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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性
被引量：
3
1
作者
李金友
王海龙
+4 位作者
杨锦
曹春芳
赵旭熠
于文富
龚谦
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第8期971-976,共6页
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ...
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。
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关键词
量子阱激光器
InGaAs/GaAs/InGaP
低温
温度电压特性
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职称材料
题名
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性
被引量：
3
1
作者
李金友
王海龙
杨锦
曹春芳
赵旭熠
于文富
龚谦
机构
曲阜师范
大学
物理工程
学院
中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室
中国科学院
上海微系统与
信息
技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第8期971-976,共6页
基金
国家自然科学基金(61674096)
山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目。
文摘
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。
关键词
量子阱激光器
InGaAs/GaAs/InGaP
低温
温度电压特性
Keywords
quantum well laser
InGaAs/GaAs/InGaP
low temperature
voltage-temperature characteristics
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN365 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性
李金友
王海龙
杨锦
曹春芳
赵旭熠
于文富
龚谦
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
3
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