对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。 展开更多
关键词 相移掩模 光刻 数值模拟 超大规模 集成电路
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部