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Cu-In-S三元量子点的合成及其性能调控被引量：1: 1; 作者王海成张雪 +5 位作者周洁姚易吴瑞伟邓玲闫智然曹进《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期5106-5111,共6页; 采用前驱体分解法制备了Cu-In-S量子点,研究了制备工艺对Cu-In-S量子点的形貌以及光学性能的影响。实验结果表明,反应时间和反应温度可影响Cu-In-S纳米颗粒的尺寸和光学性能。随时间增加,Cu-In-S粒径变大,同时会伴随着棒状晶体的出现,... 展开更多; 关键词 CuInS 量子点化学合成 PL光谱 QLEDs; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能被引量：4: 2; 作者赵玲慧张连 +3 位作者王晓东路红喜王军喜曾一平《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1135-1139,共5页; 对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有... 展开更多; 关键词 INGAN GaN量子阱双波长局域激子发光极化效应 'droop'效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析被引量：3: 3; 作者黄亚军王良臣 +3 位作者刘志强伊晓燕王国宏李晋闽《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期861-863,871,共4页; 电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN... 展开更多; 关键词氮化镓垂直结构发光二极管电流分布激光剥离; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用被引量：2: 4; 作者陈琪尹越 +4 位作者任芳梁萌魏同波伊晓燕刘志强《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期899-912,共14页; Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量... 展开更多; 关键词石墨烯范德华外延 Ⅲ-Ⅴ化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文): 5; 作者吴清清闫建昌 +7 位作者张亮陈翔魏同波李杨刘志强魏学成王军喜李晋闽《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期56-61,共6页; 利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层,用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜,得到应力小裂纹少的外延材料。实验中,对hBN材料进行人为表面化学修饰,以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时... 展开更多; 关键词 ALN薄膜六方氮化硼 MOCVD 缺陷应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Cu-In-S三元量子点的合成及其性能调控被引量：1: 1; 作者王海成张雪周洁姚易吴瑞伟邓玲闫智然曹进; 机构北京科技大学材料物理与化学系上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室中国科学院半导体研究所照明研发中心; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期5106-5111,共6页; 基金国家自然科学基金(青年)资助项目(51101013) 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室(上海大学)开放课题资助项目(P201201); 文摘采用前驱体分解法制备了Cu-In-S量子点,研究了制备工艺对Cu-In-S量子点的形貌以及光学性能的影响。实验结果表明,反应时间和反应温度可影响Cu-In-S纳米颗粒的尺寸和光学性能。随时间增加,Cu-In-S粒径变大,同时会伴随着棒状晶体的出现,荧光发射谱的峰位发生红移。随反应温度升高,纳米晶的形核速率和长大速率增加,并且粒径也有增大,纳米晶的形状可以由单一的球形变为球形与棒状的混合,荧光谱峰位亦会发生红移。X射线光电子能谱分析表明,所制备颗粒为CuInS2纳米晶。为进一步制备无毒量子点发光器件(QLEDs)奠定了基础。; 关键词 CuInS 量子点化学合成 PL光谱 QLEDs; Keywords CuInS quantum dots synthesis PL spectra QLEDs; 分类号 O613.51 [理学—无机化学] O614.121 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能被引量：4: 2; 作者赵玲慧张连王晓东路红喜王军喜曾一平; 机构中国科学院半导体研究所照明研发中心; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1135-1139,共5页; 基金国家高技术研究发展计划项目(No.2011AA03A105)资助; 文摘对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有较大影响.对双波长发光二极管器件光学性质进行了研究,结果表明,InGaN/GaN量子阱发光更依赖于In团簇形成的局域激子发光,从而导致了小电流下的反常光学现象.通过数值计算材料内部极化场的强度,对波长漂移的原因进行了解释,并通过双波长发光效率拟合分析了发光二极管"droop"效应可能的产生机理.; 关键词 INGAN GaN量子阱双波长局域激子发光极化效应 'droop'效应; Keywords InGaN/GaN quantum well Dual-wavelength Localized exciton emitting Polarization effect ＂droop＂ effect; 分类号 O472.8 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析被引量：3: 3; 作者黄亚军王良臣刘志强伊晓燕王国宏李晋闽; 机构中国科学院半导体研究所照明研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期861-863,871,共4页; 文摘电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LEDs电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LEDs的电流分布均匀性得到了明显改善,同时正向电压降低约7%。最后,通过晶片键合与激光剥离技术,制备了垂直结构GaN基LEDs,测试结果表明,实验结果和理论计算值相吻合。该结果对GaN基LEDs器件的优化设计具有重要指导意义。; 关键词氮化镓垂直结构发光二极管电流分布激光剥离; Keywords GaN vertical structure LEDs current distribution laser lift-off; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用被引量：2: 4; 作者陈琪尹越任芳梁萌魏同波伊晓燕刘志强; 机构中国科学院半导体研究所照明研发中心中国科学院大学北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期899-912,共14页; 基金国家重点研发计划(2017YFB0403300,2017YFB0403302) 国家自然科学基金(61974140)资助项目。; 文摘 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量外延层,而范德华外延已被证实可以有效放宽外延层与衬底层间晶格失配与热失配要求,有利于外延层的应力释放与质量提高,同时也易于外延层从衬底上剥离转移,为制备Ⅲ-Ⅴ化合物基新型光电子器件提供了便利。本文对二维(2D)材料、Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德华外延过程以及使用范德华外延制备的Ⅲ-N基光电子器件的各项研究进行了讨论分析,并对其前景进行了展望。; 关键词石墨烯范德华外延 Ⅲ-Ⅴ化合物; Keywords graphene van der Waals epitaxy Ⅲ-Ⅴcompound; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文): 5; 作者吴清清闫建昌张亮陈翔魏同波李杨刘志强魏学成王军喜李晋闽; 机构中国科学院半导体研究所照明研发中心中国科学院大学北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期56-61,共6页; 基金 The National Key Research and Development Program(Nos.2016YFB04000803,2016YFB04000802) the National Natural Sciences Foundation of China(Nos.61376047,61527814,61674147,61376090,61204053) +2 种基金 the National 1000Young Talents Program,and Youth Innovation Promotion Association CAS; 文摘利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层,用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜,得到应力小裂纹少的外延材料。实验中,对hBN材料进行人为表面化学修饰,以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时生长的AlN薄膜质量,证实了hBN有助于减少AlN外延层中的裂纹,空气孔隙及应力。研究了V/III生长参数对AlN薄膜表面形貌、晶体质量和应力的影响,得到合适的生长窗口,获得完全无应力的氮化铝外延层,且其位错密度与蓝宝石上生长的氮化铝相当.; 关键词 ALN薄膜六方氮化硼 MOCVD 缺陷应力; Keywords A1N films Hexagonal BN MOCVD Defect Stress; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Cu-In-S三元量子点的合成及其性能调控	王海成张雪周洁姚易吴瑞伟邓玲闫智然曹进	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能	赵玲慧张连王晓东路红喜王军喜曾一平	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析	黄亚军王良臣刘志强伊晓燕王国宏李晋闽	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用	陈琪尹越任芳梁萌魏同波伊晓燕刘志强	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文)	吴清清闫建昌张亮陈翔魏同波李杨刘志强魏学成王军喜李晋闽	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料