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InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：2: 1; 作者马晓乐郭杰 +4 位作者郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期569-575,共7页; 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面... 展开更多; 关键词 INAS/GASB超晶格 GaSb体材料中短双色红外探测侧壁电阻率低串扰; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究被引量：1: 2; 作者罗向东徐仲英 +3 位作者潘钟李联合林耀望葛维琨《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期25-29,共5页; 用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局... 展开更多; 关键词 GaNAs 带阶光荧光谱光跃迁能带弯曲参数单量子阱 GAAS 发光性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaNAs的声子拉曼散射研究被引量：1: 3; 作者江德生孙宝权 +2 位作者谭平恒李连和潘钟《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期11-14,共4页; 对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带... 展开更多; 关键词 GaNAs 拉曼散射局域模振动分子束外延生长带模振动近红外光电子学; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）被引量：6: 4; 作者廖永平张宇 +6 位作者杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期672-675,共4页; 通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000... 展开更多; 关键词大功率激光二极管中红外量子阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnO/ZnS核-壳量子点的双光子吸收效应(英文) 被引量：4: 5; 作者刘姝妤钟绵增 +4 位作者孟秀清李京波王沅倩肖思何军《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期249-255,共7页; 利用飞秒激光Z-扫描与泵浦-探测技术,研究了室温下ZnO/ZnS与ZnO/ZnS/Ag核-壳胶体量子点的双光子吸收效应。研究发现:ZnO基核-壳量子点的本征双光子吸收系数比ZnO体材料增大了3个数量级;测量得到的660 nm处的ZnO/ZnS核-壳量子点双光子吸... 展开更多; 关键词双光子吸收 ZnO/ZnS核-壳量子点 Z-扫描技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器（英文）被引量：1: 6; 作者黄书山杨成奥 +5 位作者张宇谢圣文廖永平柴小力徐应强牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期653-656,共4页; 利用高阶Bragg光栅成功制备出Ga Sb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构. 16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17. 5 dB的单模激光输出. CW状态下室温最大单模输出... 展开更多; 关键词激光二极管量子阱红外; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：2: 1; 作者马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强牛智川; 机构云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室中国科学院大学材料科学与光电子工程中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期569-575,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(6177413011474248,61176127,61006085,61274013,61306013)。; 文摘采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。; 关键词 INAS/GASB超晶格 GaSb体材料中短双色红外探测侧壁电阻率低串扰; Keywords InAs/GaSb superlattice GaSb bulk material mid-/short-wave dual-band infrared detector side wall resistivity low optical cross-talk; 分类号 TN140.305.0 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究被引量：1: 2; 作者罗向东徐仲英潘钟李联合林耀望葛维琨; 机构中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室香港科技大学物理系; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期25-29,共5页; 基金国家自然科学基金! (编号 199740 45 )&&; 文摘用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b); 关键词 GaNAs 带阶光荧光谱光跃迁能带弯曲参数单量子阱 GAAS 发光性质; Keywords GaNAs band offset PL; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN204 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaNAs的声子拉曼散射研究被引量：1: 3; 作者江德生孙宝权谭平恒李连和潘钟; 机构中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室中国科学院半导体研究所光电子工艺中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期11-14,共4页; 基金国家自然科学基金! (编号 2 9890 2 17)&&; 文摘对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比。; 关键词 GaNAs 拉曼散射局域模振动分子束外延生长带模振动近红外光电子学; Keywords GaNAs Raman scattering local vibrational mode; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学] TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）被引量：6: 4; 作者廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川; 机构中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室中国科学技术大学量子信息与量子物理协同创新中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期672-675,共4页; 基金 Supported by National Basic Research Program of China(2014 CB643903,2013 CB932904) National Natural Science Foundation of China(61435012,61274125,and 61274013) +1 种基金 Strategic Priority Research Program(B)of Chinese Academy of Sciences(XDB01010200); 文摘通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W.; 关键词大功率激光二极管中红外量子阱; Keywords high power, laser diodes, infrared, quantum wells; 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnO/ZnS核-壳量子点的双光子吸收效应(英文) 被引量：4: 5; 作者刘姝妤钟绵增孟秀清李京波王沅倩肖思何军; 机构中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室浙江师范大学LED芯片研发中心中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期249-255,共7页; 基金国家自然科学基金(61222406,11174371,11104250) 湖南省自然科学基金(12JJ1001) +1 种基金教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0512)资助项目; 文摘利用飞秒激光Z-扫描与泵浦-探测技术,研究了室温下ZnO/ZnS与ZnO/ZnS/Ag核-壳胶体量子点的双光子吸收效应。研究发现:ZnO基核-壳量子点的本征双光子吸收系数比ZnO体材料增大了3个数量级;测量得到的660 nm处的ZnO/ZnS核-壳量子点双光子吸收截面约为4.3×10-44cm4·s·photon-1,比相应的ZnS、ZnS e及CdS量子点大2个数量级;当ZnO/ZnS核-壳量子点镶嵌了银纳米点时,非线性吸收有所增强。ZnO基复合纳米结构的双光子吸收增强可归因于量子限域与局域场效应。; 关键词双光子吸收 ZnO/ZnS核-壳量子点 Z-扫描技术; Keywords two-photon absorption ZnO/ZnS core/shell quantum dots Z-scan technique; 分类号 O471.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器（英文）被引量：1: 6; 作者黄书山杨成奥张宇谢圣文廖永平柴小力徐应强牛智川; 机构中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期653-656,共4页; 基金 Supported by National Basic Research Program of China(2014CB643903) National Natural Science Foundation of China(61790581,61435012); 文摘利用高阶Bragg光栅成功制备出Ga Sb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构. 16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17. 5 dB的单模激光输出. CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化,器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内,器件都保持单横模工作状态. 24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22. 5 dB.器件的激射波长都在2. 0μm左右.; 关键词激光二极管量子阱红外; Keywords laser diodes quantum well infrared; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器	马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究	罗向东徐仲英潘钟李联合林耀望葛维琨	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaNAs的声子拉曼散射研究	江德生孙宝权谭平恒李连和潘钟	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）	廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ZnO/ZnS核-壳量子点的双光子吸收效应(英文)	刘姝妤钟绵增孟秀清李京波王沅倩肖思何军	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器（英文）	黄书山杨成奥张宇谢圣文廖永平柴小力徐应强牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料