半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究

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作者 韩培德 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第1期44-50,共7页

应用电子显微镜首次在ＺｎＴｅ外延膜中观察到分布在（１１１）和（１１１）滑移面上、宽度为４０ｎｍ的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为三个相同的〈１１２〉ａ／６。在进行了各种衍衬的分析和模拟之... 应用电子显微镜首次在ＺｎＴｅ外延膜中观察到分布在（１１１）和（１１１）滑移面上、宽度为４０ｎｍ的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为三个相同的〈１１２〉ａ／６。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后，这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应。 展开更多

关键词 碲化锌 砷化镓 三重位错带 半导体材料 异质结构

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氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文) 被引量：1

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作者 韩培德 刘祥林 +3 位作者 王晓晖 汪度 陆大成 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期33-37,共5页

用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当... 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当衬底表面是背籽晶面时 ,生长的氮化镓薄膜则为 ( 0 0 0 1 )取向。 展开更多

关键词 极性 GaN/Al2O3 MOVPE

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MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED 被引量：1

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作者 王晓晖 刘祥林 +3 位作者 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第2期38-39,共2页

采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入... 采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入电流小于 4 0mA时 ,发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的In GaN单量子阱结构的绿光LED。 展开更多

关键词 MOVPE INGAN 单量子阱 绿光LED 发光二极管

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三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文) 被引量：1

4

作者 陈振 袁海荣 +5 位作者 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期17-20,共4页

采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流... 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。 展开更多

关键词 GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE

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三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)

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作者 陈振 袁海荣 +5 位作者 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期17-20,共4页

采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流... 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。 展开更多

关键词 GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE

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国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

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作者 陆大成 汪度 +2 位作者 刘祥林 王晓晖 董建荣 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第8期5-9,共5页

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧ... 利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 展开更多

关键词 金属有机物 气相外延 量子阱 晶格

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在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)

7

作者 袁海荣 陈振 +4 位作者 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期29-32,共4页

报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ... 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。 展开更多

关键词 形貌发展 GAN外延层

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在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)

8

作者 袁海荣 陈振 +4 位作者 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期29-32,共4页

报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ... 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。 展开更多

关键词 形貌发展 GAN外延层

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MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑

9

作者 陆大成 段树坤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期13-16,共4页

本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用摩尔量来计算的.我们计算了在不同生长条件下,与GaN晶格... 本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用摩尔量来计算的.我们计算了在不同生长条件下,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x-yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系.计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相.为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高V/Ⅲ比值和降低氨分解率. 展开更多

关键词 GaAlInN MOVPE 膺热力学分析

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生长氮化物四元系的热力学考虑(英文)

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作者 陆大成 段树坤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期13-16,共4页

本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x -yN的膺热力学分析模型。假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3 之间反应生成的。为了计算氨分解的影响 ,在模型中引入了氨分解率的概念 ,质量守恒方程是用摩尔量来计算的。我们计算了在不同生长条件下 ,与... 本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x -yN的膺热力学分析模型。假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3 之间反应生成的。为了计算氨分解的影响 ,在模型中引入了氨分解率的概念 ,质量守恒方程是用摩尔量来计算的。我们计算了在不同生长条件下 ,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x -yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系。计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相。为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高Ⅴ/Ⅲ比值和降低氨分解率。 展开更多

关键词 GaAlInN MOVPE 膺热力学分析

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GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响

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作者 李桂英 李永良 +2 位作者 王亚非 杨锡震 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页

用化学腐蚀配合扫描电镜（ＳＥＭ）对几种不同来源的国产ＧａＰＮ液相外延（ＬＰＥ）材料及各自的衬底的位错密度ＮＤ和发光亮度进行了测量．结果表明：样品的发光亮度随ＬＰＥ层的ＮＤ降低而升高，降低衬底的ＮＤ可降低ＬＰＥ层的ＮＤ．

关键词 位错密度 发光二极管 LPE 发光性能 磷化镓

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GaP:N LED p型层厚度的优化

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作者 李桂英 杨锡震 +3 位作者 王亚非 李永良 赵普琴 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-3,共3页

实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降低抽取效率．综合考虑这两方面的影响，选取有关参数。

关键词 结构优化 发光二极管 磷化镓 厚度 P型层

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