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不同状态CaAs表面上Au淀积研究
1
作者
王大文
钟战天
+1 位作者
范越
牟善明
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第2期109-114,127,共7页
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温...
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。
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关键词
淀积
AU
CaAs
覆盖层
衬底温度
粗糙度
生长模式
生长机理
金属态
退火温度
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职称材料
题名
不同状态CaAs表面上Au淀积研究
1
作者
王大文
钟战天
范越
牟善明
机构
清华大学电子工程系
中国科学院半导体研究所国和家表面物理实验室
中国科学院半导体研究所
和
国
家
表面
物理
实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第2期109-114,127,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。
关键词
淀积
AU
CaAs
覆盖层
衬底温度
粗糙度
生长模式
生长机理
金属态
退火温度
分类号
TB7-55 [一般工业技术—真空技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同状态CaAs表面上Au淀积研究
王大文
钟战天
范越
牟善明
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990
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