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柔性阻变存储材料与器件研究进展 被引量:1
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作者 卢颖 陈威林 +1 位作者 高双 李润伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期146-154,共9页
物联网技术的飞速发展对柔性可穿戴电子设备提出了迫切需求,而作为电子设备不可或缺的部分,存储器势必也需要向柔性化的方向发展。阻变存储器具有高速、低功耗、非易失、结构简单、选材广泛等特性,被视为未来柔性存储器的重要候选器件... 物联网技术的飞速发展对柔性可穿戴电子设备提出了迫切需求,而作为电子设备不可或缺的部分,存储器势必也需要向柔性化的方向发展。阻变存储器具有高速、低功耗、非易失、结构简单、选材广泛等特性,被视为未来柔性存储器的重要候选器件之一。在应变条件下,阻变存储器的薄膜开裂无疑会导致器件性能失效。因此,近年来除研究应变对材料性质和器件性能的影响外,研究人员主要从选择合适的阻变材料和优化器件制备工艺方面不断尝试,取得了丰硕的成果,大幅提升了器件的柔韧性。为构建高性能的柔性阻变存储器,许多材料已被开发作为存储介质,包括无机、有机、有机-无机复合或杂化材料等。同时,金属、金属合金、碳/硅材料、氮化物、导电氧化物等已被尝试用作电极材料,聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)等也已被尝试用作柔性衬底。此外,器件的制备起初主要采用全气相法,条件相对苛刻,通常需要高真空甚至高温环境。近年来的研究工作将气相-液相混合甚至是全液相法引入到柔性阻变存储器的制备工艺中,初步实现了器件的简单、低温和快速制备。本文归纳了柔性阻变存储器的研究进展,分别对器件材料(存储介质、电极和衬底)和制备工艺及性能进行了全面介绍,分析了器件的失效机理,并对本领域当前存在的挑战与未来发展前景进行了讨论。 展开更多
关键词 柔性 阻变存储器 非易失性存储器 有机材料 有机-无机杂化材料
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有机和杂化阻变材料与器件 被引量:4
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作者 陈威林 高双 +3 位作者 伊晓辉 尚杰 刘钢 李润伟 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期434-447,共14页
阻变存储器具有功耗低、微缩性好、可大规模三维堆积、与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等诸多优势,可以满足高性能信息存储的关键要求。采用有机及杂化阻变材料作为存储介质构建器件,通过分子设计及合成策略不仅可实现器件的轻量... 阻变存储器具有功耗低、微缩性好、可大规模三维堆积、与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等诸多优势,可以满足高性能信息存储的关键要求。采用有机及杂化阻变材料作为存储介质构建器件,通过分子设计及合成策略不仅可实现器件的轻量化和柔性集成,还可以灵活地调控分子的电学特征以及器件的存储性能。本文全面综述了有机及杂化阻变材料与器件的最新进展,特别关注它们在电学性能调控和柔性存储性能方面的设计原则,并对有机及杂化阻变材料与柔性存储器件的当前挑战及未来发展前景进行了讨论。 展开更多
关键词 有机材料 有机-无机杂化材料 阻变 非易失性存储器 柔性
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电流参数对基波正交磁通门传感器灵敏度的影响 被引量:3
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作者 李强 武靖博 +3 位作者 李跃 曹妍 满其奎 林新华 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第6期105-108,共4页
为了研究激励电流参数对基波正交磁通门灵敏度的影响,利用钴基合金磁芯和单线圈构建基波正交磁通门。实验结果表明,增加激励电流振幅(Iac),会改善基波正交磁通门的灵敏度;然而,随着激励电流偏置(Idc)增加,基波正交磁通门灵敏度下降;激... 为了研究激励电流参数对基波正交磁通门灵敏度的影响,利用钴基合金磁芯和单线圈构建基波正交磁通门。实验结果表明,增加激励电流振幅(Iac),会改善基波正交磁通门的灵敏度;然而,随着激励电流偏置(Idc)增加,基波正交磁通门灵敏度下降;激励频率对灵敏度影响相对复杂。随着频率的增加,灵敏度呈现先增加后降低的趋势,存在一个最佳频率。该频率大小近似等于基波正交磁通门线圈等效LC电路的谐振频率(fo)。基于旋转磁化理论和等效电路模型对上述实验结果进行了分析。该项研究对优化传感器灵敏度,提高正交磁通门信噪比具有指导作用。 展开更多
关键词 正交磁通门 基波模式 激励电流参数 灵敏度
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Fe-Si-B-P-Mo 系高饱和磁感应强度非晶软磁合金 被引量:1
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作者 孙皓 王安定 +3 位作者 常春涛 门贺 王新敏 潘登 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期4061-4065,共5页
通过在 Fe-Si-B-P 合金体系中微合金化添加Mo 元素,并提高铁含量,成功制备了具有较强非晶形成能力和优异软磁性能的非晶软磁合金.研究发现, Mo 元素微合金化能有效提高合金的非晶形成能力,1%的 Mo 可以将该非晶合金体系的 Fe 含量极限... 通过在 Fe-Si-B-P 合金体系中微合金化添加Mo 元素,并提高铁含量,成功制备了具有较强非晶形成能力和优异软磁性能的非晶软磁合金.研究发现, Mo 元素微合金化能有效提高合金的非晶形成能力,1%的 Mo 可以将该非晶合金体系的 Fe 含量极限提高到84%以上,从而得到了饱和磁感应强度(Bs )高达1.63 T的非晶合金.其中 Fe80 Si4.75 B 9.5 P4.75Mo1非晶合金可以铸造形成非晶块体样品,临界直径达到1mm,饱和磁感应强度达到1.54 T,矫顽力为1.9 A/m.在整个成分范围内,该合金体系都具有1.9~5.1 A/m 的低矫顽力和高于传统 Fe-Si-B 合金的饱和磁感应强度(Bs ),具有较好的应用前景. 展开更多
关键词 非晶合金 非晶形成能力 软磁性能 高饱和磁感应强度
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