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不同状态CaAs表面上Au淀积研究
1
作者
王大文
钟战天
+1 位作者
范越
牟善明
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第2期109-114,127,共7页
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温...
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。
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关键词
淀积
AU
CaAs
覆盖层
衬底温度
粗糙度
生长模式
生长机理
金属态
退火温度
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职称材料
SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应
2
作者
陈维德
H.Bender
《真空科学与技术》
CSCD
1992年第5期408-412,共5页
在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消...
在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。
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关键词
硅化合物
绝缘材料
电子束
离子束
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职称材料
题名
不同状态CaAs表面上Au淀积研究
1
作者
王大文
钟战天
范越
牟善明
机构
清华大学电子工程系
中国科学院半导体研究所
国和家
表面
物理
实验室
中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第2期109-114,127,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。
关键词
淀积
AU
CaAs
覆盖层
衬底温度
粗糙度
生长模式
生长机理
金属态
退火温度
分类号
TB7-55 [一般工业技术—真空技术]
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职称材料
题名
SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应
2
作者
陈维德
H.Bender
机构
中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室
比利时大学际微电子中心
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1992年第5期408-412,共5页
文摘
在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。
关键词
硅化合物
绝缘材料
电子束
离子束
分类号
TM21 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同状态CaAs表面上Au淀积研究
王大文
钟战天
范越
牟善明
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990
0
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职称材料
2
SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应
陈维德
H.Bender
《真空科学与技术》
CSCD
1992
0
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职称材料
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