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HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析被引量：1: 1; 作者李金伦崔少辉 +4 位作者徐建星袁野苏向斌倪海桥牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期790-794,共5页; 采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm^... 展开更多; 关键词高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率太赫兹探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器(英文) 被引量：7: 2; 作者柴小力张宇 +5 位作者廖永平黄书山杨成奥孙姚耀徐应强牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期257-260,共4页; 成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.... 展开更多; 关键词镓锑基半导体激光器量子阱中红外; 在线阅读下载PDF 职称材料

全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）被引量：3: 3; 作者李欢杨成奥 +5 位作者谢圣文黄书山柴小力张宇王金良牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期140-143,153,共5页; 成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到... 展开更多; 关键词镓锑基侧向耦合分布反馈 LC-DFB 全息光刻二阶布拉格光栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

低功耗非制冷红外图像处理专用SoC芯片被引量：3: 4; 作者郭广浩吴南健刘力源《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期122-131,共10页; 非制冷红外成像技术具有非常广泛的应用前景。但是,目前非制冷红外成像芯片存在非均匀校正、图像细节增强和条纹噪声等亟待解决的问题。论文提出并设计一种面向非制冷红外成像的图像处理专用SoC芯片,芯片集成了一个CPU、两个DSP处理器... 展开更多; 关键词红外图像处理 SOC芯片非制冷红外探测系统低功耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法（英文）: 5; 作者张博文颜伟 +10 位作者李兆峰白龙 Grzegorz Cywinski Ivan Yahniuk Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Jacek Przybytek Dmytro B.But Dominique Coquillat Wojciech Knap 杨富华《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期389-392,共4页; 在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不... 展开更多; 关键词太赫兹探测器平面天线沟道电场场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）: 6; 作者崔晓然吕红亮 +3 位作者李金伦苏向斌徐应强牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期385-388,共4页; 采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移... 展开更多; 关键词二维电子气迁移率高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析被引量：1: 1; 作者李金伦崔少辉徐建星袁野苏向斌倪海桥牛智川; 机构中国人民解放军军械工程学院导弹工程系中国科学院半导体研究所超晶格实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院西北大学光子学与光子技术研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期790-794,共5页; 基金科技部"国家重大科学仪器设备开发专项"基金(2012YQ140005)~~; 文摘采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm^2/Vs,载流子浓度为1.787E12/cm^3的GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气沟道结构,并采用Mathematica软件分别计算了不同沟道宽度时300 K、77 K温度下GaAs基HEMT结构的太赫兹探测响应率,为HEMT场效应管太赫兹探测器的研究和制备提供了参考依据.; 关键词高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率太赫兹探测器; Keywords HEMT ,2DEG, mobility, THz detector; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器(英文) 被引量：7: 2; 作者柴小力张宇廖永平黄书山杨成奥孙姚耀徐应强牛智川; 机构中国科学院半导体研究所超晶格实验室中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期257-260,共4页; 基金 Supported by the National Basic Research Program of China(2014CB643903,2013CB932904) the National Natural Science Foundation of China(61435012,61306088,61274013); 文摘成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.5mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328mW室温连续工作,阈值电流密度为402A/cm^2,在脉冲工作模式下,功率达到700mW.; 关键词镓锑基半导体激光器量子阱中红外; Keywords GaSb-based, laser diodes, quantum-wells, mid-infrared; 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）被引量：3: 3; 作者李欢杨成奥谢圣文黄书山柴小力张宇王金良牛智川; 机构北京航空航天大学物理科学与核能工程学院中国科学院半导体研究所超晶格实验室中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期140-143,153,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61435012,61290303) the National 973 program(2014CB643903,2013CB932904); 文摘成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B.; 关键词镓锑基侧向耦合分布反馈 LC-DFB 全息光刻二阶布拉格光栅; Keywords GaSb-based laterally coupled distributed feedback laterally coupled distributed feedback(LC-DFB) holographic lithography second order Bragg grating; 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低功耗非制冷红外图像处理专用SoC芯片被引量：3: 4; 作者郭广浩吴南健刘力源; 机构中国科学院半导体研究所超晶格实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期122-131,共10页; 基金国家重点研发计划(2019YFB2204303) 国家自然科学基金(U20A20205)。; 文摘非制冷红外成像技术具有非常广泛的应用前景。但是,目前非制冷红外成像芯片存在非均匀校正、图像细节增强和条纹噪声等亟待解决的问题。论文提出并设计一种面向非制冷红外成像的图像处理专用SoC芯片,芯片集成了一个CPU、两个DSP处理器和一个红外图像处理专用加速器,单芯片可实现非制冷低功耗红外图像的非均匀校正、图像滤波、直方图均衡、数字图像细节增强、条纹消除和目标检测跟踪等实时图像处理。同时,研究开发了面向芯片应用的非制冷低功耗红外图像处理算法。采用65-nm CMOS工艺实现了非制冷红外图像专用处理SoC芯片,实现了基于非制冷红外成像芯片和图像处理SoC芯片的小型低功耗非制冷红外成像系统。测试结果表明成像系统可以实现清晰的非制冷红外成像、目标检测及目标跟踪等功能,系统功耗小于2 W,体积相比传统的系统减小了50%,满足对体积、功耗、性能要求比较高的系统的应用需求,具有较高的工程应用价值和前景。; 关键词红外图像处理 SOC芯片非制冷红外探测系统低功耗; Keywords infrared image processing SoC chip uncooled infrared detection system low-power; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP391.4 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法（英文）: 5; 作者张博文颜伟李兆峰白龙 Grzegorz Cywinski Ivan Yahniuk Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Jacek Przybytek Dmytro B.But Dominique Coquillat Wojciech Knap 杨富华; 机构中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心中国科学院大学中国科学院半导体研究所超晶格实验室波兰科学院高压物理研究所先进材料与技术中心中央实验室蒙彼利埃大学与法国国家科学研究院查尔斯·库伦实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期389-392,共4页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61501421) the National Key R＆D program of China(2016YFA02005003) +2 种基金 t; 文摘在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不容易得到的情况.通过流片完成的基于氮化镓高电子迁移率晶体管的太赫兹探测器的响应度测试证实了这种方法的有效性.集成碟形天线和双偶极子天线的太赫兹探测器最大响应度分别在170.7 GHz(1568.4 V/W)和124.3 GHz(1047.2 V/W)频点处测得,这个测试结果接近基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真结果.; 关键词太赫兹探测器平面天线沟道电场场效应晶体管; Keywords terahertz detectors planar antenna channel electric field field effect transistors; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）: 6; 作者崔晓然吕红亮李金伦苏向斌徐应强牛智川; 机构西安电子科技大学微电子学院中国科学院半导体研究所超晶格实验室中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系西北大学光子学与光子技术研究所中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期385-388,共4页; 基金 Supported by the National Key Technologies R＆D Program(2016CBYFB0402403); 文摘采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm^2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm^2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.; 关键词二维电子气迁移率高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE); Keywords 2DEG mobility high electron mobility transistor （HEMT） molecular beam epitaxy （MBE）; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析	李金伦崔少辉徐建星袁野苏向斌倪海桥牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器(英文)	柴小力张宇廖永平黄书山杨成奥孙姚耀徐应强牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）	李欢杨成奥谢圣文黄书山柴小力张宇王金良牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低功耗非制冷红外图像处理专用SoC芯片	郭广浩吴南健刘力源	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法（英文）	张博文颜伟李兆峰白龙 Grzegorz Cywinski Ivan Yahniuk Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Jacek Przybytek Dmytro B.But Dominique Coquillat Wojciech Knap 杨富华	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）	崔晓然吕红亮李金伦苏向斌徐应强牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料