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p^+-n^--n结的势垒分布
被引量：
1
1
作者
赵普琴
杨锡震
+1 位作者
李桂英
王亚非
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第1期48-51,共4页
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒...
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒分布， 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
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关键词
发光二级管
势垒
掺氮磷化镓
P-N结
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职称材料
题名
p^+-n^--n结的势垒分布
被引量：
1
1
作者
赵普琴
杨锡震
李桂英
王亚非
机构
北京师范大学分析测试中心
中国科学院半导体材料科学开放实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第1期48-51,共4页
基金
国家科委预研项目
文摘
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒分布， 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
关键词
发光二级管
势垒
掺氮磷化镓
P-N结
Keywords
GaP
LED
barrier
分类号
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p^+-n^--n结的势垒分布
赵普琴
杨锡震
李桂英
王亚非
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001
1
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