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蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
1
作者
吴猛
曾一平
+1 位作者
王军喜
胡强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期760-764,共5页
低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN(LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN),发现过厚或者...
低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN(LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响。
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关键词
氮化镓
蓝宝石图形衬底
选择性生长
发光二极管
缓冲层
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职称材料
题名
蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
1
作者
吴猛
曾一平
王军喜
胡强
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心
中国科学院半导体研究所
半导体
材料
科学
重点实验室
中国科学院半导体研究所
半导体
照明研发
中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期760-764,共5页
文摘
低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN(LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响。
关键词
氮化镓
蓝宝石图形衬底
选择性生长
发光二极管
缓冲层
Keywords
GaN
patterned sapphire substrate（PSS）
selective growth
LED
buffer layer
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
吴猛
曾一平
王军喜
胡强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
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