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玻璃球形微腔中量子点发光行为研究
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作者 贾锐 江德生 +4 位作者 陈京好 谭平恒 孙宝权 张敬波 林源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期421-425,共5页
制备出了尺寸在 μm量级的球形玻璃微腔 ,在球形微腔中嵌入了 Cd Se S半导体纳米团簇结构 .用一束激光激发单个微球时 ,球形微腔中 Cd Se S量子点的发光通过全内反射实现了球形回音壁模式的腔模共振 。
关键词 球形微腔 玻璃微球 CdSeS 量子点 回音壁模式 发光 半导体纳米团簇结构 腔模共振
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生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究 被引量:1
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作者 陈晔 李国华 +4 位作者 朱作明 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期53-56,共4页
测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 A... 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的 型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带 展开更多
关键词 压力 光致发光谱 InAlAs/AlGaAs自组织Ⅱ型量子点 Ⅱ型跃迁 Г能带跃迁 X能谷劈裂
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GaAs_(1-x)P_x:EL2(x=0~0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性
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作者 杨锡震 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期11-13,共3页
对实测GaAs1-xPx合金(x=0,0.04和0.08)三个样品中EL2中心的光猝灭截面谱σ*(hν)的温度依赖性进行了研究.随温度(T)由~40K升至~100K,三个样品的谱峰位均有红移;峰高Ip增高,增高速度随... 对实测GaAs1-xPx合金(x=0,0.04和0.08)三个样品中EL2中心的光猝灭截面谱σ*(hν)的温度依赖性进行了研究.随温度(T)由~40K升至~100K,三个样品的谱峰位均有红移;峰高Ip增高,增高速度随x增大而减小.σ*(hν)谱可近似拟合为两个高斯型成分的叠加.以上结果支持关于EL20/+中心存在两个激发态(e1,e2)的论点.解谱结果表明:0K时e1和e2的能级外推值e1(0)=1.016eV,e2(0)=1.046eV与x值无关. 展开更多
关键词 激发态 光猝灭 温度依赖性 砷化镓合金
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