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GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
被引量：
2
1
作者
李永平
田强
+3 位作者
牛智川
杨锡震
吴正龙
王亚非
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期474-477,共4页
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。
关键词
GaAs/Si/AlAs异质结
生长温度
Si夹层
CV测量
实验研究
导带带阶
异质结器件
热扩散
半导体
空间分布
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职称材料
自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
2
作者
王志明
吕振东
+6 位作者
封松林
赵谦
李树英
吉秀江
陈宗圭
徐仲英
郑厚植
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期455-458,共4页
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩...
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火倾向于产生更多的位错，量子点的发光峰位置不变，但强度减弱．
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关键词
量子点
退火
砷化铟
自组织生长
砷化镓
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职称材料
题名
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
被引量：
2
1
作者
李永平
田强
牛智川
杨锡震
吴正龙
王亚非
机构
北京师范大学物理学系
中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室
北京师范大学分析测试中心
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期474-477,共4页
基金
教育部高等学校骨干教师资助计划项目
文摘
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。
关键词
GaAs/Si/AlAs异质结
生长温度
Si夹层
CV测量
实验研究
导带带阶
异质结器件
热扩散
半导体
空间分布
Keywords
GaAs/AlAs heterojunction
Si interlayer
CV measurement
conduction band discontinuity
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
2
作者
王志明
吕振东
封松林
赵谦
李树英
吉秀江
陈宗圭
徐仲英
郑厚植
机构
中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期455-458,共4页
基金
国家自然科学基金
中国科学院重点资助
文摘
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火倾向于产生更多的位错，量子点的发光峰位置不变，但强度减弱．
关键词
量子点
退火
砷化铟
自组织生长
砷化镓
Keywords
quantum dots, annealing, strain, diffusion, dislocation.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
李永平
田强
牛智川
杨锡震
吴正龙
王亚非
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
在线阅读
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职称材料
2
自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
王志明
吕振东
封松林
赵谦
李树英
吉秀江
陈宗圭
徐仲英
郑厚植
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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