期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性
被引量：
2
1
作者
王雪
刘乃鑫
+7 位作者
王兵
郭亚楠
张晓娜
郭凯
李勇强
张童
闫建昌
李晋闽
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期898-903,共6页
在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。...
在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。进一步优化Ni/Au/Ni/Au体系金属厚度,当Ni/Au/Ni/Au各层厚度由20/20/20/20 nm减薄至2/2/5/5 nm,并在600℃空气氛围退火3 min,其与p-AlGaN材料的接触电阻率从3.23×10^(-1)Ω·cm^(2)降到2.58×10^(-4)Ω·cm^(2)。采用上述优化的Ni/Au/Ni/Au体系制备的深紫外LED器件,器件光电特性得到了改善。在150 mA驱动下工作电压低至5.8 V;通过提升电极透过率,光输出功率提升18.9%。
展开更多
关键词
UV-LED
ALGAN
NiAu
欧姆接触
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性
被引量：
2
1
作者
王雪
刘乃鑫
王兵
郭亚楠
张晓娜
郭凯
李勇强
张童
闫建昌
李晋闽
机构
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
中国科学院半导体研究所半导体照明技术研究开发中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期898-903,共6页
基金
山西省重点研发计划(202102030201007)
山西省关键核心技术和共性技术研发攻关(20201102013)。
文摘
在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。进一步优化Ni/Au/Ni/Au体系金属厚度,当Ni/Au/Ni/Au各层厚度由20/20/20/20 nm减薄至2/2/5/5 nm,并在600℃空气氛围退火3 min,其与p-AlGaN材料的接触电阻率从3.23×10^(-1)Ω·cm^(2)降到2.58×10^(-4)Ω·cm^(2)。采用上述优化的Ni/Au/Ni/Au体系制备的深紫外LED器件,器件光电特性得到了改善。在150 mA驱动下工作电压低至5.8 V;通过提升电极透过率,光输出功率提升18.9%。
关键词
UV-LED
ALGAN
NiAu
欧姆接触
Keywords
UV-LED
AlGaN,NiAu
Ohmic contact
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性
王雪
刘乃鑫
王兵
郭亚楠
张晓娜
郭凯
李勇强
张童
闫建昌
李晋闽
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
