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油菜与诸葛菜的几种分子标记比较研究
被引量：
2
1
作者
吴沿友
王宝利
Paul W.J.Taylor
《中国油料作物学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期22-25,共4页
利用分子标记 (随机引物、简单重复序列、微卫星DNA重复序列、rDNA -ITS)比较研究了白菜型油菜与诸葛菜的亲缘关系。RAPD分析表明 ,诸葛菜与白菜型油菜PCR产物相似性只有 10 %左右 ;简单重复序列 (SSRs)标记中引物B .n .12A的PCR产物表...
利用分子标记 (随机引物、简单重复序列、微卫星DNA重复序列、rDNA -ITS)比较研究了白菜型油菜与诸葛菜的亲缘关系。RAPD分析表明 ,诸葛菜与白菜型油菜PCR产物相似性只有 10 %左右 ;简单重复序列 (SSRs)标记中引物B .n .12A的PCR产物表明诸葛菜与白菜型油菜有明显差异 ,诸葛菜没有扩增产物 ,白菜型油菜具有明显的扩增产物 ;引物ITS4-IT5的PCR产物也有明显的差异。这些结果说明白菜型油菜与诸葛菜的亲缘关系不是很近。结合其他学者的工作 ,讨论了甘蓝型油菜。
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关键词
白菜油菜
诸葛菜
分子标记
细胞融合-染色体组分割
亲缘关系
比较研究
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职称材料
氧化硅层厚度对Si/SiO_(2)界面电子态结构与光学性质的影响
被引量：
3
2
作者
王安琛
黄忠梅
+5 位作者
黄伟其
张茜
刘淳
王梓霖
王可
刘世荣
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期220-231,共12页
在氧化硅上生长纳米硅晶,保持氧化硅的直接带隙结构,降低其能带带隙,以用于发光和光伏。采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了块体α-方石英、薄膜α-方石英、Si/SiO_(2)界面的电子态结构和Si/SiO_(2)界面的光学性质。结果显示,其均...
在氧化硅上生长纳米硅晶,保持氧化硅的直接带隙结构,降低其能带带隙,以用于发光和光伏。采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了块体α-方石英、薄膜α-方石英、Si/SiO_(2)界面的电子态结构和Si/SiO_(2)界面的光学性质。结果显示,其均为直接带隙半导体,当薄膜α-方石英厚度和Si/SiO_(2)界面氧化硅层厚度逐渐减小时,能带带隙均逐渐变大,表现出明显的量子限制效应。光学性质计算结果表明:Si/SiO_(2)界面虚部介电峰和吸收峰的峰值随氧化硅层厚度降低而显著升高,且峰位向高能量方向蓝移。使用脉冲激光沉积制备了氧化硅上硅晶薄膜,测量了Si/SiO_(2)界面样品的PL光谱,在670 nm处存在一个强的发光峰,在波长超过830 nm后,Si/SiO_(2)界面样品的发光强度不断升高。因此,可以通过控制Si/SiO_(2)界面氧化硅层厚度有效地调控Si/SiO_(2)界面的电子态结构和光学性质,引进边缘电子态,调控其带隙进入1~2 eV区间,获取硅基发光材料。
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关键词
第一性原理
电子态结构
直接带隙
光致发光
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职称材料
题名
油菜与诸葛菜的几种分子标记比较研究
被引量：
2
1
作者
吴沿友
王宝利
Paul W.J.Taylor
机构
中国科学院地球化学研究所环境化学国家重点实验室
DepartmentofCropProduction
出处
《中国油料作物学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期22-25,共4页
基金
中国科学院与澳大利亚科学院合作项目
文摘
利用分子标记 (随机引物、简单重复序列、微卫星DNA重复序列、rDNA -ITS)比较研究了白菜型油菜与诸葛菜的亲缘关系。RAPD分析表明 ,诸葛菜与白菜型油菜PCR产物相似性只有 10 %左右 ;简单重复序列 (SSRs)标记中引物B .n .12A的PCR产物表明诸葛菜与白菜型油菜有明显差异 ,诸葛菜没有扩增产物 ,白菜型油菜具有明显的扩增产物 ;引物ITS4-IT5的PCR产物也有明显的差异。这些结果说明白菜型油菜与诸葛菜的亲缘关系不是很近。结合其他学者的工作 ,讨论了甘蓝型油菜。
关键词
白菜油菜
诸葛菜
分子标记
细胞融合-染色体组分割
亲缘关系
比较研究
Keywords
Brassica campestris
Orychophragmus violaceus
Molecular markers
Cell mixis-chromosomes set fractionation
分类号
S565.4 [农业科学—作物学]
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职称材料
题名
氧化硅层厚度对Si/SiO_(2)界面电子态结构与光学性质的影响
被引量：
3
2
作者
王安琛
黄忠梅
黄伟其
张茜
刘淳
王梓霖
王可
刘世荣
机构
贵州大学材料与冶金
学院
纳米光子物理
研究所
海南师范大学物理与电子工程
学院
中国科学院地球化学研究所环境化学国家重点实验室
复旦大学表面物理
国家
重点
实验室
微纳光子结构教育部
重点
实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期220-231,共12页
基金
国家自然科学基金(No.11847084)
贵州省科技计划(Nos.ZK[2022]010,[2020]1Y022)
海南省院士创新平台科研项目(No.20220216-7)。
文摘
在氧化硅上生长纳米硅晶,保持氧化硅的直接带隙结构,降低其能带带隙,以用于发光和光伏。采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了块体α-方石英、薄膜α-方石英、Si/SiO_(2)界面的电子态结构和Si/SiO_(2)界面的光学性质。结果显示,其均为直接带隙半导体,当薄膜α-方石英厚度和Si/SiO_(2)界面氧化硅层厚度逐渐减小时,能带带隙均逐渐变大,表现出明显的量子限制效应。光学性质计算结果表明:Si/SiO_(2)界面虚部介电峰和吸收峰的峰值随氧化硅层厚度降低而显著升高,且峰位向高能量方向蓝移。使用脉冲激光沉积制备了氧化硅上硅晶薄膜,测量了Si/SiO_(2)界面样品的PL光谱,在670 nm处存在一个强的发光峰,在波长超过830 nm后,Si/SiO_(2)界面样品的发光强度不断升高。因此,可以通过控制Si/SiO_(2)界面氧化硅层厚度有效地调控Si/SiO_(2)界面的电子态结构和光学性质,引进边缘电子态,调控其带隙进入1~2 eV区间,获取硅基发光材料。
关键词
第一性原理
电子态结构
直接带隙
光致发光
Keywords
First principles
Electronic structure
Direct band gap
Photoluminescence
分类号
O56 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
油菜与诸葛菜的几种分子标记比较研究
吴沿友
王宝利
Paul W.J.Taylor
《中国油料作物学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
在线阅读
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职称材料
2
氧化硅层厚度对Si/SiO_(2)界面电子态结构与光学性质的影响
王安琛
黄忠梅
黄伟其
张茜
刘淳
王梓霖
王可
刘世荣
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
3
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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