透射电子显微学在半导体材料科学中的应用

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作者 范缇文 林兰英 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第2期183-190,共8页

本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"... 本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"、"微观结构"的全方位信息,说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用,而且随着半导体材料的日新月异的发展,其重要性将日趋明显。 展开更多

关键词 透射电子显微学 半导体材料科学 异质结材料

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用于泵浦固体激光器的大功率半导体激光材料及器件实用化研究

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作者 徐波 韩勤 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期47-48,共2页

本课题采用分子束外延技术,生长高质量的大功率半导体激光器材料,并制备高性能的大功率半导体激光器器件,提供给八六三项目的其它课题,制做大功率半导体激光光纤耦合模块,为全固态绿、蓝光激光器系统提供高性能的泵浦源。 经过近5年的研... 本课题采用分子束外延技术,生长高质量的大功率半导体激光器材料,并制备高性能的大功率半导体激光器器件,提供给八六三项目的其它课题,制做大功率半导体激光光纤耦合模块,为全固态绿、蓝光激光器系统提供高性能的泵浦源。 经过近5年的研究,在大功率半导体激光器材料生长和器件制备方面取得了很大进展。(1)研制出的808nm,大功率量子阱激光器材料阈值电流密度低(300～400A/cm^2),发光波长准确(808.7±3.0nm)均匀性比较高。(2) 展开更多

关键词 泵浦固体激光器 大功率半导体激光材料 激光器件

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In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs材料系中有序结构的研究

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作者 范缇文 林兰英 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第3期307-311,共5页

利用光致发光（ＰＬ），横截面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料系中的有序结构进行了研究。实验结果指出：（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地... 利用光致发光（ＰＬ），横截面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料系中的有序结构进行了研究。实验结果指出：（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料的光学性质和结构性质有密切关系。文中提出了一个物理模型，认为有序Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ材料是一种具有可变带尾态的Ⅱ型量子阱材料。 展开更多

关键词 外延材料 有序结构 光致发光 发光器件 电镜

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光纤通信有源器件的发展现状 被引量：11

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作者 王启明 赵玲娟 +2 位作者 朱洪亮 韩勤 成步文 《电信科学》 北大核心 2016年第5期10-23,共14页

光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势,包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激... 光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势,包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激光器、化合物半导体光电探测器、硅基长波长光电探测器等。 展开更多

关键词 光纤通信 有源器件 DFB激光器 泵浦激光器 光电探测器 雪崩光电探测器

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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究 被引量：5

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作者 李庚伟 吴正龙 +2 位作者 邵素珍 张建辉 刘志凯 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期109-111,共3页

利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°... 利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°。表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的 ZnO/Si 薄膜。 展开更多

关键词 ZnO/Si 氧离子束辅助激光淀积生长 异质结薄膜 X射线摇摆曲线 X射线光电子能谱

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中远红外量子级联激光器研究进展(特邀) 被引量：14

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作者 赵越 张锦川 +3 位作者 刘传威 王利军 刘俊岐 刘峰奇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期1-10,共10页

量子级联激光器具有效率高、体积小、功耗低、波长可大范围选取的特点,已经被广泛应用于定向红外对抗系统、自由空间光通信和痕量气体传感等领域。回顾了量子级联激光器近20年的进展。首先总结了量子级联激光器的总体发展历程和发光原理... 量子级联激光器具有效率高、体积小、功耗低、波长可大范围选取的特点,已经被广泛应用于定向红外对抗系统、自由空间光通信和痕量气体传感等领域。回顾了量子级联激光器近20年的进展。首先总结了量子级联激光器的总体发展历程和发光原理;接着介绍了主要用于定向红外对抗的大功率量子级联激光器的几种典型有源区结构设计,然后讨论了气体传感用的单模分布反馈量子级联激光器;接着又论述了单片集成高亮度量子级联激光器相干阵列的研究情况;此外,还介绍了自由空间通信用的量子级联激光器的发展情况;最后,描述了近些年才出现中红外量子级联激光器光频梳的研究进展。 展开更多

关键词 量子级联激光器 定向红外对抗 自由空间通信 相位锁定阵列 光频梳

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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO／Si的XPS探究 被引量：3

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作者 李庚伟 吴正龙 +1 位作者 邵素珍 刘志凯 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期255-258,263,共5页

为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分... 为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O)∶n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境. 展开更多

关键词 ZnO/N异质结构 氧离子束辅助PLD X射线光电子能谱(XPS)

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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析 被引量：1

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作者 李庚伟 吴正龙 +1 位作者 邵素珍 刘志凯 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期685-688,共4页

对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的... 对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性. 展开更多

关键词 ZnO/Si异质结构 氧离子柬辅助(O^+-assisted)PLD X射线光电子能谱(XPS) 深度剖析

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砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究

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作者 范缇文 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期517-517,共1页

砷离子注入的ＧｅＳｉ合金中沉淀相的研究范缇文（中国科学院半导体材料科学实验室，北京１０００８３）杂质在ＧｅＳｉ合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如，作为ＧｅＳｉ合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注... 砷离子注入的ＧｅＳｉ合金中沉淀相的研究范缇文（中国科学院半导体材料科学实验室，北京１０００８３）杂质在ＧｅＳｉ合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如，作为ＧｅＳｉ合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注入ＧｅＳｉ合金再经热退火，发现其中... 展开更多

关键词 硅化锗 合金 沉淀相 砷 离子注入

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刻槽Si衬底上GaAs微结构研究

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作者 梁基本 范缇文 孔梅影 《半导体情报》 1991年第6期61-62,共2页

本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外延层的成核行为和生长行为有一定影响,和Si[001]晶面相比,Si[1... 本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外延层的成核行为和生长行为有一定影响,和Si[001]晶面相比,Si[113]可能是一个有利于半导体异质结生长的晶面。 展开更多

关键词 分子束外延 GAAS 微结构 刻槽

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Si_(1-x)Ge_x/Si界面区的会聚束电子衍射研究

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作者 秦志宏 柳得橹 +1 位作者 莫庆伟 范缇文 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期505-506,共2页

会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时... 会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时，由于入射束不聚焦在试样平面上，可... 展开更多

关键词 硅/锗硅 薄膜 会聚束电子衍射 界面

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基于Nd:YAG陶瓷的被动锁模激光器研究

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作者 马建立 张玲 +4 位作者 甘新昌 栾志浩 李星星 郭伟钦 李宏峰 《光通信技术》 2021年第10期7-9,共3页

Nd:YAG陶瓷具有可大尺寸、低成本制备的特点,但基于Nd:YAG陶瓷的锁模激光器尚未得到大量验证。采用Nd:YAG陶瓷作为增益介质、半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模元件,优化设计了W型谐振腔。在泵浦功率为11.49 W时,获得了波长为1.06μm... Nd:YAG陶瓷具有可大尺寸、低成本制备的特点,但基于Nd:YAG陶瓷的锁模激光器尚未得到大量验证。采用Nd:YAG陶瓷作为增益介质、半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模元件,优化设计了W型谐振腔。在泵浦功率为11.49 W时,获得了波长为1.06μm、重复频率为144 MHz和输出平均功率为1.25 W的稳定连续锁模激光,锁模激光的脉冲宽度为33.6 ps,单脉冲能量为8.7 nJ,峰值功率为0.26 kW。实验结果表明:Nd:YAG陶瓷作为增益介质,可应用于被动锁模超快皮秒激光器中。 展开更多

关键词 激光二极管泵浦 ND:YAG陶瓷 被动锁模 皮秒脉冲 激光器

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