锑化物半导体激光器研究进展 被引量：2

1

作者 陈益航 杨成奥 +7 位作者 王天放 张宇 徐应强 牛智川 余红光 石建美 吴斌 张佳鸣 《光电技术应用》 2022年第6期33-37,共5页

锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检... 锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展,已经逐渐的走向成熟。由于在这个波段具有很多气体分子的吸收峰以及具有较高透过率的大气窗口,使得中红外锑化物半导体激光器在气体检测、材料加工以及自由空间光通信等领域具有重要的作用。 展开更多

关键词 锑化物 中红外激光 气体检测 自由空间光通信

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2～3μmGaAs基InAs/GaSb超晶格材料

2

作者 郝瑞亭 徐应强 +2 位作者 周志强 任正伟 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期35-37,共3页

采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生... 采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步. 展开更多

关键词 GASB INAS/GASB超晶格 GAAS 分子束外延

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低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 被引量：3

3

作者 王晓东 汪辉 +2 位作者 王海龙 牛智川 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期177-180,共4页

利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :... 利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :点缺陷释放了部分弹性能 ,使得量子点变小 ,而 As沉淀可能是量子点密度变大的原因 .在光致发光谱 (PL )上 ,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高 。 展开更多

关键词 外延生长 砷化镓 砷化锢 砷沉淀 低温 量子点

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GaMnAs的Raman光谱研究 被引量：2

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作者 马宝珊 王文杰 +6 位作者 苏付海 邓加军 蒋春萍 刘海林 丁琨 赵建华 李国华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期207-212,共6页

报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.... 报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加.测量了不同温度下GaM-nAs合金的拉曼光谱.证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加. 展开更多

关键词 GAMNAS 拉曼光谱 等离激元与声子耦合模 空穴浓度

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低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 被引量：1

5

作者 江德生 吕振东 +3 位作者 崔丽秋 周向前 孙宝权 徐仲英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期7-10,共4页

研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－Ｇ... 研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－ＧａＡｓ薄膜可大大减小体ＧａＡｓ衬底材料中本征发光的衰减时间，但对（ｅ，Ａ°）发光影响不大．用上转换方法对退火和未退火ＬＴＧ－ＧａＡｓ样品瞬态发光进行了测量，获得了关于ＬＴＧ－ＧａＡｓ中复合中心和陷阱中心的信息． 展开更多

关键词 光致发光 砷化镓 分子束外延 瞬态测量 低温

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半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究 被引量：1

6

作者 陈宜保 江德生 +2 位作者 王若桢 郑红军 孙宝权 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期15-18,共4页

利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片... 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法. 展开更多

关键词 表面光伏谱 无损检测 砷化镓 半导体

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镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究 被引量：1

7

作者 徐骏 陈坤基 +4 位作者 黄信凡 贺振宏 韩和相 汪兆平 李国华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期262-264,共3页

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒；... 报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布． 展开更多

关键词 纳米锗 多层膜 光致发光 镶嵌型

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注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

8

作者 郑宝真 赛纳 +3 位作者 许继宗 张鹏华 杨小平 徐仲英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期407-411,共5页

用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关。

关键词 光荧光 量子阱 镓离子注入 砷化镓

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InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究

9

作者 李晴 徐仲英 葛惟昆 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期343-346,共4页

用简并激发 -探测技术研究了 77K温度下 In As/Ga As量子点中载流子快速俘获和弛豫过程 .在瞬态反射谱测量中 ,除观察到与 Ga As有关的驰豫过程外 (时间常数约为 lps) ,还观察到一个时间常数为几个至 2 0 ps的反射率上升过程 .提出了一... 用简并激发 -探测技术研究了 77K温度下 In As/Ga As量子点中载流子快速俘获和弛豫过程 .在瞬态反射谱测量中 ,除观察到与 Ga As有关的驰豫过程外 (时间常数约为 lps) ,还观察到一个时间常数为几个至 2 0 ps的反射率上升过程 .提出了一个物理模型 ,表明上述上升过程与光致载流子被 In As层快速俘获过程有关 ,并由此得到载流子的俘获时间 ,俘获时间随载流子浓度增加而减小 . 展开更多

关键词 低维结构 Ⅲ-Ⅴ簇半导体 载流子 快速俘获过程

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蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究 被引量：2

10

作者 李金伦 崔少辉(指导) +4 位作者 张静 张振伟 张博文 倪海桥 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期132-138,共7页

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B... 采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。 展开更多

关键词 太赫兹探测器 高电子迁移率场效应晶体管 磷化铟 蝶形天线 分子束外延

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分子束外延生长的GaSb热光伏电池器件特性研究 被引量：2

11

作者 郑大农 苏向斌 +1 位作者 徐应强 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第3期299-306,共8页

利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的电极形状。通过不断优化分子束外延的生长条件,以期得到高质量的GaSb外延层。AFM图中显示的表面形貌... 利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的电极形状。通过不断优化分子束外延的生长条件,以期得到高质量的GaSb外延层。AFM图中显示的表面形貌表明器件有着高质量的外延层,其表面形貌的RMS只有1.5?(1?=0.1 nm)。测量和比较了两种热光伏电池的器件特性,包括开路电压、短路电流密度、光电转换效率、填充因子以及暗电流密度。在一个模拟太阳光照射下,热光伏电池单元有着0.303 V的开路电压和27.1 mA/cm2的短路电流密度。和只有简单电极形状的热光伏电池单元进行对比,有栅形电极形状的热光伏电池单元在短路电流密度和填充因子上具有更优异的表现。在红外光的照射下,有栅形电极形状的热光伏电池达到了一个最优的填充因子56.8%。 展开更多

关键词 锑化镓 热光伏电池 开路电压 短路电流密度 填充因子

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GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究 被引量：2

12

作者 江德生 王江波 +8 位作者 C.Navarro 陈志标 俞水清 S.Chaparro S.Johnson 曹勇 张永航 江德生 梁晓甘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期7-10,共4页

研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光... 研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点．应变补偿量子阱激光器在波长为１．３μｍ附近激射,阈值电流密度约为１．８ｋＡ/ｃｍ２． 展开更多

关键词 GaAsSb 量子阱 激光 光致发光.

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高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究

13

作者 杨威 罗海辉 +1 位作者 钱轩 姬扬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期87-90,122,共5页

掌握微波辐照下的电子态性质是理解高迁移率二维电子气在低磁场区的纵向电阻振荡和零电阻态等新奇物理现象的关键.基于反射率测量的微波回旋共振技术(RODCR),研究了高迁移率、低浓度GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气在Ka波段微波辐照下的... 掌握微波辐照下的电子态性质是理解高迁移率二维电子气在低磁场区的纵向电阻振荡和零电阻态等新奇物理现象的关键.基于反射率测量的微波回旋共振技术(RODCR),研究了高迁移率、低浓度GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气在Ka波段微波辐照下的电子态性质.通过在不同条件下的RODCR测量,具体讨论了微波交变电场方向、入射激光波长和温度等因素对RODCR测量结果的影响规律.研究结果表明,RODCR测量技术为研究二维电子系统的电子态性质提供了简便而有力的手段. 展开更多

关键词 微波 反射率 二维电子气 回旋共振

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掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性 被引量：3

14

作者 陈燕 邓爱红 +3 位作者 汤宝 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期298-301,共4页

分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb... 分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型. 展开更多

关键词 原子力显微镜 正电子湮没 X射线衍射

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In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响 被引量：1

15

作者 王志路 张志伟 孙宝权 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期151-155,共5页

研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子... 研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子尺度的差异 ,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。 展开更多

关键词 量子阱 低于带边发光 本征发光 光致发光 半导体

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GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化(英文)

16

作者 罗向东 徐仲英 葛惟琨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期109-113,共5页

我们利用光荧光 (PL)以及时间分辨光谱 (TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现 ,在低温下用连续光 (CW)激发 ,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源... 我们利用光荧光 (PL)以及时间分辨光谱 (TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现 ,在低温下用连续光 (CW)激发 ,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下 ,情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外 ,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究 ,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度“S” 展开更多

关键词 激子局域化 退局域化 GaNAs 量子阱 GAAS 砷化镓 半导体材料 光谱学 镓砷氮化合物

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GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性

17

作者 罗向东 徐仲英 +1 位作者 谭平恒 GE Wei-Kun 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期185-188,共4页

通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N... 通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义. 展开更多

关键词 GaNAs 激子局域化 光学性质 量子阱 半导体材料

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InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）

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作者 张静 吕红亮 +3 位作者 倪海桥 牛智川 张义门 张玉明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期679-682,687,共5页

为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM... 为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用. 展开更多

关键词 欧姆接触 快速热退火 InAs/AlSb异质结

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In_(0.49)Ga_(0.51)P中缺陷的俘获行为

19

作者 王海龙 封松林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期17-21,共5页

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能... 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３７ｅＶ的缺陷，该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间．该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动．在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效，俘获势垒为０．０６ｅＶ和０．４０ｅＶ的两个缺陷在俘获过程中被观测到。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 俘获势垒 铟镓磷 半导体 缺陷

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GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱(英文)

20

作者 钱轩 谷晓芳 姬扬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期486-489,510,共5页

基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,... 基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果. 展开更多

关键词 微波调制反射谱 二维电子系统

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