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金刚石半导体材料和器件的研究现状
被引量:
6
1
作者
陈亚男
张烨
+7 位作者
郁万成
龚猛
杨霏
刘瑞
王嘉铭
李玲
金鹏
王占国
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第4期217-228,共12页
简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了...
简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向。最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望。
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关键词
金刚石
迁移率
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)
掺杂
器件
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职称材料
MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状
被引量:
10
2
作者
付方彬
金鹏
+3 位作者
刘雅丽
龚猛
吴巨
王占国
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第9期571-581,587,共12页
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及...
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。
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关键词
金刚石
宽禁带
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)
同质外延生长
掺杂
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职称材料
双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
3
作者
陈红梅
安琪
+6 位作者
吴艳华
王飞飞
胡发杰
李新坤
金鹏
吴巨
王占国
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第5期286-296,共11页
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减...
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。
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关键词
超辐射发光管(SLD)
量子点(QD)
双注入区结构
器件模型
结构参数
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职称材料
题名
金刚石半导体材料和器件的研究现状
被引量:
6
1
作者
陈亚男
张烨
郁万成
龚猛
杨霏
刘瑞
王嘉铭
李玲
金鹏
王占国
机构
中国科学院半导体研究所
半导体
材料
科学
重点
实验室
中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室
中国科学院
大学
材料
科学
与光电技术
学院
全球能源互联网
研究
院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第4期217-228,共12页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
北京市科技计划项目(D16110300430000)
国网科技项目(5455DW150013)
文摘
简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向。最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望。
关键词
金刚石
迁移率
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)
掺杂
器件
Keywords
diamond
mobility
microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD)
doping
device
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状
被引量:
10
2
作者
付方彬
金鹏
刘雅丽
龚猛
吴巨
王占国
机构
中国科学院半导体研究所
半导体
材料
科学
重点
实验室
中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第9期571-581,587,共12页
基金
北京市科技计划项目(Z151100003315024)
文摘
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。
关键词
金刚石
宽禁带
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)
同质外延生长
掺杂
Keywords
diamond
wide band gap
microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD)
homoepitaxial growth
doping
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
3
作者
陈红梅
安琪
吴艳华
王飞飞
胡发杰
李新坤
金鹏
吴巨
王占国
机构
中国科学院半导体研究所
半导体
材料
科学
重点
实验室
中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第5期286-296,共11页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274072
60976057)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA014201)
文摘
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。
关键词
超辐射发光管(SLD)
量子点(QD)
双注入区结构
器件模型
结构参数
Keywords
superluminescent diode(SLD)
quantum dot(QD)
two-section structure
device model
structure parameter
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石半导体材料和器件的研究现状
陈亚男
张烨
郁万成
龚猛
杨霏
刘瑞
王嘉铭
李玲
金鹏
王占国
《微纳电子技术》
北大核心
2017
6
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下载PDF
职称材料
2
MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状
付方彬
金鹏
刘雅丽
龚猛
吴巨
王占国
《微纳电子技术》
北大核心
2016
10
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
陈红梅
安琪
吴艳华
王飞飞
胡发杰
李新坤
金鹏
吴巨
王占国
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014
0
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职称材料
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