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不同状态CaAs表面上Au淀积研究: 1; 作者王大文钟战天 +1 位作者范越牟善明《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期109-114,127,共7页; 利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温... 展开更多; 关键词淀积 AU CaAs 覆盖层衬底温度粗糙度生长模式生长机理金属态退火温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

RTCVD 工艺制备 poly-Si 薄膜太阳电池的研究: 2; 作者赵玉文李仲明 +5 位作者何少琪王文静寥显伯盛殊然邓礼生潘广勤《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期152-155,共4页; 报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与... 展开更多; 关键词多晶硅薄膜太阳电池 RTCVD 薄膜太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响: 3; 作者王大文钟战天 +1 位作者范越牟善明《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期234-239,233,共7页; 利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga... 展开更多; 关键词表面处理方式 Au/GaAs 退火温度淀积表面处理方法原子态束缚能化学位移金属态端移动; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应: 4; 作者陈维德 H.Bender 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第5期408-412,共5页; 在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消... 展开更多; 关键词硅化合物绝缘材料电子束离子束; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同状态CaAs表面上Au淀积研究: 1; 作者王大文钟战天范越牟善明; 机构清华大学电子工程系中国科学院半导体研究所国和家表面物理实验室中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期109-114,127,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。; 关键词淀积 AU CaAs 覆盖层衬底温度粗糙度生长模式生长机理金属态退火温度; 分类号 TB7-55 [一般工业技术—真空技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RTCVD 工艺制备 poly-Si 薄膜太阳电池的研究: 2; 作者赵玉文李仲明何少琪王文静寥显伯盛殊然邓礼生潘广勤; 机构北京市太阳能研究所中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期152-155,共4页; 文摘报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备１ｃｍ２的ｐ＋ｎ结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为４．５４％（ＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ２，２５℃）。; 关键词多晶硅薄膜太阳电池 RTCVD 薄膜太阳电池; Keywords polycrystalline silicon films,solar cells,rapid thermal chemical vapor deposition; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响: 3; 作者王大文钟战天范越牟善明; 机构清华大学电子工程系中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期234-239,233,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga、As含量随退火温度升高而等量增加;温度高于225℃时,As开始逸出。热退火同时还会使Au芯能级位置向高束缚能端移动。; 关键词表面处理方式 Au/GaAs 退火温度淀积表面处理方法原子态束缚能化学位移金属态端移动; 分类号 TB7-55 [一般工业技术—真空技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应: 4; 作者陈维德 H.Bender; 机构中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室比利时大学际微电子中心; 出处《真空科学与技术》 CSCD 1992年第5期408-412,共5页; 文摘在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。; 关键词硅化合物绝缘材料电子束离子束; 分类号 TM21 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	不同状态CaAs表面上Au淀积研究	王大文钟战天范越牟善明	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD	1990	在线阅读下载PDF 职称材料
2	RTCVD 工艺制备 poly-Si 薄膜太阳电池的研究	赵玉文李仲明何少琪王文静寥显伯盛殊然邓礼生潘广勤	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1998	在线阅读下载PDF 职称材料
3	表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响	王大文钟战天范越牟善明	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD	1990	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应	陈维德 H.Bender	《真空科学与技术》 CSCD	1992	在线阅读下载PDF 职称材料