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题名基于ZnO薄膜的高次谐波体声波谐振器的研究
被引量：4
- 1
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作者
朱明博
刘梦伟
汪承灏
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机构
中国科学院声学研究所声学微机电实验室
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出处
《应用声学》
CSCD
北大核心
2013年第3期212-216,共5页
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文摘
基于氧化锌(ZnO)作压电层和蓝宝石作基底的高次谐波体声波谐振器(HBAR),采用不同电极材料和溅射方法进行优化。优化选定镀铬-金/氧化锌/铬-金/蓝宝石结构。对制备的器件进行了测试分析,结果显示,具有多模谐振特性的HBAR器件在2.87 GHz Q值达到43000。根据一维Mason等效电路模型,HBAR器件还进行了理论仿真,结果表明理论结果与实测值基本一致。
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关键词
体声波谐振器
Q值
ZNO薄膜
Mason模型
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Keywords
Bulk acoustic wave resonator, Quality factor, ZnO film, Mason model
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分类号
TN64
[电子电信—电路与系统]
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题名薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器设计
被引量：5
- 2
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作者
汤亮
郝震宏
乔东海
汪承灏
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机构
中国科学院声学研究所声学微机电实验室
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出处
《声学技术》
CSCD
北大核心
2008年第2期145-149,共5页
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基金
国家自然科学基金(90607012)
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文摘
从Mason等效电路模型出发,研究了基于薄膜体声波谐振器的梯形结构射频滤波器的设计。以往的研究中都没有考虑到介质的声损耗,这样得到的滤波器频响中就未计入插入损耗的影响。采用射频网络方法对薄膜体声波谐振器建模,并在模型中加入了介质声损耗的影响,然后就基于薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器的传输响应、带宽、插入损耗、阻带抑制以及带内波纹情况进行了分析和讨论。
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关键词
滤波器
双工器
振荡器
射频微机电系统
薄膜体声波谐振器
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Keywords
filter
duplexer
oscillator
RF MEMS
FBAR
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
TN015
[电子电信—物理电子学]
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题名ZnO薄膜体声波谐振器性能分析和研制
被引量：2
- 3
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作者
汤亮
郝震宏
乔东海
汪承灏
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机构
中国科学院声学研究所声学微机电实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008年第4期387-389,413,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(90607012)
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文摘
采用射频网络法分析了ZnO薄膜体声波谐振器的谐振特性,并考虑了介质声损耗对品质因数Q值的影响。采用硅体刻蚀工艺在硅基片上制备了以ZnO薄膜为压电膜的薄膜体声波谐振器,并对器件的性能进行了测试。将实验与理论分析结果进行对比,发现实验器件的谐振频率与理论值一致,但器件Q值却比理论值低,进一步的分析揭示了实际器件Q值偏低的原因。
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关键词
滤波器
双工器
振荡器
射频微机电系统
薄膜体声波谐振器
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Keywords
filter
duplexer
oscillator
RF MEMS
FBAR
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
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题名薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析
被引量：2
- 4
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作者
汤亮
郝震宏
乔东海
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机构
中国科学院声学研究所微机电实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1911-1916,1919,共7页
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基金
国家自然科学基金资助课题(90607012)
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文摘
主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响进行了详细分析.结果表明,薄膜体声波谐振器谐振频率主要由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很大的.在制作高频FBAR器件(5GHz以上)时,采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适.
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关键词
薄膜体声波谐振器(FBAR)
Mason等效电路模型
微波振荡器
双工器
射频微机电系统
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Keywords
film bulk acoustic resonator （FBAR）
Mason equivalent circuit model
microwave oscillator
duplexer
RF-MEMS
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分类号
TN015
[电子电信—物理电子学]
TN454
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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