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偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性被引量：2: 1; 作者赵雷陈涌海 +2 位作者左玉华王海宁时文华《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1185-1189,共5页; 介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。; 关键词偏振差分反射光谱半导体平面内光学各向异性电光改性; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究(英文) 被引量：1: 2; 作者王章涛樊中朝 +1 位作者陈少武余金中《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1047-1049,共3页; 设计和制作了基于SOI的通道转换型多模干涉耦合器。用二维BPM方法分析了耦合器的性能与多模波导宽度和长度的依赖关系 .制作出的耦合器能实现良好的通道转换 ,器件的功率转换比为 73,附加损耗为 2 .2dB .提高器件制作的精度将能进一步... 展开更多; 关键词 SOI 多模干涉通道转换; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN非线性光学效应研究进展被引量：3: 3; 作者陈平王启明《物理学进展》 CSCD 北大核心 2005年第4期430-440,共11页; 本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。; 关键词非线性光学材料 GAN 非线性光学效应全光波长转换; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究: 4; 作者沈海波郭亨群 +2 位作者徐骏陈坤基王启明《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期877-880,938,共5页; 采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光。研究了... 展开更多; 关键词射频磁控反应溅射 SiOx∶Er薄膜光致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同结构SOI交叉波导的损耗及串扰特性研究(英文): 5; 作者孙飞陈少武余金中《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1649-1653,共5页; 利用高阶Pade近似的2D-BPM算法,对具有不同弯曲半径及交叉角度的SOI弯曲交叉波导的传输特性进行了模拟、分析和深入研究,发现交叉波导的串扰随弯曲半径及交叉角度增大而减小的规律.在此基础上,对由正弦弯曲、余弦弯曲以及圆弧弯曲三种... 展开更多; 关键词导波光学 SOI 交叉波导弯曲波导; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进被引量：6: 6; 作者王启明《物理学进展》 CSCD 北大核心 2002年第4期359-370,共12页; 自 1 991年CanhamL .T发现多孔Si的强发光特性之后 ,Si基发光的系列性探索已走过了 1 0年的路程。人们从中认清了一些重要的科学问题 ,发展和掌握了许多新的技术 ,也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的 1 0年是处於四方探索的百... 展开更多; 关键词纳米技术 Si基发光能带工程纳米结构光电子集成微电子芯片; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性被引量：2: 1; 作者赵雷陈涌海左玉华王海宁时文华; 机构中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1185-1189,共5页; 基金国家自然科学基金(60336010 60390074 +1 种基金 90401001) 中国科学院专项计划项目(1731000500010)资助; 文摘介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。; 关键词偏振差分反射光谱半导体平面内光学各向异性电光改性; Keywords Reflectance difference spectroscopy Semiconductor In-plane optical anisotropy Electrooptic modification; 分类号 O433 [机械工程—光学工程] TN301.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究(英文) 被引量：1: 2; 作者王章涛樊中朝陈少武余金中; 机构中国科学院半导体研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1047-1049,共3页; 基金 NationalNaturalScienceFoundationofChina(No .6 9990 5 4 0 ) ,National 86 3Project(No .2 0 0 2AA312 0 6 0 )andStateKeyDevelopmentProgramforBasicResearchofChina(No.G2 0 0 0 0 36 6 ); 文摘设计和制作了基于SOI的通道转换型多模干涉耦合器。用二维BPM方法分析了耦合器的性能与多模波导宽度和长度的依赖关系 .制作出的耦合器能实现良好的通道转换 ,器件的功率转换比为 73,附加损耗为 2 .2dB .提高器件制作的精度将能进一步改善耦合器的性能 .; 关键词 SOI 多模干涉通道转换; Keywords SOI Multimode interference Channel-shifted; 分类号 TN252 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN非线性光学效应研究进展被引量：3: 3; 作者陈平王启明; 机构中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2005年第4期430-440,共11页; 基金重点基金项目NO.60336010的资助; 文摘本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。; 关键词非线性光学材料 GAN 非线性光学效应全光波长转换; Keywords nonlinear material GaN nonlinearity all-optical wavelength conversion; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究: 4; 作者沈海波郭亨群徐骏陈坤基王启明; 机构华侨大学信息科学与工程学院中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室南京大学物理学系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期877-880,938,共5页; 基金国家重点基础研究发展“973”计划(2007CB613401) 集成光电子国家重点联合实验室开放课题(20080301); 文摘采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光。研究了退火温度和时间对SiOx∶Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件。采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV。对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx∶Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨。; 关键词射频磁控反应溅射 SiOx∶Er薄膜光致发光; Keywords RF magnetron reaction sputtering SiOx ： Er thin film photo luminescence; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同结构SOI交叉波导的损耗及串扰特性研究(英文): 5; 作者孙飞陈少武余金中; 机构中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1649-1653,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China under Grant No 60336010,the Special Funds for Major State Basic Research Project of China under Grant No G20000366,and the National High Technology Programme of China under Grant No 2002AA312060; 文摘利用高阶Pade近似的2D-BPM算法,对具有不同弯曲半径及交叉角度的SOI弯曲交叉波导的传输特性进行了模拟、分析和深入研究,发现交叉波导的串扰随弯曲半径及交叉角度增大而减小的规律.在此基础上,对由正弦弯曲、余弦弯曲以及圆弧弯曲三种弯曲波导构成的SOI交叉波导的损耗及串扰特性进行了分析比较.结果表明,由正弦弯曲构成的交叉波导传输损耗最小且串扰最小.; 关键词导波光学 SOI 交叉波导弯曲波导; Keywords Guided wave optics Silicon-on insulator （SOI） Intersecting waveguide Waveguide bend; 分类号 TN252 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进被引量：6: 6; 作者王启明; 机构中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2002年第4期359-370,共12页; 基金国家自然科学基金重大项目 (No.698962 60 ); 文摘自 1 991年CanhamL .T发现多孔Si的强发光特性之后 ,Si基发光的系列性探索已走过了 1 0年的路程。人们从中认清了一些重要的科学问题 ,发展和掌握了许多新的技术 ,也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的 1 0年是处於四方探索的百花齐放阶段。现在无论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径 ,都更加明确、集中 ,一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展 ,即局域态nc_Si的发光 ,基於能带工程的Si基发光 ,纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究 ,指出了各自存在的问题 ,提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合 ,由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。; 关键词纳米技术 Si基发光能带工程纳米结构光电子集成微电子芯片; Keywords Luminescence from silicon Energy band engineering Nano_structure Optoelectronic integration; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性	赵雷陈涌海左玉华王海宁时文华	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究(英文)	王章涛樊中朝陈少武余金中	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaN非线性光学效应研究进展	陈平王启明	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究	沈海波郭亨群徐骏陈坤基王启明	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	不同结构SOI交叉波导的损耗及串扰特性研究(英文)	孙飞陈少武余金中	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进	王启明	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2002	6	在线阅读下载PDF 职称材料