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MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
被引量：
2
1
作者
殷海波
王晓亮
+6 位作者
冉军学
胡国新
肖红领
王翠梅
杨翠柏
李晋闽
侯洵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期123-126,共4页
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上...
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果;腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。
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关键词
GAN
MOCVD
数值模拟
流场
沉积速率
几何结构
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职称材料
题名
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
被引量：
2
1
作者
殷海波
王晓亮
冉军学
胡国新
肖红领
王翠梅
杨翠柏
李晋闽
侯洵
机构
中国科学院
半导体
研究所材料
科学
中心
中国科学院半导体照明研发中心
中国科学院
半导体
研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期123-126,共4页
基金
国家自然科学基金(60576046
60606002)
+3 种基金
国家"973"重点基础研究(2006CB604905
613270805)
国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A141)
中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
文摘
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果;腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。
关键词
GAN
MOCVD
数值模拟
流场
沉积速率
几何结构
Keywords
GaN
MOCVD
numerical simulation
flow field
deposition rate
geometry
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
殷海波
王晓亮
冉军学
胡国新
肖红领
王翠梅
杨翠柏
李晋闽
侯洵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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