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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2: 1; 作者李昱峰韩培德 +6 位作者陈振黎大兵王占国刘祥林陆大成王晓晖汪度《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期380-384,T001,共6页; 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,... 展开更多; 关键词 INGAN 量子点诱导生长发光特性微观形貌氮镓铟化合物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能近红外硅光电倍增管的设计: 2; 作者陈力颖左金程传同《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2024年第6期73-79,88,共8页; 为了进一步提高硅光电倍增管在近红外波段的光子探测效率,提出了一种平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和一种基于倒金字塔结构的硅光电倍增管。通过各向异性腐蚀形成倒金字塔结构,在倒金字塔4个侧面以离子注入的方式形成p-enrich区域,... 展开更多; 关键词硅光电倍增管倒金字塔结构近红外光子探测效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟: 3; 作者李欢牛萍娟 +4 位作者杨广华李俊一张宇常旭张秀乐《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第3期440-443,共4页; 介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和... 展开更多; 关键词光电探测器锗硅缓冲层 Silvaco; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用WDM光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术被引量：13: 4; 作者田珂珂肖浩 +2 位作者曹春耕刘育梁王启明《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期49-51,55,共4页; 根据 WDM 光纤耦合器波长解调方案的工作原理、偏振特性以及影响系统波长分辨力的因素,提出一种改进的利用 WDM 光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术。该技术在原技术的基础上,采用偏振控制器控制入射光偏振状态,提高了解调的精度和稳定... 展开更多; 关键词光纤光栅光纤耦合器应变传感器解调; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向无源超高频标签的低成本非易失存储器被引量：2: 5; 作者谷永胜冯鹏 +2 位作者张胜广吴南健赵柏秦《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期488-494,共7页; 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享... 展开更多; 关键词射频识别(RFID) 非易失存储器(NVM) 标准CMOS工艺低成本; 在线阅读下载PDF 职称材料

超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计被引量：1: 6; 作者张胜广冯鹏 +3 位作者杨建红谷永胜吴南健赵柏秦《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期88-92,共5页; 为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路... 展开更多; 关键词开启电压补偿振幅键控(ASK) 解调器高灵敏度射频识别(RFID); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2: 1; 作者李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国刘祥林陆大成王晓晖汪度; 机构中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期380-384,T001,共6页; 基金国家自然科学基金(60086001) 国家重点基础研究专项经费(G20000683)资助项目; 文摘降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。; 关键词 INGAN 量子点诱导生长发光特性微观形貌氮镓铟化合物半导体; Keywords InGaN quantum dots induced growth micro-morphology luminescence; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能近红外硅光电倍增管的设计: 2; 作者陈力颖左金程传同; 机构天津工业大学电子与信息工程学院天津工业大学天津市光电检测技术与系统重点实验室中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2024年第6期73-79,88,共8页; 基金国家重点研发计划项目(2018YFA0209000) 国家自然科学基金青年项目(61904173)。; 文摘为了进一步提高硅光电倍增管在近红外波段的光子探测效率,提出了一种平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和一种基于倒金字塔结构的硅光电倍增管。通过各向异性腐蚀形成倒金字塔结构,在倒金字塔4个侧面以离子注入的方式形成p-enrich区域,增大了PN结的结面积,加大了有效光探测面积,提高了几何填充因子,从而在一定程度上提高了光子探测效率,并对相同掺杂浓度的平面型硅光电倍增管和基于倒金字塔结构的硅光电倍增管结构进行仿真。结果表明:2种器件的击穿电压约为-13 V;微单元尺寸为20μm、过电压6 V时900 nm处的平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和基于倒金字塔结构的硅光电倍增管的光子探测效率分别为11.2%和15.6%,说明2种结构均能够对近红外波段的光进行有效探测,而基于倒金字塔结构的硅光电倍增管能够提高器件近红外波段的光子探测效率。; 关键词硅光电倍增管倒金字塔结构近红外光子探测效率; Keywords silicon photomultiplier inverted pyramid near infrared photon detection efficiency; 分类号 TN152 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟: 3; 作者李欢牛萍娟杨广华李俊一张宇常旭张秀乐; 机构天津工业大学信息与通信工程学院中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心河北工业大学土木工程学院交通工程系; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第3期440-443,共4页; 基金国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030); 文摘介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8×10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想。采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结。; 关键词光电探测器锗硅缓冲层 Silvaco; Keywords Photo-detector SiGe Buffer layers Silvaco; 分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用WDM光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术被引量：13: 4; 作者田珂珂肖浩曹春耕刘育梁王启明; 机构中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心中国科学院研究生院北京品傲光电科技有限公司; 出处《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期49-51,55,共4页; 文摘根据 WDM 光纤耦合器波长解调方案的工作原理、偏振特性以及影响系统波长分辨力的因素,提出一种改进的利用 WDM 光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术。该技术在原技术的基础上,采用偏振控制器控制入射光偏振状态,提高了解调的精度和稳定性。对 WDM 光纤耦合器的多次波长扫描结果表明,采用偏振控制器后,其波长误差可减小到 5pm 左右。实验采用 1540/1560nm的 WDM 光纤耦合器对单点光纤光栅应变传感器进行静态解调,结果表明:按此技术开发的解调系统具有 0.01nm 波长分辨力和 10nm 的波长线性解调范围。; 关键词光纤光栅光纤耦合器应变传感器解调; Keywords Optical fiber grating Optical fiber couplers Strain sensors Demodulation; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向无源超高频标签的低成本非易失存储器被引量：2: 5; 作者谷永胜冯鹏张胜广吴南健赵柏秦; 机构中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期488-494,共7页; 基金国家科技支撑计划资助项目(2012BAH20B02) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA012301) +1 种基金自然科学基金资助项目(61306027); 文摘面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。; 关键词射频识别(RFID) 非易失存储器(NVM) 标准CMOS工艺低成本; Keywords radio frequency identification（RFID） non-volatile memory（NVM） standard CMOS process low cost; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计被引量：1: 6; 作者张胜广冯鹏杨建红谷永胜吴南健赵柏秦; 机构兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期88-92,共5页; 基金国家科技支撑项目(2012BAH20B02) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA012301); 文摘为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16^+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。; 关键词开启电压补偿振幅键控(ASK) 解调器高灵敏度射频识别(RFID); Keywords threshold voltage compensation amplitude shift keying （ASK） demodulator high sensitivity radio frequency identification （RFID）; 分类号 TN76 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究	李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国刘祥林陆大成王晓晖汪度	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高性能近红外硅光电倍增管的设计	陈力颖左金程传同	《天津工业大学学报》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟	李欢牛萍娟杨广华李俊一张宇常旭张秀乐	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	利用WDM光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术	田珂珂肖浩曹春耕刘育梁王启明	《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	13	在线阅读下载PDF 职称材料
5	面向无源超高频标签的低成本非易失存储器	谷永胜冯鹏张胜广吴南健赵柏秦	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计	张胜广冯鹏杨建红谷永胜吴南健赵柏秦	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料