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GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱
1
作者
汤寅生
江德生
+1 位作者
庄蔚华
K.Ploog
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期354-357,共4页
异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,...
异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,例如空间电荷分离,载流子局域在未掺杂区内等。这个结构最早是由德国的Dohler等所研究。
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关键词
GAAS
GAALAS
超晶格
荧光光谱
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职称材料
题名
GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱
1
作者
汤寅生
江德生
庄蔚华
K.Ploog
机构
中国科
技大学
结构
分析中心和基础物理中心
中国科学院半导体研究所和国家超晶格及有关微结构实验室
Maxplanck Institute for Solid State Research
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期354-357,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,例如空间电荷分离,载流子局域在未掺杂区内等。这个结构最早是由德国的Dohler等所研究。
关键词
GAAS
GAALAS
超晶格
荧光光谱
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱
汤寅生
江德生
庄蔚华
K.Ploog
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
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