与位错和点缺陷交互作用有关的非线性滞弹性内耗的研究 被引量：2

1

作者 方前锋 葛庭燧 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期203-207,共5页

综述非线性滞弹性内耗的主要实验规律和物理模型．结合中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室对Ａｌ－Ｍｇ合金中出现在室温附近的非线性滞弹性内耗峰的理论和实验研究结果，对产生这些内耗峰的微观机制进行了较深入的... 综述非线性滞弹性内耗的主要实验规律和物理模型．结合中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室对Ａｌ－Ｍｇ合金中出现在室温附近的非线性滞弹性内耗峰的理论和实验研究结果，对产生这些内耗峰的微观机制进行了较深入的阐述．结果表明，其微观过程是点缺陷（溶质原子）在位错拖曳下在位错芯区内的扩散过程．由于位错拖曳溶质原子的力与外加应力是非线性的，所以导致了非线性内耗峰的出现．分子动力学模拟计算所得到的溶质原子在位错芯区的扩散激活能与内耗峰的激活能一致．这些结果使我们对非线性滞弹性内耗峰产生的微观机理有了比较全面的理解． 展开更多

关键词 位错 点缺陷 非线性 滞弹性内耗

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液态Pb-Sn合金的内耗研究 被引量：3

2

作者 祖方遒 朱震刚 +2 位作者 郭丽君 张博 水嘉鹏 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期273-275,共3页

用强迫振动法测量了Ｐｂ－Ｓｎ合金在熔液状态时的内耗观测到好几个内耗峰．这说明在液相线以上Ｐｂ－Ｓｎ合金的熔液中仍存在一定的相结构并可能产生相变。

关键词 PB-SN合金 液态 内耗

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扭摆内耗仪的发明和内耗研究的开拓与发展 被引量：16

3

作者 葛庭燧 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 1994年第3期336-352,共17页

本文对笔者关于滞弹性内耗研究的早期工作（１９４５一１９４９年于芝加哥）作了历史回顾。概述用滞弹性测量方法研究了金属中晶粒间界和滑移带的力学性质，并为此目的而创制了扭摆内耗仪和转动线圈的扭转装置，从而可以用同一试样测定... 本文对笔者关于滞弹性内耗研究的早期工作（１９４５一１９４９年于芝加哥）作了历史回顾。概述用滞弹性测量方法研究了金属中晶粒间界和滑移带的力学性质，并为此目的而创制了扭摆内耗仪和转动线圈的扭转装置，从而可以用同一试样测定内耗、动态模量亏损，在恒应力下的蠕变和在恒应变下的应力弛豫。首次观测到晶粒间界内耗峰（作为温度的函数），测出了晶界弛豫的激活能，提出了大角晶界的＂无序原子群＂模型；在部分再结晶的冷加工金属试样中观测到与滑移带弛豫有关的内耗峰，在冷加工并经过部分退火的含铜的铝中发现了反常内耗峰（作为温度和应变振幅的函数）。最后指出，近年来在晶界弛豫和位错弛豫的研究中发现了大量非线性滞弹性现象，基本上奠定了非线性滞弹性理论的实验基础，标志着非线性滞弹性这一新学科领域的开端。 展开更多

关键词 扭摆内耗仪 内耗 金属学

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PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

4

作者 王灿 石云 +1 位作者 方前锋 朱震刚 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期253-254,共2页

用传统的固态反应法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电陶瓷，在低频扭摆上采用强迫振动的方式，在０．０５～４ Ｈｚ的频率范围内测量了ＰＺＴ铁电陶瓷的内耗温度特征．在室温至 ３５０℃的内耗－温度曲线上，２９０℃和... 用传统的固态反应法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电陶瓷，在低频扭摆上采用强迫振动的方式，在０．０５～４ Ｈｚ的频率范围内测量了ＰＺＴ铁电陶瓷的内耗温度特征．在室温至 ３５０℃的内耗－温度曲线上，２９０℃和１５０℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰Ｐ１和 Ｐ２，并且在５０ ℃附近观察到一个较低的内耗峰．根据Ａｒ－ｒｈｅｎｉｕｓ关系，分别计算得到Ｐ１的激活能Ｅ１＝２．０９ｅＶ，τ０１＝３×１０－２０ｓ，Ｐ２的激活能Ｅ２＝１．０４ｅＶ，　０２＝８×１０－１４ｓ，并且分析了 Ｐ１和 Ｐ２内耗峰的机制． 展开更多

关键词 PZT 铁电陶瓷 内耗

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金属材料固-液转变过程的低频内耗研究

5

作者 陈刚 朱震刚 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期276-278,共3页

介绍双试样悬浮方法测量金属材料固－液转变过程低频内耗的原理，提出不同条件下的力学模型，并由这些力学模型推导了不同扭摆振动系统的内耗表达式．通过对纯Ｚｎ固－液转变过程低频内耗的实际测量，证实了该方法在金属材料固－液转变... 介绍双试样悬浮方法测量金属材料固－液转变过程低频内耗的原理，提出不同条件下的力学模型，并由这些力学模型推导了不同扭摆振动系统的内耗表达式．通过对纯Ｚｎ固－液转变过程低频内耗的实际测量，证实了该方法在金属材料固－液转变过程内耗测量研究中的可行性，并对上述测量方法的特点进行了初步分析． 展开更多

关键词 金属材料 固-液转变 低频内耗

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竹节晶界内耗峰的发现及其机理的研究

6

作者 葛庭燧 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 1993年第3期298-301,共4页

80年代以来,我们在含有竹节晶界的高纯铝试样里发现了一个坐落在温度低于细晶粒间界内耗峰(葛峰)峰温处的内耗峰。关于这个内耗峰的来源问题引起了国内外一些学者的争论,有人认为这个峰可能就是向低温移动了的葛峰,而不是一个新的内耗峰... 80年代以来,我们在含有竹节晶界的高纯铝试样里发现了一个坐落在温度低于细晶粒间界内耗峰(葛峰)峰温处的内耗峰。关于这个内耗峰的来源问题引起了国内外一些学者的争论,有人认为这个峰可能就是向低温移动了的葛峰,而不是一个新的内耗峰。 我们对于这个内耗峰作了系统深入研究,发现它的表现与葛峰截然不同。例如,葛峰的高度不随晶粒尺寸而变,而竹节峰的高度则与试样中所含的竹节晶界的数目成正比。另外,葛峰随着退火温度的提高而向高温移动,而竹节峰则向低温移动。对试样进行的透射电子显微镜观察表明,在竹节晶界附近有位错亚结构出现。因此我们认为,在晶界进行粘滞滑动时,出现在竹节晶界附近并与之相交的位错亚结构被晶界所拖曳,从而限制了晶界的粘滞滑动,从而引起内耗峰。 根据上述观点,我们采用了一个4参数力学模型来描述竹节晶界内耗峰的弛豫行为。根据这个模型推导出来的内耗峰和模量弛豫的表达式,以及内耗峰和模量弛豫出现的实验条件,都与实验结果相符。 总结我们从一系列条件试验所得到的启示,我们采用了片状试样作实验,终于得出了竹节晶界峰与葛峰同时出现的结果,这就确切地指明了竹节晶界峰是一个与葛峰不同的新的内耗峰。 展开更多

关键词 竹节晶界 内耗峰 晶粒间界

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共析成分Zn-Al合金的相变内耗和DSC的研究 被引量：5

7

作者 陈秀梅 水嘉鹏 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第3期17-21,共5页

利用低频内耗和示差扫描量热计（ＤＳＣ）等技术研究了共析成分Ｚｎ－Ａｌ合金共析转变过程中的能量耗散问题，发现相变潜热和热滞均与相变的路径有关。相变内耗峰的峰高与频率倒数之间呈非线性关系，而对数减缩量与频率例数之间呈线性... 利用低频内耗和示差扫描量热计（ＤＳＣ）等技术研究了共析成分Ｚｎ－Ａｌ合金共析转变过程中的能量耗散问题，发现相变潜热和热滞均与相变的路径有关。相变内耗峰的峰高与频率倒数之间呈非线性关系，而对数减缩量与频率例数之间呈线性关系。证明了共析转变过程的内耗不仅具有滞弹性的性质，而且具有线性粘弹性的性质，相变内耗峰主要是线性粘弹性内耗的贡献。用Ｍａｘｗｅｌ模型对实验结果进行了解释。 展开更多

关键词 相变内耗 DSC 粘弹性 锌铝合金 共析成分

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含宏观石墨颗粒材料界面位错形态及内耗特征的研究 被引量：2

8

作者 魏健宁 韩福生 高俊昌 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期214-216,共3页

利用渗流技术在工业纯铝中引入宏观尺度的石墨颗粒，研究该宏观缺陷界面附近的微观缺陷（位错）形态及对材料内耗的影响．结果表明，在连续升温测量过程中，大约在２６０℃附近观察到了一个内耗峰，其峰位与频率无关，峰高与测量频率的... 利用渗流技术在工业纯铝中引入宏观尺度的石墨颗粒，研究该宏观缺陷界面附近的微观缺陷（位错）形态及对材料内耗的影响．结果表明，在连续升温测量过程中，大约在２６０℃附近观察到了一个内耗峰，其峰位与频率无关，峰高与测量频率的倒数和升温速率近似成直线关系，且表现出正常振幅效应而在没有宏观石墨颗粒增强的工业纯铝样品中无峰出现．通过透射电子显微镜（ＴＥＭ）观察，发现在石墨颗粒／基体界面附近存在高密度位错．根据内耗实验结果和微观结构特征的观察，认为该内耗峰的机制与基体和增强物之间因热膨胀系数的不同而诱发的高密度位错以及位错在外加应力作用下的运动有关． 展开更多

关键词 金属基复合材料 内耗 位错 热应力

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纳米晶Al的内耗研究

9

作者 蔡彬 孔庆平 +2 位作者 崔平 丛洪涛 孙秀魁 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期255-256,共2页

研究等离子蒸发法制备的粉末经过压结制备的纳米晶Ａｌ的内耗。

关键词 AL 纳米晶 内耗

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纳米银的内耗和模量研究

10

作者 王玉柱 吴希俊 +1 位作者 黄家倍 崔平 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期261-262,共2页

采用不同温度连续退火和测量纳米银的内耗．发现在４５０ Ｋ附近有一个小峰叠加在背底上，此峰在首次升温测量中并不出现，在再次升温测量中才出现．变频测量此峰，其峰位随频率变化，求得其激活能为 ０．８２ ±０．１ｅＶ，与银... 采用不同温度连续退火和测量纳米银的内耗．发现在４５０ Ｋ附近有一个小峰叠加在背底上，此峰在首次升温测量中并不出现，在再次升温测量中才出现．变频测量此峰，其峰位随频率变化，求得其激活能为 ０．８２ ±０．１ｅＶ，与银的晶界原子自扩散激活能一致．因此可认为这是纳米银的晶界内耗峰． 展开更多

关键词 纳米银 内耗 模量

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自由衰减法测量中的低频内耗与频率关系的理论研究 被引量：1

11

作者 水嘉鹏 郑康 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期294-295,共2页

内耗测量希望得到试样的内耗值．而用低频扭摆测量内耗时，只能得到试样的惯量组成的振动系统的内耗值．讨论了在用自由衰减法测量内耗时，Ｖｏｉｇｔ模型和惯量组成的振动系统内耗与试样内耗之间的关系．

关键词 自由衰减 低频内耗 频率

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巨磁电阻材料La_xMnO_3的内耗研究 被引量：1

12

作者 郑丽秋 方前锋 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期245-247,共3页

自掺杂巨磁电阻材料ＬａｘＭｎＯ３的电阻温度曲线上出现两个峰，在对应的温区内磁化曲线上也有两个磁转变趋势出现．在内耗测量中，观察到两个内耗峰，峰温与磁转变温度对应较好．两个内耗峰都呈现相变峰的特性，即峰位不随频率变化而... 自掺杂巨磁电阻材料ＬａｘＭｎＯ３的电阻温度曲线上出现两个峰，在对应的温区内磁化曲线上也有两个磁转变趋势出现．在内耗测量中，观察到两个内耗峰，峰温与磁转变温度对应较好．两个内耗峰都呈现相变峰的特性，即峰位不随频率变化而变化，但峰高和频率成反比关系．弹性模量在对应内耗峰处的变化趋势也表明了相变特征．从电阻、磁化及内耗温度曲线的对应关系上，可以得出高温端出现顺磁－铁磁转变，以及半导体－金属转变，所伴随的结构变化导致了高温内耗峰的出现．低温端出现部分铁磁－反铁磁转变，导致两相在较大温度范围内共存，即所谓的相分离过程，而所对应的低温内耗峰的出现可能是相界面运动引起． 展开更多

关键词 LaxMnO3 巨磁电阻 内耗

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液态硅动力学性质的激活弛豫研究

13

作者 朱震刚 刘长松 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期281-283,共2页

利用激活弛豫技术研究了液态硅的激活能与温度之间的关系，结果表明：激活能在较高的温度区间为０．２～０．３ ｅＶ，几乎不随温度变化而变化；而在靠近熔点处出现陡峭的增加，增至 １．０ ｅＶ．与此相应，激活弛豫事件的大小随温度... 利用激活弛豫技术研究了液态硅的激活能与温度之间的关系，结果表明：激活能在较高的温度区间为０．２～０．３ ｅＶ，几乎不随温度变化而变化；而在靠近熔点处出现陡峭的增加，增至 １．０ ｅＶ．与此相应，激活弛豫事件的大小随温度变化呈现相同的变化规律．这一结果在一定程度上较好地解释了实验上观察到液态硅粘度随温度异常变化的现象，同时它也表明液态硅的整体结构将在低温处出现异常变化． 展开更多

关键词 激活弛豫 动力学 液态硅

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与材料中的微裂纹有关的内耗和模量亏损 被引量：1

14

作者 方前锋 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期211-213,共3页

在微裂纹上下表面摩擦而产生能量损耗的假设下，计算出了与材料中的微裂纹有关的内耗和模量亏损的表达式．在低频和小裂纹近似下，内耗正比于裂纹线度的３次方，而模量亏损正比于裂纹线度的２次方，且它们都正比于裂纹的密度。根据这种... 在微裂纹上下表面摩擦而产生能量损耗的假设下，计算出了与材料中的微裂纹有关的内耗和模量亏损的表达式．在低频和小裂纹近似下，内耗正比于裂纹线度的３次方，而模量亏损正比于裂纹线度的２次方，且它们都正比于裂纹的密度。根据这种定量关系，有可能用内耗和超声衰减及动态弹性模量测量来无损探测微裂纹的线度和密度． 展开更多

关键词 微裂纹 内耗 模量亏损

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La_(0.7)Pb_(0.3)MnO_3材料的低频内耗与电磁输运性能

15

作者 李合琴 方前锋 +2 位作者 朱震刚 尹文红 尹文红 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期251-253,共2页

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料Ｌａ０．７Ｐｂ０．３ＭｎＯ３（ＬＰＭＯ）的温度内耗谱，所 用频率为 ０．１，０．３，１．０ Ｈｚ，温度从 １３０～３６０Ｋ．实验结果表明在该材料的居里温度２５５Ｋ附近有一内耗... 用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料Ｌａ０．７Ｐｂ０．３ＭｎＯ３（ＬＰＭＯ）的温度内耗谱，所 用频率为 ０．１，０．３，１．０ Ｈｚ，温度从 １３０～３６０Ｋ．实验结果表明在该材料的居里温度２５５Ｋ附近有一内耗峰并 对应有模量软化．通过改变测量频率，发现内耗峰的峰位和模量的下降与频率无关，但改变频率时，其模 量软化及内耗峰高度都有所改变，这与热激活型弛豫内耗峰明显不同．结合该材料的交流磁化率和零场电 阻Ｒ（Ｔ）随温度变化的测量结果，表明该内耗峰是由于顺磁到铁磁相变中产生的磁熵所致，而模量的软化 则表明伴随着顺磁到铁磁转变的过程，ＬＰＭＯ材料发生了Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ晶格畸变．另外我们还研究了ＬＰＭＯ材 料在Ｏ２气氛中经９００℃，２ｈ退火后，电磁输运性能和内耗的变化情况．结果表明，经在Ｏ１气氛中退火后 的材料，其零场下电阻峰Ｒ（Ｔ）和交流磁化率曲线右移，居里温度Ｔｃ为２７２Ｋ，对应的内耗峰也向高温移 动，这是因为氧含量的增加会产生等量的阳离子空位，使Ｍｎ４＋／Ｍｎ３＋比率增加，导致了ＴＣ和 ＴＭＩ增高． 展开更多

关键词 巨磁电阻材料 内耗 磁化率

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宏观体缺陷对材料阻尼行为的影响

16

作者 韩福生 马中华 +1 位作者 魏健宁 高俊昌 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期217-219,共3页

利用渗流法在ＺＡ２７合金中分别引入线尺寸为毫米量级的宏观孔洞和石墨颗粒，对比研究了该两种缺陷对材料阻尼行为的影响．实验表明，引入孔洞对ＺＡ２７合金的阻尼本领影响很小，而引入宏观尺度的石墨颗粒，其低温内耗变化不大，高温... 利用渗流法在ＺＡ２７合金中分别引入线尺寸为毫米量级的宏观孔洞和石墨颗粒，对比研究了该两种缺陷对材料阻尼行为的影响．实验表明，引入孔洞对ＺＡ２７合金的阻尼本领影响很小，而引入宏观尺度的石墨颗粒，其低温内耗变化不大，高温内耗峰明显下降，据初步分析认为，在ＺＡ２７合金连续升温测量过程中出现的内耗峰为一相变峰，石墨颗粒的引入。 展开更多

关键词 阻尼材料 内耗 缺陷

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发展新材料的一些物理力学问题：材料的力学性质和材料设计 被引量：1

17

作者 葛庭燧 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 1995年第2期240-248,共9页

本文论述了发展新材料必须进行材料设计，在设计当中要进行各个学科层次的分工与合作。结构材料设计的主要问题是材料的力学性质，这包括高强度、优良的加工性能和高的阻尼本领，其关键环节是加强物理力学和力学物理的研究。

关键词 材料设计 物理力学 强度 韧性 材料力学

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氧离子导体La_2Mo_2O_9中与氧离子扩散有关的弛豫内耗

18

作者 王先平 方前锋 王灿 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期248-250,共3页

用多功能内耗仪测量了氧离子导体Ｌａ２Ｍｏ２Ｏ９的低频内耗－温度谱，发现在４００ Ｋ附近出现一显著内耗峰．对该峰进行非线性拟合后，发现它是由两个典型的Ｄｅｂｙｅ型弛豫内耗峰叠加而成，对应模量的两个变化过程，其高温峰的弛... 用多功能内耗仪测量了氧离子导体Ｌａ２Ｍｏ２Ｏ９的低频内耗－温度谱，发现在４００ Ｋ附近出现一显著内耗峰．对该峰进行非线性拟合后，发现它是由两个典型的Ｄｅｂｙｅ型弛豫内耗峰叠加而成，对应模量的两个变化过程，其高温峰的弛豫强度明显大于低温峰的弛豫强度．根据Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ关系，测得低温峰和高温峰的激活能分别为１．０ｅＶ和１．２ｅＶ，对应的弛豫时间指数前因子分别为１．４×１０－１６ｓ和０．８×１０－１６ｓ．对于内耗峰的形成机制，我们认为是起因于氧离子在应力作用下的短程扩散．在Ｌａ２Ｍｏ２Ｏ９晶格内部有两种不同的氧位置；Ｏ（１）和Ｏ（２），由于其点阵位置不等效，它们所对应的弛豫过程具有不同的激活能． 展开更多

关键词 氧离子导体 扩散 弛豫内耗

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氧离子导体La_2Mo_2O_9中与相变有关的内耗 被引量：1

19

作者 王先平 方前锋 水嘉鹏 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期242-244,共3页

用低频内耗的方法研究了多晶氧离子导体Ｌａ２Ｍｏ２Ｏ９的高温内耗－温度谱，实验中在８４０Ｋ附近观察到一尖锐内耗峰的出现．分别用０．１、０．５、１．０、２．０和３．０Ｈｚ的频率以及３、５、７和９Ｋ／ｍｉｎ升温速率对试样进... 用低频内耗的方法研究了多晶氧离子导体Ｌａ２Ｍｏ２Ｏ９的高温内耗－温度谱，实验中在８４０Ｋ附近观察到一尖锐内耗峰的出现．分别用０．１、０．５、１．０、２．０和３．０Ｈｚ的频率以及３、５、７和９Ｋ／ｍｉｎ升温速率对试样进行了变频和变温测量，结果表明，随着频率的增加，峰温基本保持不变，而峰高降低；随升温速率的增加，峰温移向高温，且峰高增加．ＤＳＣ测量结果显示，在同一温区范围内有一吸热峰出现，与内耗测量结果相对应．进一步分析表明：ＤＳＣ和内耗测量的峰温与升温速率的关系均满足Ｋｉｓｓｉｎｇｅｒ方程，对应的表观激活能为（５．６±０．１）ｅＶ．分析表明Ｌａ２Ｍｏ２Ｏ９的高温内耗峰起因于高温晶格畸变，为一级相变内耗峰，并发现Ｌａ位用ｗ＝５％、１０％和１５％的Ｃａ掺杂能够有效地抑制这一结构相变． 展开更多

关键词 氧离子导体 镧锰氧 内耗

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晶界内耗峰在高温形变中的变化

20

作者 孔庆平 蔡彬 GOTTSTEIN G 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期208-210,共3页

研究晶界内耗峰在３种高温形变模式下（静态蠕变、循环蠕变、循环扭转）的变化，以研究晶界在高温形变过程中的行为和作用．

关键词 晶界 内耗峰 高温变形

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