In P基材料具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等优点,是毫米波、太赫兹电路的理想材料。利用In P基材料实现了HBT、HEMT、SBD器件及毫米波、太赫兹电路。HBT、HEMT的fmax分别达到600 GHz和1.0 THz,SBD的截止频率达到9.5 THz。基于In P ...In P基材料具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等优点,是毫米波、太赫兹电路的理想材料。利用In P基材料实现了HBT、HEMT、SBD器件及毫米波、太赫兹电路。HBT、HEMT的fmax分别达到600 GHz和1.0 THz,SBD的截止频率达到9.5 THz。基于In P HBT工艺研制了W波段放大器、W波段宽带高功率VCO、160 GHz高功率谐波振荡器等多款电路;基于In P HEMT工艺研制了W波段宽带低噪声放大器、300 GHz放大器等电路;基于In P SBD工艺,研制了170~500GHz频段多款太赫兹倍频电路模块,以及220 GHz^750 GHz频段多款检波器模块。研究结果表明,In P基器件和电路性能优异,可广泛应用于安检成像、星载空间技术、导航制导、无线通信等领域。展开更多
