期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
声表面波射频标签的快速有限元/边界元分析
被引量:
1
1
作者
柯亚兵
李红浪
何世堂
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2013年第1期16-18,共3页
改进了漏波近似体波格林函数的快速有限元/边界元法,并应用该声表面波射频标签的分析。Peach提出漏波近似体波格林函数的理论但其方法需要经验公式计算漏波参数,该文提出了不需要经验公式的改进方法。该方法根据不同衰减的漏波在空间域...
改进了漏波近似体波格林函数的快速有限元/边界元法,并应用该声表面波射频标签的分析。Peach提出漏波近似体波格林函数的理论但其方法需要经验公式计算漏波参数,该文提出了不需要经验公式的改进方法。该方法根据不同衰减的漏波在空间域不同分布的原理,在空间域格林函数中区分出各漏波的贡献,然后采用数学拟合提取出漏波参数,最后以128°YX-LiNbO3基片为例计算证实了该方法的有效性。采用改进的快速有限元/边界元分析一种声表面波射频标签器件,仿真与实验吻合证明了该方法的精确性。
展开更多
关键词
声表面波器件
射频标签
有限元
边界元
体波
格林函数
在线阅读
下载PDF
职称材料
衬底和O_2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响
被引量:
1
2
作者
李俊红
汪承灏
徐联
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期79-82,共4页
采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察。结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率;ZnO薄膜的沉积...
采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察。结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率;ZnO薄膜的沉积速率和c轴择优度是由O2/Ar气体比例和衬底共同决定的;Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主,在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长;电阻率随O2/Ar气体比例的提高逐渐增加,Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的。
展开更多
关键词
ZNO
C轴取向
微观结构
电阻率
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
声表面波射频标签的快速有限元/边界元分析
被引量:
1
1
作者
柯亚兵
李红浪
何世堂
机构
中国科学院声学研究所声学微机电系统实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2013年第1期16-18,共3页
基金
国家自然基金资助项目(10834010,11174318,61071054)
文摘
改进了漏波近似体波格林函数的快速有限元/边界元法,并应用该声表面波射频标签的分析。Peach提出漏波近似体波格林函数的理论但其方法需要经验公式计算漏波参数,该文提出了不需要经验公式的改进方法。该方法根据不同衰减的漏波在空间域不同分布的原理,在空间域格林函数中区分出各漏波的贡献,然后采用数学拟合提取出漏波参数,最后以128°YX-LiNbO3基片为例计算证实了该方法的有效性。采用改进的快速有限元/边界元分析一种声表面波射频标签器件,仿真与实验吻合证明了该方法的精确性。
关键词
声表面波器件
射频标签
有限元
边界元
体波
格林函数
Keywords
surface acoustic wave devices
radio frequency identification
FEM/BEM
bulk wave
Green' s func-tion
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
衬底和O_2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响
被引量:
1
2
作者
李俊红
汪承灏
徐联
机构
中国科学院声学研究所声学微机电系统实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期79-82,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(90607003)
中国科学院知识创新工程资助项目(20002A01)
文摘
采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察。结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率;ZnO薄膜的沉积速率和c轴择优度是由O2/Ar气体比例和衬底共同决定的;Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主,在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长;电阻率随O2/Ar气体比例的提高逐渐增加,Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的。
关键词
ZNO
C轴取向
微观结构
电阻率
Keywords
ZnO
c-axis orientation
microstructure
resistivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
声表面波射频标签的快速有限元/边界元分析
柯亚兵
李红浪
何世堂
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
衬底和O_2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响
李俊红
汪承灏
徐联
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部