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赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
1
作者
王晓光
常勇
+4 位作者
桂永胜
褚君浩
曹昕
曾一平
孔梅影
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期333-337,共5页
测量了一系列不同隔离层 (spacer)厚度、阱宽和硅 δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管 (p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱 ,详细研究了 (el- hh1)和 (e2 - hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制 ,并运用有限差...
测量了一系列不同隔离层 (spacer)厚度、阱宽和硅 δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管 (p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱 ,详细研究了 (el- hh1)和 (e2 - hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制 ,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率 ,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化 .
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关键词
量子阱
光致发光性质
Δ掺杂
砷化镓
半导体
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职称材料
空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
2
作者
曹国华
关敏
+2 位作者
曹俊松
李林森
曾一平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期390-392,共3页
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高...
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。
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关键词
有机电致发光
空穴注入
异质结
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职称材料
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
3
作者
周文政
代娴
+4 位作者
林铁
商丽燕
崔利杰
曾一平
褚君浩
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1027-1031,共5页
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子...
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。
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关键词
量子阱
二维电子气
磁输运
零场自旋分裂
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职称材料
题名
赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
1
作者
王晓光
常勇
桂永胜
褚君浩
曹昕
曾一平
孔梅影
机构
中国科学院
上海技术物理
研究所
中国科学院半导体研究所新材料部
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期333-337,共5页
基金
国家自然科学基金!(编号 618760 42 )
"九五"国家重点科技攻关项目基金!(编号 97-770 -0 1-0 1)资助项目&&
文摘
测量了一系列不同隔离层 (spacer)厚度、阱宽和硅 δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管 (p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱 ,详细研究了 (el- hh1)和 (e2 - hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制 ,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率 ,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化 .
关键词
量子阱
光致发光性质
Δ掺杂
砷化镓
半导体
Keywords
p HEMTs, quantum well, photoluminescence.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
2
作者
曹国华
关敏
曹俊松
李林森
曾一平
机构
中国科学院半导体研究所新材料部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期390-392,共3页
基金
国家自然科学基金(60876043)
文摘
分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。
关键词
有机电致发光
空穴注入
异质结
Keywords
organic electroluminescent devices
hole injection
heterojunction
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
3
作者
周文政
代娴
林铁
商丽燕
崔利杰
曾一平
褚君浩
机构
广西大学物理
科学
与工程技术
学院
广西大学行健文理
学院
中国科学院
上海技术物理
研究所
红外物理国家重点实验室
华东师范大学极化
材料
与器件教育部重点实验室
中国科学院半导体研究所新材料部
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1027-1031,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60906045)
广西大学科研基金资助项目(X071109
XB2090777)
文摘
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。
关键词
量子阱
二维电子气
磁输运
零场自旋分裂
Keywords
quantum well
two-dimensional electron gas
magneto-transport
zero-field spin splitting
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
王晓光
常勇
桂永胜
褚君浩
曹昕
曾一平
孔梅影
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响
曹国华
关敏
曹俊松
李林森
曾一平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
周文政
代娴
林铁
商丽燕
崔利杰
曾一平
褚君浩
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引证文献
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