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弯曲生长SiC纳米线的TEM表征被引量：1: 1; 作者张跃飞韩晓东 +4 位作者郑坤刘显强张泽郝雅娟郭向云《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期44-45,共2页; 关键词 Β-SIC TEM表征纳米线宽带半导体材料生长弯曲一维纳米材料集成电子器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

六方柱状SiC纳米线的TEM表征被引量：1: 2; 作者郑坤韩晓东 +4 位作者张跃飞刘显强张泽郝雅娟郭向云《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期55-56,共2页; 关键词纳米线 SIC TEM表征一维纳米材料集成电子器件柱状六方电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

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