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金刚石半导体材料和器件的研究现状被引量：6: 1; 作者陈亚男张烨 +7 位作者郁万成龚猛杨霏刘瑞王嘉铭李玲金鹏王占国《微纳电子技术》北大核心 2017年第4期217-228,共12页; 简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了... 展开更多; 关键词金刚石迁移率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 掺杂器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状被引量：10: 2; 作者付方彬金鹏 +3 位作者刘雅丽龚猛吴巨王占国《微纳电子技术》北大核心 2016年第9期571-581,587,共12页; 简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及... 展开更多; 关键词金刚石宽禁带微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 同质外延生长掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟: 3; 作者陈红梅安琪 +6 位作者吴艳华王飞飞胡发杰李新坤金鹏吴巨王占国《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第5期286-296,共11页; 数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减... 展开更多; 关键词超辐射发光管(SLD) 量子点(QD) 双注入区结构器件模型结构参数; 在线阅读下载PDF 职称材料