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过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较: 1; 作者姜丽娟王晓亮 +5 位作者王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期197-201,共5页; 实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂... 展开更多; 关键词稀磁半导体氮化镓稀土族元素离子注入快速退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征: 2; 作者肖红领王晓亮 +8 位作者张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期206-209,共4页; 设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了... 展开更多; 关键词 HEMT 异质结构氮化铝插入层电学性能二维电子气; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlN原料的钨网炉高温提纯被引量：2: 3; 作者刘京明刘彤 +5 位作者杨俊陶东言段满龙董志远赵有文李百泉《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期601-604,共4页; 商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提... 展开更多; 关键词氮化铝钨网炉杂质提纯; 在线阅读下载PDF 职称材料

缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响被引量：6: 4; 作者吴洁君韩修训 +6 位作者李杰民黎大兵魏宏远康亭亭王晓晖刘祥林王占国《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期466-470,共5页; 本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角Ga... 展开更多; 关键词缓冲层厚度 GAN 蓝宝石衬底 MOCVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较: 1; 作者姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵; 机构中国科学院半导体研究所材料中心中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期197-201,共5页; 基金国家自然科学基金(60576046 60606002) +2 种基金 513270605) 中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02); 文摘实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。; 关键词稀磁半导体氮化镓稀土族元素离子注入快速退火; Keywords diluted magnetic semiconductor GaN rare-earth ion implantation RTA; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征: 2; 作者肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵; 机构中国科学院半导体研究所材料科学中心中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期206-209,共4页; 基金国家自然科学基金(60576046 60606002) +2 种基金 613270805) 中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02); 文摘设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。; 关键词 HEMT 异质结构氮化铝插入层电学性能二维电子气; Keywords HEMT heterostructure AlN interlayer electrical property 2DEG; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlN原料的钨网炉高温提纯被引量：2: 3; 作者刘京明刘彤杨俊陶东言段满龙董志远赵有文李百泉; 机构中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室北京华进创威电子有限公司氮化铝研发中心; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期601-604,共4页; 文摘商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。; 关键词氮化铝钨网炉杂质提纯; Keywords A1N Tungsten mesh furnace impurities purification; 分类号 O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响被引量：6: 4; 作者吴洁君韩修训李杰民黎大兵魏宏远康亭亭王晓晖刘祥林王占国; 机构中国科学院半导体研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期466-470,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60376013 60136020)资助; 文摘本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致。用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LTGaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显。通过分析进一步确认LTGaN缓冲层的最优生长时间。; 关键词缓冲层厚度 GAN 蓝宝石衬底 MOCVD; Keywords buffer layer thickness GaN sapphire substrate MOCVD; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较	姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征	肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlN原料的钨网炉高温提纯	刘京明刘彤杨俊陶东言段满龙董志远赵有文李百泉	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响	吴洁君韩修训李杰民黎大兵魏宏远康亭亭王晓晖刘祥林王占国	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	6	在线阅读下载PDF 职称材料