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实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器: 1; 作者熊飞克郭良 +3 位作者马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第11期1-3,共3页; 用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０... 展开更多; 关键词半导体激光器量子阱 GAINP ALGAINP; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 2; 作者刘斌张敬明 +1 位作者马骁宇肖建伟《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非... 展开更多; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 COD 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵被引量：4: 3; 作者方高瞻肖建伟 +4 位作者马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第12期9-11,共3页; 报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的... 展开更多; 关键词非注入区 COD GAAS/ALGAAS 激光二级管列阵腔面固件激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

准连续5kW叠层激光二极管列阵: 4; 作者方高瞻肖建伟 +3 位作者马骁宇谭满清冯小明潘贵生《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第5期41-44,共4页; 报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,... 展开更多; 关键词激光二极管列阵 GAAS/ALGAAS 准连续叠层固体激光器砷化镓砷铝镓化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器: 5; 作者张敬明徐遵图 +6 位作者杨国文李世祖郑婉华何晓曦肖建伟徐俊英陈良惠《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第9期36-40,共5页; 报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ｐｓ特性。该激光器激射波长约为８５０ｎｍ，调谐宽度为７ｎｍ。; 关键词激光器光脉冲放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器: 1; 作者熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第11期1-3,共3页; 基金 863计划; 文摘用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。; 关键词半导体激光器量子阱 GAINP ALGAINP; Keywords Laser diode, Visible laser, Quantum well, AlGaInP; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 2; 作者刘斌张敬明马骁宇肖建伟; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 文摘报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 COD 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; Keywords 980nm semiconductor lasers,reliability,ion implantation,non-injection regions,COD; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵被引量：4: 3; 作者方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第12期9-11,共3页; 基金国家杰出青年基金资助项目; 文摘报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高 4 0 %。器件在连续 15W下恒功老化 ,工作寿命超过 50 0 0h。; 关键词非注入区 COD GAAS/ALGAAS 激光二级管列阵腔面固件激光器; Keywords Laser diode arrays, Non injection regions, COD, GaAs/AlGaAs; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准连续5kW叠层激光二极管列阵: 4; 作者方高瞻肖建伟马骁宇谭满清冯小明潘贵生; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第5期41-44,共4页; 文摘报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,峰值波长是 80 9 0nm ,谱线宽度是 4 8nm。; 关键词激光二极管列阵 GAAS/ALGAAS 准连续叠层固体激光器砷化镓砷铝镓化合物; Keywords Laser diode arrays, Stack, GaAs/AlGaAs; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器: 5; 作者张敬明徐遵图杨国文李世祖郑婉华何晓曦肖建伟徐俊英陈良惠; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第9期36-40,共5页; 基金 863计划资助; 文摘报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ｐｓ特性。该激光器激射波长约为８５０ｎｍ，调谐宽度为７ｎｍ。; 关键词激光器光脉冲放大器; Keywords Junction lasers,Optical pulses and switching,Waveguide,Bistuble; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器	熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠	《高技术通讯》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究	刘斌张敬明马骁宇肖建伟	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2003	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵	方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2000	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	准连续5kW叠层激光二极管列阵	方高瞻肖建伟马骁宇谭满清冯小明潘贵生	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器	张敬明徐遵图杨国文李世祖郑婉华何晓曦肖建伟徐俊英陈良惠	《高技术通讯》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料