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图形化蓝宝石衬底工艺研究进展
被引量：
10
1
作者
黄成强
夏洋
+6 位作者
陈波
李超波
万军
汪明刚
饶志鹏
李楠
张祥
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期497-503,581,共8页
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底...
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。
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关键词
图形化蓝宝石衬底
发光二极管
光刻
纳米压印
刻蚀
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职称材料
氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响
2
作者
赵斌
唐立丹
+1 位作者
王冰
冯佳恒
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2017年第4期565-568,572,共5页
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量...
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10^(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。
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关键词
梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜
磁控溅射
氩氧比
电阻率
透过率
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职称材料
原子层沉积技术生长单质钨薄膜
3
作者
王浙加
冯嘉恒
+2 位作者
夏洋
明帅强
屈芙蓉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第9期699-703,共5页
采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和...
采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析。结果表明,热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200~250℃,生长的薄膜呈多晶态,由较小粒径的颗粒组成,具有(210)晶面择优取向。XPS测试表明薄膜中W 4f、W 4f及W 5p_(3/2)的特征峰分别位于31.5~31.6、33.5~33.7及36.9~37.1 eV结合能位置处,主要含有W、C、O等元素。生长的单质钨薄膜为β相钨,电阻率为1.6×10^(-4)~3.0×10^(-4)Ω·cm。
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关键词
原子层沉积(ALD)
钨
电阻率
多晶薄膜
Β相
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职称材料
题名
图形化蓝宝石衬底工艺研究进展
被引量：
10
1
作者
黄成强
夏洋
陈波
李超波
万军
汪明刚
饶志鹏
李楠
张祥
机构
中国科学院
微电子
研究所
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期497-503,581,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(60727003)
文摘
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。
关键词
图形化蓝宝石衬底
发光二极管
光刻
纳米压印
刻蚀
Keywords
patterned sapphire substrate （PSS）
light emitting diode （LED）
lithography
nanoimprint lithography （NIL）
etching
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响
2
作者
赵斌
唐立丹
王冰
冯佳恒
机构
辽宁工业大学材料
科学
与
工程
学院
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2017年第4期565-568,572,共5页
基金
国家教育部重点基金资助项目(2012031)
辽宁省自然科学基金资助项目(2015020215)
+2 种基金
辽宁省高校优秀人才计划基金资助项目(LJQ2015050)
辽宁省教育厅一般研究基金资助项目(L2015236)
辽宁省高等学校创新团队基金资助项目(LT2013014)
文摘
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10^(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。
关键词
梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜
磁控溅射
氩氧比
电阻率
透过率
Keywords
gradient AZO thin films
magnetron sputtering
Ar to O2 ratio
resistivity
transmittance
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
原子层沉积技术生长单质钨薄膜
3
作者
王浙加
冯嘉恒
夏洋
明帅强
屈芙蓉
机构
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
嘉兴
科民
电子
设备
技术有限公司
中国科学院
微电子
器件与集成技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第9期699-703,共5页
基金
国家重点研发计划资助项目(2018YFF01012700)
中国科学院关键技术团队项目(GJJSTD20200003)。
文摘
采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析。结果表明,热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200~250℃,生长的薄膜呈多晶态,由较小粒径的颗粒组成,具有(210)晶面择优取向。XPS测试表明薄膜中W 4f、W 4f及W 5p_(3/2)的特征峰分别位于31.5~31.6、33.5~33.7及36.9~37.1 eV结合能位置处,主要含有W、C、O等元素。生长的单质钨薄膜为β相钨,电阻率为1.6×10^(-4)~3.0×10^(-4)Ω·cm。
关键词
原子层沉积(ALD)
钨
电阻率
多晶薄膜
Β相
Keywords
atomic layer deposition(ALD)
tungsten
resistivity
polycrystalline film
β-phase
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
图形化蓝宝石衬底工艺研究进展
黄成强
夏洋
陈波
李超波
万军
汪明刚
饶志鹏
李楠
张祥
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
10
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响
赵斌
唐立丹
王冰
冯佳恒
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
原子层沉积技术生长单质钨薄膜
王浙加
冯嘉恒
夏洋
明帅强
屈芙蓉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
0
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职称材料
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