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瞬态电压抑制二极管的概述和展望
被引量：
16
1
作者
杨尊松
王立新
+2 位作者
肖超
陆江
李彬鸿
《电子设计工程》
2016年第24期108-112,共5页
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面...
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。
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关键词
瞬态电压抑制二极管
TVS
研究现状
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职称材料
题名
瞬态电压抑制二极管的概述和展望
被引量：
16
1
作者
杨尊松
王立新
肖超
陆江
李彬鸿
机构
中国科学院大学中国科学院微电子研究所中国科学院硅器件技术重点实验室
出处
《电子设计工程》
2016年第24期108-112,共5页
基金
国家自然科学基金(61404169
61404161)
文摘
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。
关键词
瞬态电压抑制二极管
TVS
研究现状
Keywords
transient voltage suppression diode
TVS
research status
development tendency
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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出处
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被引量
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1
瞬态电压抑制二极管的概述和展望
杨尊松
王立新
肖超
陆江
李彬鸿
《电子设计工程》
2016
16
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