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6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究
被引量：
4
1
作者
尚也淳
张义门
+1 位作者
张玉明
刘忠立
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2003年第3期389-394,共6页
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具...
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。
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关键词
6H-SIC
MOS结构
电特性
辐照效应
平带电压
退火
漏电流
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职称材料
题名
6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究
被引量：
4
1
作者
尚也淳
张义门
张玉明
刘忠立
机构
中国科学院半导体研究所微电子研发中心
西安
电子
科技大学
微电子
研究所
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2003年第3期389-394,共6页
文摘
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。
关键词
6H-SIC
MOS结构
电特性
辐照效应
平带电压
退火
漏电流
Keywords
SiC MOS structure, Radiation, Flat-band voltage, Annealing
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究
尚也淳
张义门
张玉明
刘忠立
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2003
4
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